Магазин
Мікросхема IRU1075CT (Uвх=7Vmax,Uвих=1.25-5,5V,I=7.5A) , TO220
В наявності
23,03 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідний струм | 7,5 А (мінімум, гарантована здатність) |
| Опорна напруга Vref | 1,250 В (1,238–1,275 В) при Io = 10 мА, Tj 25 °C, (Vin-Vo) = 1,5 В |
| Макс. вхідна напруга Vin | 7 В (абсолютний максимум) |
| Падіння напруги (dropout) | до 1,2 В (тип. 1,1 В) при повному струмі навантаження |
| Робоча температура переходу | 0…150 °C |
| Тепловий опір TO-220 | θJT 2,7 / θJA 60 °C/Вт |
| Захист | обмеження струму, тепловий захист |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | International Rectifier |
Мікросхема IRS2186 ( S2186 ) оригінал , so-8
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга плаваючого каналу VOFFSET | 600 В |
| Вихідний струм (джерело / стік) | 4 / 4 А |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В |
| Затримка вмикання / вимикання (typ) | 170 / 170 нс (VBIAS = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25 °C, VS = 0 В) |
| Час наростання / спаду (typ) | 22 / 18 нс |
| Логіка входів | 3,3 В та 5 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IRS21851 ( S21851 ) , so-8
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга плаваючого каналу VOFFSET | 600 В (макс.) |
| Макс. напруга VB | 620 В (абсолютний максимум) |
| Вихідний струм IO+/IO- | 4 / 4 А (імпульсний, PW до 10 мкс) |
| Напруга живлення драйвера | 10–20 В |
| Затримка вмикання / вимикання | 160 / 160 нс (тип.; VCC = VB-VS = 15 В, CL 1000 пФ, TA 25 °C) |
| Час наростання / спаду | 15 / 15 нс (тип.; CL 1000 пФ, TA 25 °C) |
| Поріг UVLO VCC (зростання) | 8,9 В (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C (рекомендовані умови) |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | International Rectifier |
Транзистор STB10NK60Z ( B10NK60Z )(600V,10A) , D2PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор–витік |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 10 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 5,7 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,00–4,50 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл типово (VDD = 480 В, ID = 8 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 115 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | D2PAK |
Мікросхема IR4427S оригінал, so-8
В наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | SO-8 |
| Тип | Dual low side driver, виходи у фазі зі входами |
| Струм виходу IO+/- | 1.5 / 1.5 А |
| Напруга живлення VS / VOUT | 6–20 В |
| Абсолютний максимум VS | 25 В |
| Затримка вмикання / вимикання (typ) | 85 / 65 нс |
| Вхід лог. 1 (min) | 2.7 В |
| Вхід лог. 0 (max) | 0.8 В |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR2184S , so-8
В наявності
101,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | SO-8 |
| Робоча напруга плаваючого каналу | 600 В |
| Абсолютний максимум VB | 625 В |
| Напруга живлення драйвера | 10–20 В |
| Струм виходу (втікає/витікає) | 1.4 / 1.8 А |
| Мертвий час | внутрішній 500 нс |
| Затримка вмикання / вимикання (typ) | 680 / 270 нс |
| Час наростання (typ / max) | 40 / 60 нс |
| Час спаду (typ / max) | 20 / 35 нс |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура середовища | -40…125 °C |
Мікросхема IR2156S оригінал, so-14
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер баласту та драйвер напівмоста в одній мікросхемі |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Кількість виводів | 14 |
| Напруга VS (робоча, макс.) | 600 В |
| Напруга VB (абсолютний максимум) | 625 В |
| Поріг вмикання VCC (тип., TA 25 °C) | 11,5 В |
| Поріг вимикання VCC (тип., TA 25 °C) | 9,5 В |
| Частота RUN (тип., RT 40 кОм, CT 470 пФ, TA 25 °C) | 40 кГц |
| Частота прогріву PH (тип., RPH 100 кОм, TA 25 °C) | 55 кГц |
| Мертвий час LO і HO (тип., CT 470 пФ, TA 25 °C) | 2,0 мкс |
| Поріг захисту CS (тип., TA 25 °C) | 1,25 В |
| Макс. температура переходу Tj (абсолютний максимум) | 150 °C |
| Корпус | SO-14 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR2156 оригінал, DIP14
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер баласту та драйвер напівмоста в одній мікросхемі |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Кількість виводів | 14 |
| Напруга VS (робоча, макс.) | 600 В |
| Напруга VB (абсолютний максимум) | 625 В |
| Поріг вмикання VCC (тип., TA 25 °C) | 11,5 В |
| Поріг вимикання VCC (тип., TA 25 °C) | 9,5 В |
| Частота RUN (тип., RT 40 кОм, CT 470 пФ, TA 25 °C) | 40 кГц |
| Частота прогріву PH (тип., RPH 100 кОм, TA 25 °C) | 55 кГц |
| Мертвий час LO і HO (тип., CT 470 пФ, TA 25 °C) | 2,0 мкс |
