Магазин
Мікросхема MP3398A , TSSOP-16
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Корпус | TSSOP-16 |
| Кількість каналів | 4 |
| Макс. струм на ланцюжок | 350 мА |
| Вхідна напруга VIN | 5–28 В (рекомендований діапазон) |
| Точність вирівнювання струмів | 2,5 % |
| Димінг | аналоговий і ШІМ |
| Робоча температура переходу | від –40 до +125 °C |
Мікросхема MP3398A ( MP3398 ) , SOP-16
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість каналів | 4 |
| Макс. струм на ланцюжок | 350 мА |
| Вхідна напруга VIN | 5–28 В (рекомендований діапазон) |
| Точність вирівнювання струмів | 2,5 % |
| Димінг | аналоговий і ШІМ |
| Робоча температура переходу | від –40 до +125 °C |
Мікросхема MP3394S ( MP3394 ) , so-16
В наявності
43,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість каналів | 4 |
| Вхідна напруга | 5–28 В |
| Максимальний струм на канал | 200 мА |
| Частота перемикання | 570 кГц (ROSC 115 кОм) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
Мікросхема MP3389EYC ( MP3389EY ) , soic28
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Корпус | SOP-28 |
| Кількість каналів | 12 |
| Вхідна напруга | 4,5–28 В |
| Максимальний струм на канал | 60 мА |
| Частота перемикання | 590 кГц (ROSC 115 кОм) |
Мікросхема MP3389EF , tssop-28
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems (MPS) |
| Корпус | TSSOP28 |
| Кількість гілок світлодіодів | 12 |
| Макс. струм на гілку | 60 мА |
| Діапазон вхідної напруги | 5–28 В |
| Точність вирівнювання струмів гілок | 2,5 % |
| Напруга регулювання на струмових джерелах | 550 мВ |
| Частота перемикання | програмується зовнішнім резистором |
| Димінг | зовнішній PWM або DC-вхід (burst PWM) |
| Температура переходу | -40…+125 °C |
| Макс. розсіювана потужність | 3,9 Вт (TSSOP28) |
Мікросхема MP3378E , tssop-28
В наявності
77,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems (MPS) |
| Корпус | TSSOP-28 EP |
| Кількість каналів WLED | 4 |
| Макс. струм гілки WLED | 350 мА |
| Робоча напруга VIN1, VIN2 | 5–24 В |
| Точність вирівнювання струмів гілок | 2,5 % |
| Rds(on) верхнього ключа buck | 144 мОм (VBST-SW = 5 В) |
| Rds(on) нижнього ключа buck | 80 мОм (VBST-SW = 5 В) |
| Частота перемикання buck | 235 кГц (190–280), VFB = 750 мВ |
| Струмове обмеження buck | 6 А (4,8–7,2), коефіцієнт заповнення 40 % |
| Температура переходу | -40…+125 °C |
| Макс. розсіювана потужність | 3,9 Вт (TSSOP-28 EP) |
Мікросхема MP2A5060
В наявності
263,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга Vds (Q1 і Q2) | 500 В |
| Опір Rds(on) (Q1 і Q2) | 0,6 Ом (кожен з двох MOSFET) |
| Напруга запуску VCC(ON) | 15,5–17,5 В |
| Напруга відключення VCCL(OFF) | 8–10 В |
Мікросхема MP2482DN , so-8
В наявності
120,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Тип | монолітний понижувальний імпульсний перетворювач |
| Вхідна напруга (робоча) | 4,5–30 В |
| Вхідна напруга макс. | 32 В |
| Вихідний струм | 5 А безперервний |
| Частота перемикання | 420 кГц (VIN 12 В, VFB 0,6 В, TA 25 °C) |
| RDS(on) | 50 мОм (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Корпус | ESOP-8 |
Мікросхема MP2467DN , so-8
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Тип | понижувальний імпульсний регулятор |
| Вхідна напруга (робоча) | 6–36 В |
| Вхідна напруга макс. | 40 В |
| Вихідна напруга | 0,8–30 В |
| Вихідний струм | 2,5 А |
| Частота перемикання | 500 кГц (VIN 12 В, TA 25 °C) |
| RDS(on) верхнього ключа | 150 мОм (VBST–VSW 5 В, VIN 12 В, TA 25 °C) |
| Корпус | ESOP-8 |
Мікросхема MP2305DS , so-8
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Тип | синхронний понижувальний DC/DC перетворювач |
| Вхідна напруга (робоча) | 4,75–23 В |
| Вхідна напруга макс. | 26 В |
| Вихідний струм | 2 А безперервний |
| Вихідна напруга | 0,923–20 В |
| Опір ключів (кожного) | 130 мОм |
| Частота перетворення | 340 кГц |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MP1484EN , so-8 ( Заміна для RT8250 , RT8290A )
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | синхронний понижувальний DC/DC |
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Вхідна напруга | 4,75–18 В |
| Вхідна напруга макс. | 20 В (Absolute Maximum Ratings) |
| Вихідний струм | 3 А, безперервний |
| Вихідна напруга | 0,925–15 В, регульована |
| Опір ключів | 85 мОм (верхній і нижній MOSFET) |
| Частота перетворення | 340 кГц, фіксована |
| Тепловий опір перехід–середовище | 50 °C/Вт (SOIC8N з відкритою площадкою) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Корпус (докладно) | so-8 (SOIC8N, Exposed Pad) |
Мікросхема MP1482DS оригінал ( заміна для MP1482DN , VP2128 ) , so-8
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | синхронний понижувальний DC/DC |
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Вхідна напруга | 4,75–18 В |
| Вхідна напруга макс. | 20 В (Absolute Maximum Ratings) |
| Вихідний струм | 2 А, безперервний |
| Вихідна напруга | 0,923–15 В, регульована |
| Опір ключів | 130 мОм (верхній і нижній MOSFET) |
| Частота перетворення | 340 кГц, фіксована |
| Потужність розсіювання | 1,38 Вт (SOIC8) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 90 °C/Вт (SOIC8) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MP1471A ( MP1471AGJ , xAGMx ) , sot23-6
В наявності
31,02 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | синхронний понижувальний DC/DC |
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Вхідна напруга | 4,5–16 В |
| Вихідний струм | 3 А, безперервний |
| Опір верхнього ключа | 110 мОм (VBST-SW=5 В, VIN=12 В, TA=25 °C) |
| Опір нижнього ключа | 57 мОм (VCC=5 В, VIN=12 В, TA=25 °C) |
| Частота перетворення | 500 кГц (мін. 410, макс. 590; VFB=0,75 В) |
| Корпус | SOT23-6 |
Мікросхема MP1410ES , so-8 ( ZA3020LV )
В наявності
44,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Призначення | знижувальний DC/DC з вбудованим MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Вхідна напруга (робоча) | 4,75–15 В |
| Вхідна напруга макс. | 16 В |
| Вихідний струм | 2 А |
| Вихідна напруга | 1,22–13 В |
| Rds(on) верхнього ключа | 0,22 Ом (VEN=5 В, VIN=12 В, TA=25 °C) |
| Частота перетворення | 380 кГц |
| Обмеження струму | 2,95 А |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема MP1048EY , so-28
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Призначення | контролер інвертора до 6 ламп CCFL, повний міст |
| Корпус | SOP-28 |
| Вхідна напруга VPRR, VPRL (робоча) | 10–22 В |
| Макс. вхідна напруга | 24 В |
| Робоча частота | 20–100 кГц (тип. 60 кГц) |
| Макс. робоча частота | 150 кГц |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Розсіювана потужність | 0.6 Вт |
Мікросхема MP1038EY
В наявності
110,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Monolithic Power Systems |
| Призначення | контролер інвертора CCFL, повний міст |
| Корпус | SOP-28 |
| Вхідна напруга VPRR, VPRL (робоча) | 10–32 В |
| Макс. вхідна напруга | 35 В |
| Робоча частота | 20–100 кГц (тип. 60 кГц) |
| Макс. робоча частота | 150 кГц |
| Робоча температура | -20…85 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Розсіювана потужність | 0.6 Вт |
Транзистор 110N7F6 ( STP110N7F6 ) оригінал (68V,110A) , TO220
В наявності
69,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Серія | STripFET F6 |
| Напруга Vds | 68 В |
| Струм Id (25 °C) | 110 А |
| Струм Id (100 °C) | 80 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 0,0065 Ом (макс.), 0,0055 Ом (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 176 Вт |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MN1380R
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic (Matsushita) |
| Корпус | M type, 3 виводи |
| Тип виходу | КМОП |
| Напруга спрацювання (ранг R) | 4.0–4.3 В |
| Гістерезис | 100–300 мВ (ранги L–U) |
| Струм споживання | 1 мкА (тип.), 5 мкА (макс.) при VDD = 5 В |
| Напруга живлення VDD | 1.5–6.0 В (рекомендована) |
| Макс. напруга VDD | 7.0 В (абсолютний максимум) |
| Робоча температура | -20…70 °C |
| Температура зберігання | -55…125 °C |
Демонтаж
Мікросхема ML4824IP1 , DIP16
В наявності
138,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP16 |
| Частота ШІМ | fPWM = fPFC (версія -1) |
| Макс. частота ШІМ | 250 кГц |
| Опорна напруга VREF (pin 14) | 7.5 В |
| Піковий струм виходів PFC OUT і PWM OUT | 500 мА (абсолютний максимум) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | -40…85 °C |
Демонтаж
Мікросхема ML4800CS демонтаж, so-16
В наявності
86,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-16 |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Макс. напруга живлення VCC | 18 В (абсолютний максимум) |
| Струм запуску | 200 мкА типово, VCC = 12 В |
| Частота генератора | 76 кГц, TA = 25 °C, VCC = 15 В, RT = 52,3 кОм, CT = 470 пФ |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема MIX2018A ( MIX2018E ) , so-8
В наявності
25,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Mixinno |
| Потужність класу D | 5.0 Вт (VDD 5.0 В, RL 2 Ом, THD+N 10 %) |
| Потужність класу F | 4.9 Вт (VDD 5.0 В, RL 2 Ом, THD+N 10 %) |
| Напруга живлення VDD | 2.5–5.0 В |
| Макс. VDD | 5.25 В |
| ККД | до 90 % |
| Струм вимкнення | менше 1 мкА |
| Макс. Tj | 125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MIP414S оригінал ( MIP414 ) , DIP7
В наявності
187,53 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Макс. напруга стоку VD | 700 В |
| Пробивна напруга VDSS (мін.) | 700 В |
| Піковий струм стоку IDP | 2.4 А |
| Rds(on) | 4.9 Ом (тип.), 6.7 Ом (макс.) при VCC 15 В, ID 300 мА, VFB 3 В |
| Поріг ILIMIT (мін./тип./макс.) | 1.215 / 1.350 / 1.485 А |
| Макс. напруга VCC | 45 В |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MIP411 , DIP8
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Макс. напруга стоку VD | 700 В |
| Пробивна напруга VDSS (мін.) | 700 В |
| Піковий струм стоку IDP | 0.82 А |
| Rds(on) | 13.6 Ом (тип.), 16.6 Ом (макс.) при VCC 15 В, ID 100 мА, VFB 3 В |
| Поріг ILIMIT (мін./тип./макс.) | 0.405 / 0.450 / 0.495 А |
| Макс. напруга VCC | 45 В |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема MIP3E3SMY , TO220-3
В наявності
120,32 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Корпус | TO-220-A1 |
| Макс. напруга стоку VD | 700 В |
| Макс. струм стоку ID | 1.1 А |
| Піковий струм IDP | 1.7 А |
| Rds(on) | 6.0 Ом (тип.), 7.5 Ом (макс.) при ID 0.2 А, TC 25 °C ±3 °C |
| Поріг захисту ILIMIT | 0.9 / 1.0 / 1.1 А (мін./тип./макс.) |
| Частота fOSC | 100 кГц (90–110 кГц) |
| Макс. напруга керування VC | 8 В |
Мікросхема MIP2G4 , DIP
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Напруга стік–витік VDSS | 700 В |
| Поріг захисту ILIMIT | 1.0 А |
| ILIMIT min | 0.75 А |
| Частота fosc | 100 кГц |
| Вихідна потужність | до 20 Вт |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8-A1(CF) |
Мікросхема MIP2F5 , DIP
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга стік–витік VDSS | 700 В (VCC = 27 В, ID = 100 мкА) |
| Піковий струм IDP | 4.0 А |
| Струм захисту ILIMIT | 1.0 А |
| Rds(on) | 3.0 Ом (тип.), 3.8 Ом (макс.) при ID = 100 мА, Tc = 25 °C |
| Частота fOSC | 100 кГц |
| Живлення VCC (макс.) | 45 В |
Мікросхема MIP2F4 , DIP7
В наявності
48,88 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга VDSS | 700 В |
| Піковий струм IDP | 1.5 А |
| Струм захисту ILIMIT | 0.70 А |
| Rds(on) типове | 7 Ом |
| Частота fOSC | 100 кГц |
| Напруга живлення VCC | 45 В (макс.) |
Мікросхема MIP2F3 , DIP
В наявності
62,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга VDSS | 700 В |
| Піковий струм IDP | 1 А |
| Струм захисту ILIMIT | 0.50 А |
| Rds(on) типове | 10 Ом |
| Частота fOSC | 100 кГц |
| Напруга живлення VCC | 45 В (макс.) |
Мікросхема MIP2F2 , DIP7
В наявності
23,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга VDSS | 700 В |
| Піковий струм IDP | 0.65 А |
| Струм захисту ILIMIT | 0.350 А |
| Rds(on) типове | 20 Ом |
| Частота fOSC | 100 кГц |
| Напруга живлення VCC | 45 В (макс.) |
Мікросхема MIP2E4D , DIP7
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга на виводі Drain VD макс. | 700 В |
| Напруга на виводі Control VC макс. | 10 В |
| Вихідний струм ID макс. | 1.72 А |
| Вихідний піковий струм IDP макс. | 2.4 А |
| Частота генерації fOSC | 100 кГц (90–110) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 69 % (66–72) |
| Струм спрацювання захисту ILIMIT | 1.5 А (1.35–1.65) |
| Опір відкритого каналу RDS(ON) | 5.8 Ом (тип.), макс. 6.7 Ом |
| Температура каналу макс. | 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема MIP2C4 , DIP7
В наявності
81,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Напруга стік–джерело, макс. | 700 В |
| Струм стоку, макс. | 1200 мА |
| Напруга VCC, макс. | 45 В |
| Напруга VDD, макс. | 8 В |
| Частота генератора | 100 кГц (типово) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 47,5 % (типово) |
| Поріг захисту за струмом | 0,70 А (типово) |
| Опір відкритого каналу | 8,0 Ом (типово, ID = 100 мА) |
| Температурний захист | 140 °C (типово) |
| Корпус | DIP7 |
Демонтаж
Мікросхема MIP289 демонтаж, DIP7
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Напруга стік–джерело, макс. | 700 В |
| Струм стоку, макс. | 280 мА |
| Пиковий струм стоку, макс. | 420 мА |
| Частота генератора | 44 кГц (типово) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 68 % (типово) |
| Поріг захисту за струмом | 0,255 А (типово) |
| Опір відкритого каналу | 31,2 Ом (типово, ID = 25 мА) |
| Температурний захист | 140 °C (типово) |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема MCP602I-SN , so-8
В наявності
26,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip Technology |
| Кількість підсилювачів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення | 2.7–6.0 В |
| GBWP (типово, 25 °C) | 2.8 МГц |
| Швидкість наростання (типово, G=+1, 25 °C) | 2.3 В/мкс |
| Струм споживання на підсилювач (типово, IO=0, 25 °C) | 230 мкА |
| Діапазон температур (індустріальний) | –40…+85 °C |
Мікросхема MCP601-I/SN , so-8
В наявності
23,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip Technology |
| Кількість підсилювачів | 1 |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення | 2.7–6.0 В |
| GBWP (типово, 25 °C) | 2.8 МГц |
| Швидкість наростання (типово, G=+1, 25 °C) | 2.3 В/мкс |
| Струм споживання на підсилювач (типово, IO=0, 25 °C) | 230 мкА |
| Діапазон температур (індустріальний) | –40…+85 °C |
Мікросхема MCP3201-BI , smd
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip Technology |
| Тип | 12-бітний АЦП з інтерфейсом SPI |
| Розрядність | 12 біт |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга живлення VDD | 2,7–5,5 В |
| Макс. частота дискретизації | 100 тис. вибірок/с (VDD = VREF = 5 В) |
| Робочий струм IDD | 300 мкА (тип.), 400 мкА (макс.) при VDD = 5,0 В |
| Струм очікування IDDS | 0,5 мкА (тип.), 2 мкА (макс.) при CS = VDD = 5,0 В |
| DNL | ±1 МЗР (макс.) |
| INL | ±1 МЗР (макс.) |
| Діапазон температур | -40…+85 °C |
Мікросхема MC44608P75
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor (onsemi) |
| Тип | ШІМ-контролер імпульсного джерела живлення |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | PDIP-8, суфікс P, CASE 626 |
| Кількість виводів | 8 |
| Частота перемикання | 75 кГц |
| Макс. напруга живлення VCC | 16 В |
| Макс. струм живлення ICC | 30 мА |
| Макс. напруга на виводі Vi | 500 В |
| Рекомендована напруга на виводі Vi | 400 В |
| Розсіювана потужність Pd | 600 мВт при TA = 85 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |