Магазин
Транзистор 2SD2494
В наявності
136,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Виробник | Sanken |
| Напруга Vcbo | 110 В |
| Напруга Vceo | 110 В (мін., Ic 30 мА) |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 6 А |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 5000 (мін., Vce 4 В, Ic 5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,5 В (макс., Ic 5 А, Ib 5 мА) |
| Гранична частота fT | 60 МГц (тип.) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор 2SD2390 + 2SB1560 ( D2390 + B1560 ) оригінали, TO-3P
В наявності
343,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | комплементарна пара NPN Дарлінгтон (2SD2390) + PNP (2SB1560) |
| Корпус | TO-3P |
| Vceo (2SD2390) | 150 В, Ta 25 °C |
| Vcbo (2SD2390) | 160 В, Ta 25 °C |
| Vebo (2SD2390) | 5 В, Ta 25 °C |
| Ic (2SD2390) | 10 А безперервний, Ta 25 °C |
| Pc (2SD2390) | 100 Вт, Tc 25 °C |
| Tj макс. (2SD2390) | 150 °C |
| hFE (2SD2390) | 5000 (мін.), Ic 7 А, Vce 4 В |
| Vce(sat) (2SD2390) | 2.5 В (макс.), Ic 7 А, Ib 7 мА |
| fT (2SD2390) | 55 МГц, Ie -2 А, Vce 12 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD2375
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Panasonic |
| Vceo | 60 В (Ic 25 мА, Ib 0) |
| Vcbo | 80 В (Tc 25 °C) |
| Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Ic | 3 А (Tc 25 °C), піковий Icp 6 А |
| Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 500–1500 (Vce 4 В, Ic 0,5 А) |
| Vce(sat) | макс. 1 В (Ic 2 А, Ib 0,05 А) |
| fT | тип. 50 МГц (Vce 12 В, Ic 0,2 А, f 10 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220D-A1 (full-pack) |
Транзистор 2SD2153 , SOT-89 (25V,2A,0.5W)
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Vceo | 25 В (Ta 25 °C) |
| Vcbo | 30 В (Ta 25 °C) |
| Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Ic | 2 А (Ta 25 °C), імпульсний Icp 3 А (10 мс) |
| Pc | 0,5 Вт (Ta 25 °C) |
| hFE | 560–2700 (Vce 6 В, Ic 500 мА) |
| Vce(sat) | макс. 0,5 В (Ic 1 А, Ib 20 мА) |
| fT | 110 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Cob | 22 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | SOT-89 |
Транзистор 2SD2089
В наявності
115,15 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN з демпферним діодом |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 600 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 3,5 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 9–18 (IC=0,5 А, VCE=5 В) |
| Vce(sat) | 1,0 В макс. (IC=2,2 А, IB=0,7 А) |
| VECF | 1,5 В макс. (IF=2,2 А) |
| tf | 0,5 мкс макс. |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
Демонтаж
Транзистор 2SD207 (3DD207) демонтаж , TO-3
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 100 В (VCEO(SUS) мін., IC=10 мА, IB=0) |
| Напруга Vcbo | 100 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 20 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 150 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 60–200 (IC=1 А, VCE=5 В) |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC=5 А, IB=0,5 А) |
| fT | 5,0 МГц мін. (IC=0,5 А, VCE=10 В, f=1 МГц) |
| Корпус | TO-3 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SD1887 оригінал (Заміна 2SD1884 )
В наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 10 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 30 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) макс. | 5,0 В (Ic 8 А, Ib 1,6 А) |
| hFE1 мін. | 8 (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD1883 оригінал
В наявності
52,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 4 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 12 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 50 Вт (Ta 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vce(sat) макс. | 5 В (Ic 2,5 А, Ib 0,8 А) |
| hFE1 мін. | 8 (Vce 5 В, Ic 0,5 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD1876
В наявності
65,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SANYO |
| Корпус | TO-3PML |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 3 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 12 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 50 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В (Ic 2 А, Ib 0,6 А, Ta 25 °C) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,5 В (Ic 2 А, Ib 0,6 А, Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | 8 (Vce 5 В, Ic 0,5 А, Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE2 | 3–6 (Vce 5 В, Ic 2 А, Ta 25 °C) |
| Пряма напруга демпферного діода Vf | 2,0 В (Iec 3 А, Ta 25 °C) |
| Час спаду tf | 0,1 мкс тип., 0,3 мкс макс. (Ic 3 А, Ib1 0,8 А, Ib2 –1,6 А) |
| Струм відсічки Ices | 1,0 мА (Vce 1500 В, Ta 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
Транзистор 2SD1711
В наявності
62,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Корпус | TO-3PML |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний) |
| Потужність розсіювання Pc | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5.0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0.8 А, Tj 25 °C) |
| Напруга насичення база–емітер Vbe(sat) | 1.5 В (Ic 4 А, Ib 0.8 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10–40 (Ic 0.5 А, Vce 5 В) |
| Вбудований демпферний діод | є |
Демонтаж
Транзистор 2SD1710 оригінал демонтаж
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SPTECH |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icp | 16 А |
| Потужність розсіювання Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5.0 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А, Tc 25 °C) |
| Напруга насичення база–емітер Vbe(sat) | 1.5 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 8 мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В) |
| Час спаду tf | 0.5 мкс макс. (Ic 4 А, Ib1 0.8 А, Ib2 1.6 А) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD1691L
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 60 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic | 5 А |
| Імпульсний струм Icp (PW ≤10 мс, шпаруватість ≤50 %) | 8 А |
| Струм бази Ib | 1 А |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) макс. (Ic 2 А, Ib 0.2 А) | 0.3 В |
| hFE (Ic 2 А, Vce 1 В) | 160–400 |
| hFE мін. (Ic 5 А, Vce 2 В) | 50 |
Транзистор 2SD1650
В наявності
65,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-3PML |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 3.5 А |
| Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C) | 50 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vbe(sat) (Ic 2.5 А, Ib 0.8 А) | 1.5 В |
| hFE мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В) | 8 |
| Гранична частота fT (Ic 0.5 А, Vce 10 В) | 3 МГц |
| Вбудований демпферний діод | є |
| Vf діода (If 3.5 А) | 2.0 В |
Транзистор 2SD1577
В наявності
98,23 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-3PFa |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 700 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 5 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 17 А |
| Струм бази Ib | 3.5 А |
| Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C) | 100 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А) | 2.0 В |
| hFE (Ic 2 А, Vce 10 В) | 4–15 |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор 2SD1546
В наявності
94,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Напруга Vceo | 600 В (база розімкнена) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vebo | 5 В (колектор розімкнений) |
| Струм Ic | 6 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Струм бази Ib | 3 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А, Tj 25 °C) |
| hFE | 8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| fT | 3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В) |
Транзистор 2SD1545
В наявності
65,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Напруга Vceo | 600 В (база розімкнена) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vebo | 5 В (колектор розімкнений) |
| Струм Ic | 5 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Струм бази Ib | 2,5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tj 25 °C) |
| hFE | 8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| fT | 3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В) |
Транзистор 2SD1541
В наявності
135,83 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Корпус | TO-3PFa |
| Напруга Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (колектор розімкнений, Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 3 А (Tc 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 10 А |
| Потужність Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 130 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 2 А, Ib 0,75 А, Tj 25 °C) |
| hFE | 4–12 (Ic 2 А, Vce 10 В) |
| Демпферний діод | є, Vf 2,2 В (Ic −4 А) |
Транзистор 2SD1427
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | 2-16D1A (Toshiba) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 600 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 8 (Vce 5 В, Ic 1,0 А) |
| Вбудований демпферний діод | є |
| Пряма напруга демпферного діода Vf | 2,0 В макс. (If 5 А) |
Транзистор 2SD1403
В наявності
65,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 7 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 16 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 120 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 8 (Ic 1 А, Vce 5 В) |
Транзистор 2SD1047+2SB817 ( D1047+B817 , KTD1047+KTB817 ) оригінали , TO-3P
В наявності
192,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | комплементарна пара NPN (2SD1047) + PNP (2SB817) |
| Корпус | TO-3P |
| Vceo | 140 В, Ta 25 °C; Ic 30 мА, Ib 0 (мін.) |
| Vcbo | 160 В, Ta 25 °C |
| Vebo | 6 В, Ta 25 °C |
| Ic | 12 А, Ta 25 °C |
| Ptot | 100 Вт, Ta 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE1 | 60–200, Vce 5 В, Ic 1 А |
| Vce(sat) | 2.5 В (макс.), Ic 5 А, Ib 0.5 А |
| fT | 15 МГц (typ), Vce 5 В, Ic 1 А |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC945 , to92
В наявності
3,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5,0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE2 | 90–600 (Vce 6,0 В, Ic 1,0 мА) |
| Гранична частота fT (тип.) | 250 МГц (Vce 6,0 В, Ie −10 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,3 В макс. (Ic 100 мА, Ib 10 мА) |
Демонтаж
Транзистор 2SC5966 оригінал демонтаж
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А, імпульсний Icp 40 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | мін. 15 (Vce 5 В, Ic 1 А); 4–7 (Vce 5 В, Ic 15 А) |
| Vce(sat) | 3 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А) |
| Корпус | TO-3PMLH |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5902
В наявності
85,07 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (емітер розімкнений, Tc 25 °C) |
| Напруга Vces | 1700 В (E-B закорочено, Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo мін. | 7 В (IE 500 мА, IC 0) |
| Струм колектора Ic | 9 А, імпульсний Icp 14 А (Tc 25 °C) |
| Струм бази Ib | 3 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | 5–10 (VCE 5 В, IC 4,5 А) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А) |
| Демпферний діод | є |
| Корпус | TOP-3E-A1 (SC-94) |
Демонтаж
Транзистор FDA69N25 ( 69N25 ) оригінал демонтаж(250V,69A) , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм Id (25 °C) | 69 А |
| Струм Id (100 °C) | 44,2 А |
| Rds(on) | 0,034 Ом тип., макс. 0,041 Ом (VGS = 10 В, ID = 34,5 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 77 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 480 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SC5858 оригінал демонтаж , TO264
В наявності
139,12 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 750 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 22 А постійний, імпульсний 44 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | 30–60 (VCE 5 В, IC 2 А) |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC 17 А, IB 4,25 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц тип. (VCE 10 В, IC 0,1 А) |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5802D
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Напруга Vebo | 6 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 10 А (імпульсний Icm 30 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–48 (IC 1 А, VCE 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3,0 В (макс.) (IC 6 А, IB 1,5 А, Tj 25 °C) |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
Демонтаж
Транзистор 2SC5793 оригінал демонтаж , TO-3PML
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vcbo | 1600 В |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 20 А (імпульсний Icp 40 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 95 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час спаду tf | 0,2 мкс (макс.) (IC 10 А, IB1 1,6 А, IB2 –5 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,5 В (макс.) (IC 13,5 А, IB 3,4 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5707 , ТО252
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ex-SANYO) |
| Напруга Vceo | 50 В |
| Напруга Vcbo | 100 В |
| Струм колектора Ic | 8 А (імпульсний Icp 11 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200–560 (VCE 2 В, IC 500 мА) |
| Гранична частота fT | 330 МГц (тип.) (VCE 10 В, IC 500 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 28 пФ (тип.) (VCB 10 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор 2SC5706 smd
В наявності
26,79 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (Sanyo) |
| Напруга Vceo | 50 В (Ic 1 мА, Rbe = ∞) |
| Напруга Vces | 100 В (Ic 100 мкА, Rbe 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В |
| Напруга Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 5 А |
| Струм колектора імпульсний Icp | 7,5 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200–560 (Vce 2 В, Ic 500 мА) |
| Гранична частота fT | 400 МГц, тип. (Vce 10 В, Ic 500 мА) |
| Vce(sat) | 90 мВ тип., 135 мВ макс. (Ic 1 А, Ib 50 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 15 пФ, тип. (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TP-FA (smd) |
