Магазин
Мікросхема AM-22A ( AM22A , АМ22А ) , DIP8
В наявності
34,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | керування малопотужним імпульсним БЖ з вбудованим високовольтним біполярним ключем |
| Макс. вихідна потужність | 12 Вт (вхід AC 85–264 В); 18 Вт (вхід AC 85–145 В або 180–264 В) |
| Напруга живлення Vcc | -0,3…9 В (абсолютний максимум); 4 / 5 / 6 В (мін. / тип. / макс., AC 85–265 В) |
| Напруга ключа (Collector) | 780 В (абсолютний максимум) |
| Пробивна напруга ключа | 700 В (мін., Ioc = 1 мА) |
| Піковий струм | 800 мА (абсолютний максимум) |
| Струм ключа | 600 / 650 / 700 мА (мін. / тип. / макс., Vcc 5 В, Fb 1,6–3,6 В) |
| Захист за піковим струмом | 650 / 720 / 800 мА (мін. / тип. / макс., Vcc 5 В, Fb 1,6–3,6 В) |
| Частота генератора | 60 / 65 / 70 кГц (мін. / тип. / макс., Vcc 5 В, Fb 1,6–2,8 В) |
| Розсіювана потужність | 1000 мВт (абсолютний максимум) |
| Робоча температура | 0…125 °C |
| Захист від ESD | 4 кВ |
| Споживання в режимі очікування | < 0,3 Вт |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Goston Electronics |
Мікросхема AIC2858F , so-8
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | синхронний понижувальний DC-DC з вбудованим MOSFET |
| Вихідний струм | 3 А (безперервний) |
| Вхідна напруга | 4,75–23 В (робочий діапазон) |
| Вхідна напруга макс. | 26 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна напруга | 0,925–12 В (регульована) |
| Опір вбудованого ключа | 100 мОм (за переліком особливостей) |
| Частота перетворення | 340 кГц (300–380 кГц, VIN 12 В, TA 25 °C) |
| ККД до | 95 % |
| Напруга зворотного зв'язку | 0,925 В (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | -40…85 °C |
| Кількість виводів | 8 |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOP-8 Exposed Pad |
| Виробник | AIC (Analog Integrations Corporation) |
Мікросхема AIC2857F , so-8
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | синхронний понижувальний DC-DC з вбудованим MOSFET |
| Вихідний струм | 2 А (безперервний) |
| Вхідна напруга | 4,75–23 В (робочий діапазон) |
| Вхідна напруга макс. | 26 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна напруга | 0,925–12 В (регульована) |
| Опір вбудованого ключа | 130 мОм (за переліком особливостей) |
| Частота перетворення | 340 кГц (300–380 кГц, VIN 12 В, TA 25 °C) |
| ККД до | 93 % |
| Напруга зворотного зв'язку | 0,925 В (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | -40…85 °C |
| Кількість виводів | 8 |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | AIC (Analog Integrations Corporation) |
Мікросхема AIC2565 , so-8
В наявності
60,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Analog Integrations Corporation |
| Корпус | SO-8 |
| Корпус (докладно) | SOP-8 Exposed Pad |
| Вхідна напруга | 4,75–23 В (робочий діапазон) |
| Вихідний струм | 3 А (безперервний) |
| Вихідна напруга | 1,22–16 В (регулюється) |
| Опорна напруга зворотного зв'язку | 1,222 В (тип., Vin 4,75–23 В; мін. 1,194, макс. 1,250) |
| Опір відкритого ключа | 100 мОм (верхній ключ, тип.) |
| Частота перетворення | 385 кГц (тип., Vin 12 В; мін. 335, макс. 435) |
| Обмеження струму | 5,0 А (тип., мін. 3,6) |
| Струм у режимі вимкнення | 22 мкА (тип., Ven 0 В, Vin 12 В) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема ACS110-7SN ( ACS1107S , ACS110-7S ) оригінал, sot223
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SOT-223 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 700 В |
| Струм It(rms) | 1 А (SOT-223, Ttab = 105 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 8 А (50 Гц), 11 А (60 Гц), Tj початкова 25 °C |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (Vout = 12 В DC, RL = 140 Ом, QII–QIII, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1 В макс. (Vout = 12 В DC, RL = 140 Ом, Tj 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 45 мА макс. (Iout = 100 мА, Tj 25 °C) |
| Спад напруги Vtm | 1.3 В макс. (Iout = 1.4 А, tp = 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Стійкість dV/dt | 500 В/мкс мін. (Vout = 460 В, Tj 110 °C) |
| Робоча температура переходу | -30…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ACS108-6SN оригінал ( ACS1086SN , ACS108-6S , ACS108 , ACS1086S ) , sot223
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SOT-223 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 0,8 А (Tamb 76 °C, S = 5 см²; Ttab 104 °C) |
| Ударний струм ITSM | 13 А (t 20 мс, Tj початк. 25 °C, повна синусоїда) |
| Струм керування Igt | 10 мА (макс., Vout 12 В, RL 33 Ом, квадранти II–III, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1,0 В (макс., Vout 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Стійкість dV/dt | 2000 В/мкс (мін., Vout 402 В, керування розімкнене, Tj 125 °C) |
| Напруга Vtm | 1,3 В (макс., Itm 1,1 А, tp 500 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти керування | II, III |
| Без зовнішнього демпфера | так |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ACS102-6T1 ( ACS1026T ) оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 0,2 А (Tamb 100 °C, повна синусоїда, SO-8 і TO-92) |
| Ударний струм ITSM | 7,6 А (f 60 Гц, t 16,7 мс, Tj початк. 25 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА (макс., Vout 12 В, RL 33 Ом, квадранти II–III, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 0,9 В (макс., Vout 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Стійкість dV/dt | 300 В/мкс (мін., Vout 67 % Vdrm, керування розімкнене, Tj 125 °C) |
| Напруга Vtm | 1,2 В (макс., Itm 0,3 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти керування | II, III |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 93C86WP ( ST93C86WP ) (DIP8)
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | послідовна EEPROM Microwire 16 Кбіт |
| Організація пам'яті | 2048 x 8 або 1024 x 16 біт (вибір виводом ORG) |
| Напруга живлення | 4,5–5,5 В |
| Тактова частота | 2 МГц макс. при Vcc не менше 4,5 В |
| Струм споживання при читанні | 1,5 мА макс. |
| Струм споживання при записі | 3 мА макс. |
| Струм у режимі очікування | 100 мкА макс. |
| Час циклу запису | 10 мс макс. |
| Ресурс запису | 1000000 циклів при 25 °C, Vcc 5,0 В |
| Зберігання даних | більше 200 років |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 93C46 ( ST93C46WP ) , smd
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 1 Кбіт |
| Інтерфейс | Microwire, 3-провідний |
| Напруга живлення Vcc | 4.5–5.5 В |
| Vcc, абсолютний максимум | 7.0 В |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | > 200 років |
| Корпус | smd |
Мікросхема 93C46P ( 93C46 ) , DIP8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 1 Кбіт |
| Інтерфейс | Microwire, 3-провідний |
| Напруга живлення Vcc | 4.5–5.5 В |
| Vcc, абсолютний максимум | 7.0 В |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | > 200 років |
| Корпус | DIP8 |
Демонтаж
Мікросхема 78MR05 демонтаж , 5pin
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Позначення | 78MR05 |
| Кількість виводів | 5 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема 78M12 ( CJ78M12 , AIP78M12 , 78D12 , MC78M12BDTG , 8M12BG ) , D-PAK
В наявності
21,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга (тип.) | 12 В (MC78M12B/C, Tj 25 °C, Vi 19 В, Io 350 мА) |
| Вихідна напруга в усьому режимі | 11,4–12,6 В (MC78M12B/C, Vi 14,5–27 В, Io 5–350 мА) |
| Максимальний вихідний струм | 500 мА (з достатнім тепловідведенням) |
| Піковий вихідний струм (тип.) | 700 мА (Tj 25 °C) |
| Максимальна вхідна напруга | 35 В (для версій 5–18 В) |
| Мінімальна різниця Vвх–Vвих (тип.) | 2,0 В (Tj 25 °C) |
| Струм обмеження при КЗ (тип.) | 350 мА (Tj 25 °C, Vi 35 В) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Мікросхема 78M09 ( 8M09BG ) , D-Pak
В наявності
18,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга (тип.) | 9,0 В (MC78M09C/B, Tj 25 °C, Vi 15 В, Io 350 мА) |
| Вихідна напруга в усьому режимі | 8,55–9,45 В (Vi 11,5–23 В, Io 5–350 мА) |
| Максимальний вихідний струм | 500 мА (з достатнім тепловідведенням) |
| Піковий вихідний струм (тип.) | 700 мА (Tj 25 °C) |
| Максимальна вхідна напруга | 35 В (для версій 5–18 В) |
| Мінімальна різниця Vвх–Vвих (тип.) | 2,0 В (Tj 25 °C) |
| Струм обмеження при КЗ (тип.) | 350 мА (Tj 25 °C, Vi 35 В) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Мікросхема 74HC595D ( HC595AG ) оригінал, so-16
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 8-бітний зсувний регістр із регістром-защіпкою і 3-state виходами |
| Напруга живлення Vcc | 2,0–6,0 В |
| Частота тактів (мін.) при Vcc = 4,5 В | 30 МГц, 25 °C |
| Частота тактів (мін.) при Vcc = 6 В | 35 МГц, 25 °C |
| VOH (мін.), виходи Qn | 3,84 В при IO = -6 мА, Vcc = 4,5 В, 25 °C |
| Ptot (SO16) | 500 мВт |
| Робочий діапазон температур | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 74HC573D , smd
В наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Вісім прозорих D-защіпок з 3-state виходами |
| Напруга живлення Vcc | 2–6 В |
| Затримка поширення (тип.) | 21 нс |
| Струм споживання Icc (макс.) | 80 мкА |
| Вихідний струм | ±6 мА при Vcc = 5 В |
| Корпус | SO-20 |
| Кількість виводів | 20 |
Мікросхема 74HC4066N ( SN74HC4066N ) оригінал, DIP14
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Чотириканальний двобічний аналоговий ключ |
| Напруга живлення Vcc | 1–6 В |
| Амплітуда сигналу | до 6 В (пік) |
| Опір ключа ron (тип.) | 50 Ом при Vcc = 6 В |
| Час вмикання (тип.) | 18 нс |
| Струм споживання Icc (макс.) | 20 мкА |
| Корпус | DIP14 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 74HC4052M ( 74HC4052D ) , so-16
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Здвоєний 4-канальний аналоговий мультиплексор (2 × SP4T) |
| Напруга живлення VCC | 2,0–10,0 В |
| RON (тип.) | 80 Ом при VCC – VEE = 4,5 В; 70 Ом при 6,0 В; 60 Ом при 9,0 В |
| Діапазон аналогового сигналу | -5…+5 В при VEE = -5 В |
| Струм ключа ISW | ±25 мА (абс. макс.) |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Число виводів | 16 |
Мікросхема 74HC164N , DIP14
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | 8-бітний зсувний регістр |
| Напруга живлення VCC | 2–6 В |
| Макс. частота тактів fMAX | 30 МГц мін., VCC 4,5 В, 25 °C |
| Затримка CLK до Q | 34 нс макс., VCC 4,5 В, 25 °C (тип. 14 нс при VCC 5 В, CL 15 пФ) |
| Температура зберігання | -65…150 °C |
| Корпус | DIP14 |
| Число виводів | 14 |
Мікросхема 74HC164 , smd
В наявності
15,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | 8-бітний зсувний регістр |
| Напруга живлення VCC | 2,0–6,0 В |
| Макс. частота тактів fmax | 30 МГц (тип. 71), VCC 4,5 В, 25 °C |
| Затримка CP до Qn | 34 нс макс. (тип. 15), VCC 4,5 В, 25 °C, CL 50 пФ |
| Струм споживання ICC | 8 мкА макс., 25 °C |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-14 |
| Число виводів | 14 |
Мікросхема 74HC14N ( SN74HC14N ) , DIP
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | шість інверторів з тригером Шмітта на входах |
| Напруга живлення VCC | 2…6 В |
| Напруга живлення VCC (гранично допустима) | -0,5…7 В |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Затримка tpd, VCC = 4,5 В | 12 нс тип., 25 нс макс. (TA = 25 °C) |
| Струм споживання ICC | 2 мкА макс. (VCC = 6 В, TA = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ci | 3 пФ тип., 10 пФ макс. (VCC = 5 В) |
| Навантажувальна здатність | до 10 входів LSTTL |
| Корпус | DIP14 |
| Корпус (докладно) | PDIP (N), 14 виводів |
Мікросхема 74HC14D ( HC14 , 74HC14 , 74HC14A ) , smd
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | шість інверторів з тригером Шмітта на входах |
| Напруга живлення VCC | 2,0…6,0 В |
| Напруга живлення VCC (гранично допустима) | -0,5…+7 В |
| Температура навколишнього середовища | -40…+125 °C (також нормовано -40…+85 °C) |
| Розсіювана потужність Ptot | 500 мВт, SO14 |
| Затримка tpd, VCC = 4,5 В | 15 нс тип., 25 нс макс. (CL = 50 пФ, Tamb = 25 °C) |
| Гістерезис VH, VCC = 4,5 В | 0,4 мін. / 0,98 тип. / 1,4 макс. В (Tamb = 25 °C) |
| Корпус | SO-14 |
Мікросхема 4093BT ( HEF4093BT , HCF4093 , 4093BM ) , so-14
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | чотири елементи 2І-НЕ з тригером Шмітта на входах |
| Напруга живлення VDD (рекомендована) | 3…15 В |
| Напруга живлення VDD (гранично допустима) | -0,5…+18 В, відносно VSS = 0 В |
| Температура навколишнього середовища | -40…+125 °C |
| Розсіювана потужність Ptot | 500 мВт при Tamb = -40…+125 °C, SO14 |
| Затримка tPHL, VDD = 5 В | 90 нс тип., 185 нс макс. (CL = 50 пФ, Tamb = 25 °C) |
| Корпус | SO-14 |
Мікросхема 4093 ( CD4093BE , HCF4093BE )
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | CMOS, 4 елементи 2І-НЕ з тригером Шмітта |
| Напруга живлення VDD | 3…18 В |
| Гістерезис (тип.) | 0,9 В (VDD = 5 В); 2,3 В (VDD = 10 В) |
| Корпус | DIP14 |
| Корпус (докладно) | PDIP (N) 14 |
| Кількість виводів | 14 |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема 4027BE ( CD4027BE )
В наявності
21,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | CMOS, здвоєний JK-тригер |
| Напруга живлення VDD | 3…18 В |
| Макс. тактова частота (тип.) | 7 / 16 / 24 МГц при VDD = 5 / 10 / 15 В, TA = 25 °C |
| Затримка такт – Q (тип.) | 150 / 65 / 45 нс при VDD = 5 / 10 / 15 В, TA = 25 °C |
| Запас завадостійкості | 1 / 2 / 2,5 В при VDD = 5 / 10 / 15 В |
| Корпус | DIP16 |
| Корпус (докладно) | PDIP (N) 16 |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема 4024BE
В наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | CMOS, двійковий лічильник |
| Кількість розрядів | 7 |
| Корпус | DIP14 |
| Корпус (докладно) | PDIP (N) 14 |
| Кількість виводів | 14 |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема 4020BE ( CD4020BE ) , DIP16
В наявності
22,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 14-розрядний асинхронний двійковий лічильник/дільник CMOS |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга живлення VDD | 3–18 В |
| Макс. напруга живлення VDD | -0,5…+20 В (відносно VSS) |
| Макс. частота вхідних імпульсів | 3,5 / 8 / 12 МГц (VDD 5 / 10 / 15 В, TA 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 500 мВт (TA -55…+100 °C) |
| Макс. вхідний струм | 1 мкА (VDD 18 В, у всьому діапазоні температур) |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
Мікросхема 4013M ( HCF4013 ) smd
В наявності
7,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний D-тригер CMOS з асинхронними входами Set/Reset |
| Корпус | smd |
| Напруга живлення VDD | 3–18 В (рекомендовані умови) |
| Макс. напруга живлення VDD | 20 В (абсолютний максимум, відносно VSS) |
| Частота перемикання (Toggle Rate) | 16 МГц (VDD 10 В, типове значення) |
| Макс. вхідний струм | 1 мкА (VDD 18 В, у всьому діапазоні температур) |
| Затримка такт – Q | 65 нс тип. / 130 нс макс. (VDD 10 В) |
Мікросхема 4013BE ( CD4013BE , CD4013BP , HCF4013BE ) , DIP14
В наявності
17,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний D-тригер CMOS з асинхронними входами Set/Reset |
| Корпус | DIP14 |
| Напруга живлення VDD | 3–18 В (рекомендовані умови) |
| Макс. напруга живлення VDD | 20 В (абсолютний максимум, відносно VSS) |
| Частота перемикання (Toggle Rate) | 16 МГц (VDD 10 В, типове значення) |
| Макс. вхідний струм | 1 мкА (VDD 18 В, у всьому діапазоні температур) |
| Затримка такт – Q | 65 нс тип. / 130 нс макс. (VDD 10 В) |
| Робоча температура | -55…125 °C |
Мікросхема 4011BE ( CD4011BE , HCF4011BE , 4011BP , К561ЛА7 ) , DIP
В наявності
17,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Функція | 4 елементи 2І-НІ (Quad 2-Input NAND) |
| Виробник (за datasheet) | Texas Instruments |
| Корпус | DIP14 |
| Кількість виводів | 14 |
| Напруга живлення VDD | 3…18 В |
| Гранична напруга VDD | -0,5…+20 В відносно Vss |
| Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В) | 60 нс |
| Розсіювана потужність PD | 500 мВт (TA = -55…+100 °C) |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
Мікросхема 40106 ( HEF40106BT , CD40106 , HCF40106 ) оригінал, so-14
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Функція | 6 інверторів з тригером Шмітта на входах |
| Виробник (за datasheet) | Nexperia |
| Корпус | SO-14 |
| Корпус (докладно) | SO14 (SOT108-1), 14 виводів, ширина 3,9 мм |
| Напруга живлення VDD | 3…15 В |
| Гранична напруга VDD | -0,5…+18 В |
| Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В) | 35 нс |
| Струм спокою IDD (макс., VDD = 5 В) | 0,25 мкА |
| Повна розсіювана потужність Ptot | 500 мВт |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 4001BE ( CD4001BE ) , DIP14
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Функція | 4 елементи 2АБО-НІ (Quad 2-Input NOR) |
| Виробник (за datasheet) | Texas Instruments |
| Корпус | DIP14 |
| Кількість виводів | 14 |
| Напруга живлення VDD | 3…18 В |
| Гранична напруга VDD | -0,5…+20 В відносно Vss |
| Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В) | 60 нс |
| Розсіювана потужність PD | 500 мВт (TA = -55…+100 °C) |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
Мікросхема 25X40 ( W25X40CLSIG , W25X40CLSNIG , W25X40BVSIG , 25X40VSIG ) , smd 8pin
В наявності
43,24 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 4 Мбіт |
| Інтерфейс | SPI (Standard / Dual Output / Dual I/O) |
| Напруга живлення | 2,3–3,6 В |
| Макс. частота SPI | 104 МГц |
| Струм у робочому режимі | 1 мА (typ.) |
| Струм у режимі Power-down | <1 мкА (typ.) |
| Робочий діапазон температур | –40…+85 °C (industrial) |
| Цикли стирання/запису | 100 000 (більше) |
| Зберігання даних | 20 років (більше) |
| Корпус | SOIC-8 208 mil |
Мікросхема 25X10 ( W25X10BVNIG ) , smd 8pin
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 1 Мбіт |
| Інтерфейс | SPI (Standard / Dual Output) |
| Напруга живлення | 2,7–3,6 В |
| Макс. частота SPI | 75 МГц |
| Струм у робочому режимі | 5 мА (typ.) |
| Струм у режимі Power-down | 1 мкА (typ.) |
| Робочий діапазон температур | –40…+85 °C |
| Цикли стирання/запису | 100 000 (мінімум) |
| Зберігання даних | 20 років |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема 25Q80 , smd 8pin
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 8 Мбіт |
| Інтерфейс | SPI (Standard / Dual / Quad) |
| Напруга живлення | 2,7–3,6 В |
| Макс. частота SPI | 80 МГц |
| Струм у режимі Power-down | <1 мкА (typ.) |
| Робочий діапазон температур | –40…+85 °C (industrial) |
| Цикли стирання/запису | 100 000 (мінімум) |
| Зберігання даних | 20 років |
| Корпус | SOIC-8 208 mil |
Мікросхема 25Q64 , smd 8pin
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 64 Mbit (67108864 біт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Частота SPI | 133 МГц |
| Ресурс циклів стирання/запису | 100000 циклів (мінімум, на сектор) |
| Зберігання даних | понад 20 років |
| Струм Power-down | <1 мкА (типове значення) |
| Розмір сектора | 4 КБ |
| Інтерфейс | SPI / Dual SPI / Quad SPI |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 або -40…+105 °C (залежно від виконання) |
| Корпус | smd 8 pin |
Мікросхема 25Q32 оригінал( 25Q32JVSIQ , W25Q32JVSIQ , W25Q32JVSSIQ )(заміна для W25Q32BVSSIG , 25Q32BVSIG , W25Q32FVSSIG , 25Q32FVSIG , 25Q32VSIG , W25Q32VSSIG ) , SOIC 208-MIL виробник Winbond
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 32 Mbit (33554432 біт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Частота SPI | 133 МГц |
| Ресурс циклів стирання/запису | 100000 циклів (мінімум, на сектор) |
| Зберігання даних | понад 20 років |
| Струм Power-down | <1 мкА (типове значення) |
| Розмір сектора | 4 КБ |
| Інтерфейс | SPI / Dual SPI / Quad SPI |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 або -40…+105 °C (залежно від виконання) |
| Корпус | SOIC-8 208 mil |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 25Q32 ( EN25Q32B-104HIP ) оригінал, smd 8pin виробник cFeon
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Eon Silicon Solution (cFeon) |
| Тип | Послідовна флеш-пам’ять SPI (Standard, Dual, Quad) |
| Корпус | smd 8 pin |
| Обсяг пам'яті | 32 Мбіт (4096 Кбайт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Тактова частота | 104 МГц (1 біт), 80 МГц (2 біти), 50 МГц (4 біти) |
| Струм в активному режимі | 12 мА (тип.) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Ресурс | 100 тис. циклів запису/стирання |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 25Q16 оригінал ( 25Q16JVSIQ , W25Q16JVSIQ , W25Q16JVSSIQ )(заміна для W25Q16BVSSIG , 25Q16BVSIG , W25Q16FVSSIG , 25Q16FVSIG , 25Q16VSIG , W25Q16VSSIG ) , SOIC 208-MIL виробник Winbond
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NOR Flash, послідовний SPI (Dual SPI, Quad SPI) |
| Обсяг пам'яті | 16 Мбіт (2M x 8) |
| Напруга живлення | 3 / 3,3 В |
| Корпус | SO-8 |
| Ширина корпусу | 208-mil |
| Виробник | Winbond |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 25Q128 оригінал( 25Q128JVSQ , W25Q128JVSSIQ , 25Q128JVSIQ , W25Q128JVSIQ )(заміна для W25Q128BVSSIG , 25Q128BVSIG , W25Q128FVSSIG , 25Q128FVSIG , 25Q128VSIG , W25Q128VSSIG ) , SOIC 208-MIL виробник Winbond
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 128 Мбіт / 16 МБ |
| Інтерфейс | Standard / Dual / Quad SPI |
| Тактова частота | 133 МГц |
| Напруга живлення | 2,7–3,6 В |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Цикли стирання/запису | 100000 (мін.) на сектор |
| Збереження даних | понад 20 років |
| Корпус | SOIC-8 208 mil |
| Стан | Оригінал |