| Поріг захисту CS (тип., TA 25 °C) | 1,25 В |
| Макс. температура переходу Tj (абсолютний максимум) | 150 °C |
| Корпус | DIP14 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR2153S оригінал, so-8
В наявності
108,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга верхнього каналу Voffset | 600 В |
| Макс. напруга VB | 625 В |
| Напруга обмежувача на Vcc | 15.6 В (тип., Ivcc=5 мА, TA 25 °C) |
| Частота генератора | 20 кГц (тип., RT=36.9 кОм, CT=1 нФ, TA 25 °C) |
| Скважність | 50 % |
| Мертвий час | 1.2 мкс (тип.) |
| Tr/Tf | 80/40 нс (CL=1000 пФ) |
| UVLO Vcc наростання | 9.0 В (тип., TA 25 °C) |
| UVLO Vcc спад | 8.0 В (тип., TA 25 °C) |
| Гістерезис UVLO | 1.0 В (тип., TA 25 °C) |
| Діапазон Tj | -40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IR2153 оригінал , DIP8
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга верхнього каналу Voffset | 600 В |
| Макс. напруга VB | 625 В |
| Напруга обмежувача на Vcc | 15.6 В (тип., Ivcc=5 мА, TA 25 °C) |
| Частота генератора | 20 кГц (тип., RT=36.9 кОм, CT=1 нФ, TA 25 °C) |
| Скважність | 50 % |
| Мертвий час | 1.2 мкс (тип.) |
| Tr/Tf | 80/40 нс (CL=1000 пФ) |
| UVLO Vcc наростання | 9.0 В (тип., TA 25 °C) |
| UVLO Vcc спад | 8.0 В (тип., TA 25 °C) |
| Гістерезис UVLO | 1.0 В (тип., TA 25 °C) |
| Діапазон Tj | -40…125 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема IR2151 демонтаж , DIP8
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Напруга VOFFSET | 600 В (макс.) |
| Напруга VB | 625 В (абсолютний максимум) |
| Вихідний струм IO+/IO- | 100 / 210 мА |
| Напруга затвора VOUT | 10–20 В |
| Мертвий час | 1,2 мкс (тип.; VBIAS 12 В, CL 1000 пФ, TA 25 °C) |
| Частота генератора | 20 кГц (RT = 35,7 кОм, CT = 1 нФ, TA 25 °C) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема IR2125 , DIP8
В наявності
112,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Напруга плаваючого каналу VOFFSET | 500 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | 1 / 2 А |
| Напруга живлення драйвера VOUT | 12–18 В |
| Поріг датчика струму VCS (тип.) | 230 мВ |
| Затримка вмикання ton (тип.) | 170 нс (CL = 3300 пФ, TA = 25 °C) |
| Затримка вимикання toff (тип.) | 200 нс (CL = 3300 пФ, TA = 25 °C) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
Мікросхема IR2112S , so-16
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Напруга плаваючого каналу VOFFSET | 600 В |
| Вихідний струм IO- (тип.) | 500 мА |
| Напруга живлення драйвера VOUT | 10–20 В |
| Напруга логічного живлення VDD | 3,3–20 В |
| Затримка вмикання ton (тип.) | 125 нс (CL = 1000 пФ, TA = 25 °C) |
| Затримка вимикання toff (тип.) | 105 нс (CL = 1000 пФ, TA = 25 °C) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
Мікросхема IR2110S оригінал, so-16
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-16 |
| Напруга плаваючого каналу VOFFSET | 500 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | 2 / 2 А |
| Напруга живлення драйвера VOUT | 10–20 В |
| Напруга логічного живлення VDD | 3,3–20 В |
| Затримка вмикання ton (тип.) | 120 нс (CL = 1000 пФ, TA = 25 °C) |
| Затримка вимикання toff (тип.) | 94 нс (CL = 1000 пФ, TA = 25 °C) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IP5306 , so-8
В наявності
36,66 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Вхідна напруга VIN | 4,75–5,5 В (тип. 5 В) |
| Струм зарядки | 2,1 А (тип.) |
| Напруга заряду акумулятора | 4,2 В (тип.) |
| Вихідна напруга boost | 5 В |
| Вихідний струм boost | 2,1 А при VBAT 3,7 В |
| Частота перемикання | 500 кГц (тип.) |
| Робоча температура TA | 0…70 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Корпус (докладно) | SO-8 (у даташиті eSOP8) |
Мікросхема IP5108 ( IP5108E ) , so-16
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Макс. струм заряду | 2,1 А (IP5108) / 1 А (IP5108E) |
| ККД підвищувального перетворювача | до 95 % (вхід 3,7 В, вихід 5 В / 1 А: 94 %) |
| ККД заряду | до 96 % |
| Частота перетворювача | 650 кГц |
| Напруга заряду акумулятора | 4,2 В (±0,5 %) |
| Вхідна напруга VIN | 4,5–5,5 В |
| Робоча напруга акумулятора | 3,0–4,4 В |
| Опір PMOS | 50 мОм |
| Опір NMOS | 30 мОм |
| Струм очікування | 50 мкА (порожнє навантаження) |
| Робоча температура | 0–70 °C |
| Корпус | ESOP16L, 16 виводів |
Транзистор FHP150N06 оригінал(Заміна для CS150N06 ), TO220
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 150 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 95 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (VDS = 44 В, ID = 62 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4377 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 210 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3B1565J ( ICE3B1565 ) оригінал, DIP8
В наявності
116,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (абсолютний максимум, Tj = 110 °C) |
| V(BR)DSS | 600 В мінімум (Tj = 25 °C) |
| Rds(on) типове | 1,70 Ом (Tj = 25 °C, ID = 1,5 А) |
| Частота перетворення | 67 кГц (типове) |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,3 В |
| Максимальна VCC | 27 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність (230 В AC ±15 %) | 42 Вт (Ta = 75 °C, Tj = 125 °C, без мідного радіатора) |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3B0565 ( ICE3B0565J ) оригінал, DIP8
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму з MOSFET (CoolSET) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Rds(on) | 4,70 Ом при Tj 25 °C |
| Макс. вхідна потужність (230 В AC ±15 %) | 25 Вт |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. шпаруватість | 75 % |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,3 В |
| Макс. VCC | 27 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3B0365JG smd
В наявності
52,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму з MOSFET (CoolSET) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Rds(on) | 6,45 Ом при Tj 25 °C |
| Макс. вхідна потужність (230 В AC ±15 %) | 22 Вт |
| Макс. вхідна потужність (85–265 В AC) | 10 Вт |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. шпаруватість | 75 % |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,3 В |
| Макс. VCC | 27 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | PG-DSO-12 (smd) |
Мікросхема ICE3A2565 ( 3A2565 ) оригінал, DIP8
В наявності
119,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Корпус | DIP8 |
| Тип | ШІМ-контролер з вбудованим ключем CoolMOS |
| Напруга ключа | 650 В |
| Опір відкритого ключа | 0.65 Ом (тип., 25 °C) |
| Частота перемикання | 100 кГц (тип.) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 72 % |
| Вхідна потужність | 68 Вт (230 В AC), 33 Вт (85–265 В AC) |
| Поріг увімкнення / вимкнення VCC | 15.0 / 8.5 В (тип.) |
| Струм споживання | 8.1 мА (тип.) |
| Позначення | ICE3A2565 (3A2565) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3A1065ELJ ( 3A1065ELJ , ICE3A1065LJ , ICE3A1065L ) оригінал, DIP8
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolSET-F3 |
| Корпус | DIP8 |
| Маркування | 3A1065ELJ |
| Напруга стік-витік Vds (макс.) | 650 В при Tj 110 °C |
| Rds(on), тип. | 2.95 Ом при Tj 25 °C |
| Імпульсний струм стоку | 3.4 А (Tj 150 °C) |
| Частота перетворення | 100 кГц з частотним джитером |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % |
| Напруга живлення VCC (абс. макс.) | 27 В |
| Поріг вимикання VCC | 10.5 В |
| Макс. вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 32 Вт |
| Макс. вихідна потужність, 85–265 В AC | 16 Вт |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2QS02G ( 2QS02G ) оригінал, so-8
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | SO-8 |
| Маркування | 2QS02G |
| Тип | квазірезонансний ШІМ-контролер без вбудованого ключа |
| Напруга живлення VCC (абс. макс.) | 27 В |
| VCC, робочий діапазон (макс.) | 25 В |
| Поріг вмикання VCC | 12.0 В тип. (діапазон 11.3–12.7 В) |
| Напруга виводу GATE (абс. макс.) | 10.0 В |
| Час наростання GATE | 70 нс тип. (COUT 2.2 нФ) |
| Час спаду GATE | 30 нс тип. (COUT 2.2 нФ) |
| Макс. період комутації | 50 мкс тип. (діапазон 42–57 мкс) |
| Температура переходу Tj | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2QR2280Z оригінал ( 2QR2280Z ) , DIP7
В наявності
215,26 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolSET-Q1 |
| Корпус | DIP7 |
| Маркування | 2QR2280Z |
| Напруга стік-витік Vds (макс.) | 800 В при Tj 25 °C |
| Rds(on), тип. | 2.26 Ом при Tj 25 °C (макс. 2.62 Ом) |
| Імпульсний струм стоку | 4.9 А (тривалість обмежена Tj max) |
| Напруга живлення VCC (абс. макс.) | 27 В |
| Поріг захисту від перенапруги VCC | 25.0 В тип. (діапазон 24.0–26.0 В) |
| Частота в режимі Active Burst | 52 кГц тип. (діапазон 39–65 кГц) |
| Макс. вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 54 Вт |
| Макс. вихідна потужність, 85–265 В AC | 31 Вт |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2QR0665 ( 2QR0665 , ICE2QR0665J ) оригінал, DIP8
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Квазірезонансний ШІМ-контролер з MOSFET (CoolSET) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Rds(on) | 0,65 Ом при Tj 25 °C, ID 2,5 А |
| Макс. вхідна потужність (230 В AC ±15 %) | 88 Вт |
| Макс. вхідна потужність (85–265 В AC) | 50 Вт |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,5 В |
| Макс. VCC | 27 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |