Магазин
Мікросхема DS1307Z , smd
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vcc | 4.5–5.5 В |
| Напруга резервної батареї Vbat | 2.0–3.5 В |
| Струм у режимі резервного живлення | менше 500 нА (генератор працює) |
| Інтерфейс | двопровідний послідовний (I2C) |
| Пам'ять RAM з батарейним живленням | 56 байт |
| Кварцовий резонатор | 32.768 кГц (зовнішній) |
| Температурний діапазон (комерційний) | 0…+70 °C |
| Температурний діапазон (промисловий) | -40…+85 °C |
Мікросхема DS1307 , DIP8
В наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення Vcc | 4.5–5.5 В |
| Напруга резервної батареї Vbat | 2.0–3.5 В |
| Струм у режимі резервного живлення | менше 500 нА (генератор працює) |
| Інтерфейс | двопровідний послідовний (I2C) |
| Пам'ять RAM з батарейним живленням | 56 байт |
| Кварцовий резонатор | 32.768 кГц (зовнішній) |
| Температурний діапазон (комерційний) | 0…+70 °C |
| Температурний діапазон (промисловий) | -40…+85 °C |
Мікросхема DM0565R оригінал,TO220-6 ( заміна для GM0565R )
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO220-6 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Rds(on) | 1.76 Ом тип., 2.2 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2.5 А) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 11 А (Tc 25 °C) |
| Частота перемикання | 66 кГц (60–72 кГц), Vfb 3 В |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (75–85 %) |
| Обмеження піку струму | 2.25 А (2.0–2.5 А), Vfb 5 В, Vcc 14 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В |
| Пороги Vcc запуск / зупинка | 12 / 8 В |
| Розсіювана потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C, з радіатором) |
| Потужність в адаптері | 60 Вт (закритий, 230 В AC ±15 %, 50 °C); 70 Вт у відкритій конструкції |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема DM0365R , DIP8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В |
| Rds(on) | 3.6 Ом тип., 4.5 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0.5 А, 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 12.0 А |
| Частота перемикання | 67 кГц (61–73 кГц), 25 °C |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % (71–83 %) |
| Обмеження піку струму Ilim | 2.15 А (1.89–2.41 А) |
| Старт живлення Vcc | 12 В |
| Розсіювана потужність Pd | 1.56 Вт |
| Потужність в адаптері | 19 Вт (закритий, 230 В AC ±15 %, 50 °C); 30 Вт у відкритій конструкції |
Мікросхема DL0165R , DIP8
В наявності
52,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стік–витік BVDSS | 650 В (VGS=0 В, ID=50 мкА, Ta 25 °C, мін.) |
| Опір RDS(on) | 8.0 Ом тип., 10.0 Ом макс. (VGS=10 В, ID=0.5 А, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку IDM | 4.0 А |
| Частота перетворення | 50 кГц (45–55) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 77 % (71–83) |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 1.25 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема DK3113 , DIP8
В наявності
43,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Dongke Semiconductor Co., Ltd. |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга AC | 85–265 В |
| Макс. вихідна потужність | 15 Вт (вхід AC 85–265 В) |
| Напруга вбудованого силового ключа | 700 В |
| Допустима напруга ключа | 730 В (граничне значення) |
| Струм силового ключа | 1.5 А (граничне значення) |
| Робоча напруга Vcc | 4–6 В |
| Частота перемикання | 65 кГц |
Мікросхема DK124T ( DK124 ) оригінал ( заміна для CSC7224 ) , DIP8
В наявності
33,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Anhui Dongke Semiconductor Co., Ltd |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі | 90–265 В AC |
| Пробивна напруга вбудованого транзистора | 700 В (Ioc 1 мА, мін.) |
| Частота ШІМ | 65 кГц (VCC 5 В, Fb 1.5–2.5 В) |
| Типова вихідна потужність | 18 Вт (вхід 90–265 В AC, тест при 45 °C) |
| Піковий струм (макс.) | 1300 мА |
| Потужність розсіювання Pd | 1000 мВт |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 8 В |
| Робоча температура корпусу | -25…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема DK1203 , DIP8
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | AC-DC контролер flyback зі вбудованим транзистором |
| Виробник | Dongke Semiconductor (Anhui) Co., Ltd |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі | 85–264 В AC |
| Пробивна напруга транзистора (Ioc 1 мА, мін.) | 700 В |
| Частота ШІМ | 65 кГц |
| Вихідна потужність (вхід 85–264 В AC, 45 °C) | 12 Вт |
| Вихідна потужність, друга версія | 15 Вт |
| Піковий струм (макс.) | 800 мА |
| Струм захисту за піком (типово) | 720 мА |
| Pd | 1000 мВт |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 8 В |
| Робоча температура | -25…125 °C |
Мікросхема DK112 , DIP8 ( Заміна для DK106 )
В наявності
33,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер зі вбудованим BJT |
| Виробник | Shenzhen Dongke Semiconductor Co., Ltd |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Частота генератора | 65 кГц |
| Вихідна потужність (макс., вхід 85–264 В AC) | 12 Вт |
| Вихідна потужність (макс., вхід 85–145 В AC або 180–264 В AC) | 18 Вт |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 9 В |
| Напруга колектор–земля (макс.) | 780 В |
| Піковий струм (макс.) | 800 мА |
| Pd | 1000 мВт |
| Споживання в режимі очікування | <0.3 Вт |
Мікросхема DH0265R , DIP8
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Fairchild (onsemi) |
| Напруга Drain / Vstr (макс.) | 650 В, Ta 25 °C |
| Імпульсний струм стоку | 8.0 А, Ta 25 °C |
| Rds(on) | 5.0 Ом (тип.), 6.0 Ом (макс.), Vgs 10 В, Id 0,5 А |
| Частота перетворення | 92 / 100 / 108 кГц (мін. / тип. / макс.) |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 20 В, Ta 25 °C |
| Поріг UVLO (запуск) | 12 В |
| Розсіювана потужність | 1.56 Вт, Ta 25 °C |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
Мікросхема DAP018A , so-14
В наявності
68,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-14 |
| Корпус (докладно) | SOIC-14 (D suffix, CASE 751A) |
| Частота перетворення | 65 кГц (версія A) |
| Мін. частота при малому навантаженні | 25 кГц |
| Макс. напруга живлення VCC | 28 В |
| Макс. напруга на виводі HV (14) | 500 В |
| VCC увімкнення | 15 В (14–16 В, TJ 25 °C) |
| Піковий струм драйвера, джерело | 500 мА (VDRV = 10,5 В) |
| Піковий струм драйвера, стік | 800 мА (VDRV = 0 В) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–повітря | 120 °C/Вт |
Мікросхема DS18B20 ( 18B20 ) DALLAS , to-92 (із старих запасів ,працюють і у двопровідній, і у трипровідній схемі )
В наявності
109,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | цифровий термометр, інтерфейс 1-Wire |
| Напруга живлення VDD | 3.0–5.5 В |
| Діапазон вимірюваних температур | -55…+125 °C |
| Похибка (-10…+85 °C) | ±0,5 °C |
| Похибка (-55…+125 °C) | ±2 °C |
| Роздільна здатність | 9–12 біт, за замовчуванням 12 біт |
| Час перетворення (12 біт, макс.) | 750 мс |
| Унікальний код | 64 біти |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | Maxim Integrated (Dallas Semiconductor) |
Мікросхема D9329A ( BD9329A , BD9329 , D9329 ) , so-8
В наявності
72,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Вхідна напруга | 4,2–18 В (типово 12 В) |
| Макс. вхідна напруга VIN | 20 В (Absolute Maximum Ratings) |
| Вихідна напруга | 0,9 – (VIN × 0,7) В |
| Вихідний струм | 3,0 А (макс., безперервний) |
| Частота перемикання | 380 кГц (типово, фіксована) |
| Опір верхнього ключа | 0,15 Ом (типово, ISW −0,8 А, VIN 12 В, Ta 25 °C) |
| Опір нижнього ключа | 0,13 Ом (типово) |
| Робоча температура | −40…+85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
Мікросхема CXA3810M ( A3810M )
В наявності
352,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sony Semiconductor Solutions |
| Призначення | AC-DC контролер: PFC і резонансний |
| Режим PFC | критичний режим провідності |
| Корпус | SOP-24 |
| VCC, макс. | 24,0 В |
| VREF | 5,00 В (4,85–5,15 В) при VCC 10,5–18 В; Ta 27 °C |
| Vact (UVLO) | 11,0 В (10,2–11,8 В) при Ta 27 °C, VCC 12 В |
| Voff (UVLO) | 9,6 В (9,0–10,2 В) при Ta 27 °C, VCC 12 В |
| Струм споживання в роботі | 3,0 мА (макс. 3,5 мА) |
Транзистор NCE80H11 оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 105 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 80 А |
| Опір Rds(on) | 8 мОм макс., VGS = 10 В, ID = 40 А (типово 6,3 мОм) |
| Заряд затвора Qg | 125 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема CS8326S , so-16
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipstar |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга живлення (робочий діапазон) | 3,0–5,0 В |
| Вихід BOOST (PVDD) | 7,5 В |
| Вихідна потужність (THD+N 10%, Vin 3,7 В, RL 4 Ом) | 7,0 Вт |
| Вихідна потужність (THD+N 1%, Vin 3,7 В, RL 4 Ом) | 5,5 Вт |
| ККД | 72 % |
| PSRR (на частоті 217 Гц) | не менше 70 дБ |
| Час запуску | 260 мс |
| Струм спокою | 10 мА |
| Струм у вимкненому стані | менше 0,1 мкА |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
Мікросхема CR6853T оригінал, DIP8
В наявності
40,42 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі (AC) | 90–264 В |
| Напруга живлення VDD (рекомендовані умови) | 10–30 В |
| Макс. напруга VDD (абсолютний максимум) | 40 В |
| Захист VDD від перенапруги | 34 В |
| Обмеження напруги GATE | 18 В |
| Частота ШІМ (рекомендовано; RI 100 кОм) | 30–150 кГц |
| Макс. вихідна потужність (рекомендовані умови) | 0–60 Вт |
| Робоча температура (рекомендовані умови) | -20…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема CR6848T демонтаж, DIP8
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chengdu Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VDD, макс. (абсолютний максимум) | 40 В |
| Напруга живлення VDD, рекомендована | 11–20 В |
| Вихідна потужність, рекомендована | 0–60 Вт |
| Частота ШІМ, рекомендована | 48–100 кГц |
| Струм запуску | близько 10 мкА |
| Робочий струм | близько 2 мА |
| Захист від перенапруги | 26.7 В |
| Обмеження напруги затвора | 16.5 В |
| Потужність розсіювання (абсолютний максимум) | 300 мВт |
| Робоча температура навколишнього середовища | -20…85 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |