Магазин
Реле F3AA012E (5A/250V)
В наявності
70,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Конфігурація контактів | 1 form A (SPST-NO) |
| Матеріал контактів | AgNi (срібло-нікель) |
| Номінал контактів | 5 А, 250VAC/30VDC |
| Максимальна комутована потужність | 1250 ВА / 150 Вт (5А тип) |
| Номінальна напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 720 Ом ±10% (20°C) |
| Час спрацювання/відпускання | до 10 мс |
| Механічний ресурс | 5×10^6 спрацювань |
| Електричний ресурс | 100×10^3 спрацювань (5А, 250VAC/30VDC) |
| Робоча температура | -40…+70°C |
| Корпус | Slim type, THT, 4 виводи, 20.3x7x15мм |
Реле F5H-DC12V-P1 ( Заміна для DYSF-D12V-P1 ) (16A/250V)
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Серія | F5 (модель F5H, висока чутливість) |
| Тип | Реле електромеханічне силове, для друкованої плати |
| Контактна група | 1 Form A (замикаючий) |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 360 Ом (±10 %, 23 °C) |
| Потужність котушки | 400 мВт |
| Напруга спрацювання | 9.0 В DC (23 °C) |
| Напруга відпускання | 1.2 В DC (23 °C) |
| Навантаження контактів | 16 А 250 В AC; 20 А 125 В AC |
| Макс. комутація | 250 В AC / 30 В DC; 20 А |
| Опір контактів | 100 мОм (макс.), 24 В DC, 1 А |
| Електрична міцність котушка-контакти | 5000 В AC, 1 хв |
| Час спрацювання / відпускання | 10 / 10 мс (макс.) |
| Електричний ресурс | 100000 циклів (16 А 250 В AC) |
| Температура | -40…+85 °C |
| Габарити | 24.2 × 12.3 × 20.1 мм |
| Вага | приблизно 10 г |
Реле ALE15B12 ( ALE1PB12 , G5JS-1A-NT 12VDC , OMIH-SS-112LM ) (16A,250V)
В наявності
162,15 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic (серія LE) |
| Тип | Реле електромеханічне силове, для друкованої плати |
| Контактна група | 1 Form A (SPST-NO, замикаючий) |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 360 Ом (±10 %) |
| Струм котушки | 33.3 мА (±10 %) |
| Потужність котушки | 400 мВт |
| Напруга спрацювання | 9 В DC (макс.) |
| Напруга відпускання | 0.6 В DC (мін.) |
| Навантаження контактів | 16 А / 277 В AC (активне навантаження) |
| Опір контактів | 100 мОм (макс.), 6 В DC, 1 А |
| Матеріал контактів | срібний сплав |
| Електрична міцність котушка-контакти | 4000 В (ефект.), 1 хв |
| Температура | -40…+85 °C |
| Габарити | 28.6 × 12.4 × 24.9 мм (макс.) |
Реле JQC-3FF-S-Z-5VDC ( заміна для LEG-5 , HF3FF-005-1ZS 5VDC) (10A/250V) 5pin
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hongfa |
| Корпус | PCB (THT), герметичне, 5 pin |
| Напруга котушки | 5 В DC |
| Напруга спрацювання | 3.80 В DC max |
| Напруга відпускання | 0.5 В DC min |
| Макс. напруга котушки | 6.5 В DC |
| Опір котушки | 70 ±10% Ом при 25 °C |
| Конфігурація контактів | 1C (SPDT) |
| Струм контактів | 10 А при 250 В |
| Час спрацювання | 10 мс max при номінальній напрузі |
| Час відпускання | 5 мс max при номінальній напрузі |
| Механічний ресурс | 1×10⁷ спрацювань |
| Електричний ресурс | 1×10⁵ спрацювань |
Тиристор X0405MF , TO-202-3
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-202-3 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 4 А (Tl=60 °C) / 1.35 А (Tamb=25 °C), 180° |
| Середній струм It(av) | 2.5 А (Tl=60 °C) / 0.9 А (Tamb=25 °C), 180° |
| Ударний струм Itsm | 33 А (tp=8.3 мс) / 30 А (tp=10 мс), Tj=25 °C |
| Струм Igt | 50 мкА макс. (Vd=12 В, Rl=140 Ом, Tj=25 °C) |
| Напруга Vgt | 0.8 В макс. (ті самі умови) |
| dV/dt | ≥15 В/мкс (Vd=67% Vdrm, Rgk=1 кОм, Tj=110 °C) |
| Напруга Vtm | 1.8 В макс. (Itm=8 А, tp=380 мкс, Tj=25 °C) |
Тиристор PCR406J , to92
В наявності
8,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Unisonic Technologies (UTC) |
| Корпус | TO-92 |
| Струм It(rms) | 0.8 А (Tc=40 °C) |
| Середній струм It(av) | 0.5 А (півперіод 180°, Tc=40 °C) |
| Струм Igt | 200 мкА макс. (Vd=7 В) |
| Напруга Vgt | 0.8 В макс. (Vd=7 В) |
| Струм утримання Ih | 5 мА макс. (Rgk=1 кОм) |
Тиристор MCR100-8 (600V,0.8A,Igt=200мкА) , to92
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj −40…110 °C, Rgk=1 кОм) |
| Струм It(rms) | 0.8 А (Tc=80 °C, 180°) |
| Ударний струм Itsm | 10 А (60 Гц, Tj=25 °C) |
| Струм Igt | 200 мкА макс., 40 мкА тип. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом) |
| Напруга Vgt | 0.8 В макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом) |
| Струм утримання Ih | 5.0 мА макс. (Tc=25 °C, Rgk=1 кОм) |
| dV/dt | 20 В/мкс мін., 35 В/мкс тип. (Tj=110 °C, Rgk=1 кОм) |
| Напруга Vtm | 1.7 В макс. (Itm=1.0 А, Ta=25 °C) |
Тиристор MCR100-6 (400V,0.8A,Igt=200мкА) , to92
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor (onsemi) |
| Корпус | TO-92 |
| Корпус (докладно) | TO-92 (TO-226AA) |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 400 В (Tj -40…110 °C, синусоїда 50–60 Гц) |
| Струм It(RMS) | 0.8 А (Tc=80 °C, кут провідності 180°) |
| Ударний струм Itsm | 10 А (півперіод синусоїди 60 Гц, Tj=25 °C) |
| Струм керування Igt | 40 мкА тип. / 200 мкА макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом) |
| Напруга керування Vgt | 0.62 В тип. / 0.8 В макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rl=100 Ом) |
| Струм утримання Ih | 0.5 мА тип. / 5.0 мА макс. (Tc=25 °C, Vak=7.0 В, Rgk=1 кОм) |
| dV/dt | 20 В/мкс мін. / 35 В/мкс тип. (Vd=Vdrm, Tj=110 °C, Rgk=1 кОм) |
| Макс. температура переходу | 110 °C |
Тиристор CR5AS (BCR5AS) (400V,5A,200мкА) , D-Pak
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Mitsubishi Electric |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vdrm | 400 В |
| Напруга Vrrm | 400 В |
| Струм It(av) | 5 А |
| Струм It(rms) | 7.8 А |
| Ударний струм Itsm | 90 А |
| Струм керування Igt | 200 мкА |
| Напруга Vtm | 1.8 В |
| Струм утримання Ih | 3.0 мА |
| Температура переходу Tj | 125 °C |
Тиристор BT169D (0.8A;400V,Igt=200мкА) , to92
В наявності
9,87 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Тиристор (SCR, чутливий затвор) |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 400 В |
| Діючий струм It(RMS) | 0.8 А (Tlead ≤ 83 °C) |
| Середній струм It(AV) | 0.5 А (Tlead ≤ 83 °C) |
| Струм керування Igt | 200 мкА (макс.) |
| Корпус | TO-92 |
Тиристор BT168GW ( BT168G ) оригінал (600V,1A,Igt=50мкА) , sot223
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Тиристор (SCR, чутливий затвор) |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Діючий струм It(RMS) | 1 А |
| Середній струм It(AV) | 0.63 А (Tsp ≤ 112 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мкА типовий (Vd=12 В, It=10 мА, Tj=25 °C) |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Тиристор BT152-800R ,ТО220
В наявності
54,52 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В |
| Діючий струм It(RMS) | 20 А |
| Середній струм It(AV) | 13 А (Tmb ≤ 103 °C) |
| Корпус | TO-220 |
Тиристор BT152-600R оригінал, ТО220
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (повторювана пікова) |
| Середній струм It(AV) | 13 А (напівсинусоїда, Tmb ≤ 103 °C) |
| Діючий струм It(RMS) | 20 А (напівсинусоїда) |
| Ударний струм Itsm | 200 А (tp=10 мс, Tj=25 °C) |
| Струм керування Igt | 3 мА тип / 32 мА макс (Vd=12 В, It=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Пряме падіння Vt | 1.4 В тип (It=40 А, Tj=25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Тиристор BT151-650R оригінал, ТО220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 650 В (повторювана пікова) |
| Середній струм It(AV) | 7.5 А (напівсинусоїда, Tmb ≤ 109 °C) |
| Діючий струм It(RMS) | 12 А (напівсинусоїда, Tmb ≤ 109 °C) |
| Ударний струм Itsm | 120 А (tp=10 мс, Tj=25 °C) |
| Струм керування Igt | 2 мА тип / 15 мА макс (Vd=12 В, It=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Пряме падіння Vt | 1.4 В тип (It=23 А, Tj=25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Тиристор BT149G (600V,0.5A,50мкА)(Заміна для BT149D ) , to92
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (повторювана пікова) |
| Середній струм It(AV) | 0.5 А (напівсинусоїда, Tlead ≤ 83 °C) |
| Діючий струм It(RMS) | 0.8 А (напівсинусоїда, Tlead ≤ 83 °C) |
| Ударний струм Itsm | 8 А (tp=10 мс, Tj=25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мкА тип / 200 мкА макс (Vd=12 В, It=10 мА, Tj=25 °C) |
| Пряме падіння Vt | 1.25 В тип (VD=12 В, It=10 мА, Tj=25 °C) |
| Корпус | TO-92 |
Демонтаж
Тиристор 70TPS12 ( 70TPS12A ) оригінал демонтаж , Super TO247(1200V,70A)
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Semiconductors |
| Vdrm/Vrrm | 1200 В |
| It(av) | 70 А (TC = 109 °C, кут провідності 180°) |
| It(rms) | 75 А (обмеження струмом виводів) |
| Itsm | 930 А (10 мс, початкова Tj = Tj max) |
| Igt | 100 мА макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В) |
| Vgt | 1.5 В макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В) |
| dV/dt | 500 В/мкс макс. (Tj = 150 °C) |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Тиристор 40TPS12A ( 40TPS12 ) оригінал , TO247
В наявності
186,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Semiconductors |
| Vdrm/Vrrm | 1200 В |
| It(av) | 35 А (TC = 79 °C, кут провідності 180°) |
| It(rms) | 55 А |
| Itsm | 600 А (10 мс, початкова Tj = Tj max) |
| Igt | 40 мА макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В) |
| Vgt | 2.5 В макс. (Tj = 25 °C, живлення анода 6 В) |
| dV/dt | 500 В/мкс (Tj = Tj max, Rg-k = 100 Ом) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Тиристор 2P4M (400V,2A,200мкА) , TO-202
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NEC (NEC Electronics) |
| Vdrm/Vrrm | 400 В (RGK = 1 кОм) |
| It(av) | 2 А (TC = 77 °C, кут провідності 180°) |
| It(rms) | 4 А |
| Itsm | 20 А (50 Гц, 1 цикл) |
| Igt | 200 мкА макс. (VDM = 6 В, RL = 100 Ом) |
| Vgt | 0.8 В макс. (VDM = 6 В, RL = 100 Ом) |
| dV/dt | 10 В/мкс мін. (Tj = 125 °C, VDM = 2/3 Vdrm) |
| Корпус | TO-202-3 |
Сімістор Z9M ( Z0109MN, FT0109MN )(1A;600V,Igt=10mA) , sot223
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vdrm | 600 В |
| It(RMS) | 1 А (Tsp ≤105 °C) |
| Itsm | 8/8,5 А (tp 20 мс/16,7 мс) |
| Igt | 10 мА (Tj 25 °C, 4 квадранти) |
| Vt | 1,3–1,6 В (IT 1,4 А, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Корпус | SOT-223 |
| Tj max | 125 °C |
Сімістор Z7M ( Z0107MN , 107MN ) оригінал (1A;600V,Igt=5mA)( заміна для Z0107MN0, Z0107MNO , 107MNO , 107MN0 ), sot223
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (повторювана імпульсна) |
| Струм It(rms) | 1 А |
| Струм керування Igt | 7 мА макс. (VD = 12 В, RL = 100 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 2 В макс. (квадранти I–III; 2.5 В для IV) |
| Спад напруги Vt | 1.65 В макс. (It = 1 А, tp = 380 мкс) |
| dV/dt | 50 В/мкс (VDM = 67 % Vdrm, Tj 125 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор Z3M ( Z0103MN ) оригінал (1A,600V,3mA) , sot223
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Струм IT(RMS) | 1 А (SOT-223: Ttab = 90 °C, повна синусоїда) |
| Напруга VDRM/VRRM | 600 В (серія Z01: 600–800 В) |
| Ударний струм ITSM | 8 А (50 Гц, t = 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування IGT | 3 мА макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом, квадранти I–II–III; IV – 5 мА) |
| Напруга керування VGT | 1.3 В макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом) |
| Струм утримання IH | 7 мА макс. (IT = 50 мА) |
| Критична швидкість dV/dt | 10 В/мкс мін. (VD = 67 % VDRM, Tj = 110 °C) |
| Квадранти | 4Q (I–II–III–IV) |
| Температура переходу Tj | -40…+125 °C |
| Корпус | SOT-223 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор Z0607MA (0.8A,600V,Igt=0,005A) , to92
В наявності
7,52 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 0.8 А (повна синусоїда, Tl 50 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 9 А (50 Гц, t 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА макс. (квадранти I–II–III, VD 12 В, RL 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В макс. |
| Напруга Vtm | 1.5 В макс. (ITM 1.1 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Макс. температура переходу | 110 °C |
| Корпус | TO-92 |
Сімістор Z0409MF ( ZO409MF ) , TO-202-3
В наявності
37,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Сімістор 4Q |
| Струм IT(RMS) | 4 А (повна синусоїда) |
| Ударний струм ITSM | 20 А (50 Гц, t = 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування IGT | 10 мА макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування VGT | 1.3 В макс. (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Струм утримання IH | 10 мА макс. (IT = 50 мА, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 100 В/мкс мін. (gate open, Tj = 110 °C) |
| Температура переходу Tj | -40…+125 °C |
| Корпус | TO-202-3 |
Сімістор Z0109MA (1A;600V,Igt=0.01A) , to92
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj 25–125 °C) |
| Струм It(rms) | 1 А (Tlead 50 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 8 А (повна синусоїда, Tj 25 °C, t 20 мс) |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В макс. (VD = VDRM, RL 3.3 кОм, Tj 125 °C) |
| Напруга Vt | 1.6 В макс. (Tj 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (IT 50 мА) |
| dV/dt | 50 В/мкс мін. (0.67 Vdrm, Tj 110 °C) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |
Сімістор Z0107MA ( 0107MA ) ( 0107NA ) , to92
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Сімістор, чутливий затвор |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 1 А (макс.) |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В (макс.) |
| Температура Tj | -40…125 °C |
| Корпус | TO-92 |
Сімістор T410-600T , TO220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (синус 50–60 Гц) |
| Струм It(rms) | 4.0 А (Tj 125 °C, повна синусоїда) |
| Імпульсний струм Itsm | 25/27 А (один період 50/60 Гц) |
| Струм керування Igt | 5 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В макс. (VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга Vtm | 1.7 В макс. (ITM 5.5 А, tp 380 мкс) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (It 0.1 А) |
| dV/dt | 20 В/мкс мін. (Tj 125 °C, 2/3 Vdrm) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор MAC97A8 (0,6A;600V,Igt=0.005A) , to92
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В (Tj -40…110 °C) |
| Струм It(rms) | 0.6 А (повна синусоїда 50–60 Гц, Tc 50 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 8 А (один повний період, Tc 110 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА макс. (VD 12 В, RL 100 Ом; T2–G+ – 7 мА) |
| Напруга керування Vgt | 2.0 В макс. (VD 12 В, RL 100 Ом, T2+G+; T2–G+ – 2.5 В) |
| Напруга Vtm | 1.9 В макс. (струм 0.85 А, імпульс 2 мс) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (VD 12 В, початковий струм 200 мА) |
| dV/dt | 25 В/мкс тип. (67 % Vdrm, Tc 110 °C) |
| Макс. температура переходу | 110 °C |
| Квадранти | 4Q |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | HAOPIN MICROELECTRONICS |
Сімістор MAC97A6 , to92
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 1 А (Tc 110 °C) |
| Ударний струм ITSM | 12 А (Tp 10 мс, Tj 125 °C) |
| Струм керування Igt | 3 мА (VD 12 В, квадранти I/II/III; квадрант IV – 7 мА) |
| Напруга керування Vgt | 1,2 В (VD 12 В) |
| Напруга Vtm | 1,5 В (IT 1,6 А, tp 380 мкс) |
| Струм утримання Ih | 5 мА (квадранти I/II/III; квадрант IV – 10 мА) |
| dV/dt при комутації | 30 В/мкс (Tj 110 °C, VD 2/3 VDRM) |
| Квадранти | 4Q (I, II, III, IV) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | KY |
Транзистор SVG104R0NS ( 104R0NS , SVG104RONS , 104RONS ) оригінал (100V,120A) , D2PAK ( заміна для G10N054DM , AKG10N054DM , SUV90N06-5 з подовженням виводів )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Silan |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 110 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 50 А, Tj 25 °C) | 3.4 мОм тип., 4.0 макс. |
| Заряд затвора Qg | 107 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 6560 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 208 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Сімістор M2LZ47 ( SM2LZ47 ) оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
90,24 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 800 В |
| Струм IT(RMS) | 2 А (повна синусоїда) |
| Ударний струм ITSM | 8 А (50 Гц; 8,8 А при 60 Гц) |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (VD 12 В, RL 20 Ом, квадранти I/II/III) |
| Напруга керування Vgt | 1,5 В макс. (VD 12 В, RL 20 Ом) |
| Напруга Vtm | 2,0 В макс. (ITM 3 А) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (VD 12 В, ITM 1 А) |
| dV/dt | 500 В/мкс мін. (VDRM 800 В, Tj 125 °C) |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Напруга ізоляції Visol | 1500 В AC (1 хв) |
| Тепловий опір Rth(j-a) | 58 °C/Вт (перехід-повітря, AC) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Сімістор M12JZ47 ( SM12JZ47 ) (600V,12A,Igt=0,03A) , TO220F
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 12 А (Tc 72 °C, повна синусоїда) |
| Ударний струм ITSM | 120 А (50 Гц; 132 А при 60 Гц) |
| Струм керування Igt | 30 мА макс. (VD 12 В, RL 20 Ом, квадранти I/II/III) |
| Напруга керування Vgt | 1,5 В макс. (VD 12 В, RL 20 Ом) |
| Напруга Vtm | 1,5 В макс. (ITM 17 А) |
| Струм утримання Ih | 50 мА макс. (VD 12 В, ITM 1 А) |
| dV/dt | 300 В/мкс мін. (VDRM, Tj 125 °C, експоненційне наростання) |
| dV/dt при комутації | 10 В/мкс мін. (VDRM 400 В, Tj 125 °C, (di/dt)c -6,5 А/мс) |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Напруга ізоляції Visol | 1500 В AC (1 хв) |
| Rth(j-c) | 3,0 °C/Вт (перехід-корпус, AC) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
Сімістор M10LZ47 ( SM10LZ47 ) оригінал, TO220F
В наявності
117,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 800 В |
| Струм IT(RMS) | 10 А (повна синусоїда) |
| Ударний струм ITSM | 100 А (50 Гц; 110 А при 60 Гц) |
| Струм керування Igt | 30 мА макс. (VD 12 В, RL 20 Ом, квадранти I/II/III) |
| Напруга керування Vgt | 1,5 В макс. (VD 12 В, RL 20 Ом) |
| Напруга Vtm | 1,5 В макс. (ITM 15 А) |
| Струм утримання Ih | 50 мА макс. (VD 12 В, ITM 1 А) |
| dV/dt | 300 В/мкс мін. (VDRM 600 В, Tj 125 °C, експоненційне наростання) |
| dV/dt при комутації | 10 В/мкс мін. (VDRM 400 В, Tj 125 °C, (di/dt)c -5,5 А/мс) |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Напруга ізоляції Visol | 1500 В AC (1 хв) |
| Rth(j-c) | 3,4 °C/Вт (перехід-корпус, AC) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB16-800CW оригінал (заміна для BTB16-800C , T1635T-8T , MAC8N , MAC8M , MAC12N , MAC12M ) , ТО220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 16 А (Tc 100 °C) |
| Ударний струм ITSM | 160 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C; 176 А при tp 16,6 мс) |
| Струм керування Igt | 35 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I/II/III) |
| Напруга керування Vgt | 1 В макс. (VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Напруга Vtm | 1,5 В макс. (ITM 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 40 мА макс. (IT 500 мА) |
| dV/dt | 1000 В/мкс мін. (VD 540 В, затвор розімкнений, Tj 125 °C) |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Snubberless | так |
| Tj макс. | 125 °C |
| Корпус | TO-220C |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB16-800B ( Заміна для BTB16-800BW ) оригінал, ТО220
В наявності
115,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм It(rms) | 16 А (Ta 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (VAK 12 В, RL 30 Ом; T2+G+, T2+G-, T2-G-), 100 мА у T2-G+ |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (VD 12 В, RL 30 Ом, усі квадранти) |
| Струм утримання Ih | 50 мА (It 0,5 А, Igt 20 мА) |
| Напруга Vtm | 1.55 В (It 22,5 А) |
| Струм витоку Idrm | 10 мкА (VDRM 720 В) |
| Квадранти | 4Q |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB16-600CW ( BTB16-600C ) ( 16A,600V,35mA ) оригінал , ТО220
В наявності
86,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 16 А (повна синусоїда, Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 160 А (повний цикл, 50 Гц, 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 35 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I–II–III) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (квадранти I–II–III) |
| Струм утримання Ih | 35 мА (It 500 мА) |
| Напруга Vtm | 1.55 В (Itm 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 3Q |
| Макс. Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB16-600B , ТО220
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм It(rms) | 16 А (Ta 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (VAK 12 В, RL 30 Ом; T2+G+, T2+G-, T2-G-), 100 мА у T2-G+ |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (VD 12 В, RL 30 Ом, усі квадранти) |
| Струм утримання Ih | 50 мА (It 0,5 А, Igt 20 мА) |
| Напруга Vtm | 1.55 В (It 22,5 А) |
| Струм витоку Idrm | 10 мкА (VDRM 520 В) |
| Квадранти | 4Q |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор BTB12-800CW ( BTB12-800C ) оригінал, ТО220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vdrm/Vrrm | 800 В |
| It(RMS) | 12 А (Tc 105 °C) |
| Itsm | 120/126 А (tp 20 мс/16,7 мс) |
| Igt | 35 мА (клас C, Tj 25 °C) |
| Vt | 1,55 В (ITM 17 А, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 3Q (I, II, III), snubberless |
| Корпус | TO-220 |
| Tj max | 125 °C |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB12-600CW оригінал, ТО220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 12 А (повний цикл синусоїди 50–60 Гц, Tc 90 °C) |
| Ударний струм Itsm | 95 А (один повний цикл, 60 Гц, Tj 110 °C) |
| Струм керування Igt | 35 мА (VD 12 В, It 0,1 А, квадранти T2+G+, T2+G-, T2-G-) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В (VD 12 В, RL 100 Ом, усі квадранти, Tj -40 °C) |
| Струм утримання Ih | 40 мА (Tj 25 °C, керівний електрод розімкнений) |
| Напруга Vtm | 1.65 В (Itm 15 А, tp 380 мкс) |
| dV/dt | 200 В/мкс мін. (VDM 67% Vdrm, Tj 125 °C, RGK 1 кОм) |
| Квадранти | 3Q |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 3.0 °C/Вт (змінний струм) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220B, неізольований, 3 виводи |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB12-600B , ТО220 (Заміна для BTB08-600B )
В наявності
54,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 12 А (повна синусоїда, Tc 105 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (VD 12 В, RL 33 Ом); 100 мА у квадранті T2-G+ |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (VD 12 В, RL 33 Ом, усі квадранти) |
| Струм утримання Ih | 50 мА (Igt 0,5 А, керівний електрод розімкнений) |
| Напруга Vtm | 1.55 В (It 17 А, tp 380 мкс) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.4 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |