Магазин

Показано 2001–2040 із 4000Сортовано за останнім

Показати 20 40 80

Мікросхема STRS6706

В наявності

163,56 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіSTRS6706
КатегоріяМікросхеми

Мікросхема STRS6308

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
НомерSTRS6308

Мікросхема STRS6307 оригінал

В наявності

108,10 ₴
ПараметрЗначення
Кількість виводів9 шт (нумерація виводів 1–9 на схемі IC601)
СтанОригінал

Мікросхема STRS5741 оригінал ( STRS5841 , STRS5941 )

В наявності

126,90 ₴
ПараметрЗначення
СтанОригінал

Мікросхема STRM6529 ( STR-M6529 ) оригінал

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Напруга Vds (макс.)800 В
Струм стоку, постійний5.4 А
Струм стоку, імпульс20 А (1 мс, одиночний)
Опір Rds(on)1.8 Ом (тип., макс. 2.2, VGS 10 В, ID 2.5 А)
Струм витоку FET300 мкА (макс., VDS 800 В)
Напруга живлення VIN (макс.)35 В
Вмикання VIN14.4–17.6 В (VIN зростає)
Вимикання UVLO9.0–11 В (VIN спадає)
Поріг OVP26–31 В
Час спаду250 нс (макс., VDD 250 В, ID 2.5 А, 10–90 % VDS)
Енергія лавини400 мДж (одиночний імпульс)
Ізоляція2000 В (RMS)
Tj макс. (FET)150 °C
Робоча температуравід -20 до +125 °C (Ta)
КорпусSIP overmolded (з ізольованим радіатором)
СтанОригінал

Мікросхема STRL472 оригінал

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Vdss900 В мін.
Rds(on)7,7 Ом макс.
КорпусSIP-10 (Sanken STA-10L)
Крок виводів2,54 мм
Висота над платою<12 мм
ЗахистиOCP – імпульс за імпульсом; OLP, TSD – з фіксацією
СтанОригінал

Мікросхема STRG9656

В наявності

85,54 ₴

Мікросхема STRG6653 оригінал

В наявності

101,99 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Напруга Vds (макс.)650 В (Ta 25 °C)
Пробивна напруга стік-витік650 В (мін., ID 300 мкА)
Струм стоку, постійний2.7 А (Ta 25 °C)
Струм стоку, імпульс7.2 А (tw ≤ 1 мс)
Опір Rds(on)1.9 Ом (макс., Vs 10 В, ID 0.9 А, Tj 25 °C)
Напруга живлення VIN (макс.)35 В (Ta 25 °C)
Вмикання VIN16 В (тип., 14.4–17.6, VIN зростає)
Вимикання UVLO10 В (тип., 9.0–11, VIN спадає)
Поріг OVP22.5 В (тип., 20.5–24.5, VIN зростає)
Енергія лавини158 мДж (одиночний імпульс)
Вихідна потужністьдо 120 Вт (за даними виробника)
Ізоляція2000 В (RMS)
Tj макс. (канал FET)150 °C
Робоча температуравід -20 до +125 °C (Ta)
КорпусTO-220 style, 5 виводів (overmolded, ізольований)
СтанОригінал

Мікросхема STRG6651

В наявності

75,20 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіSTRG6651
Позначення в назвіSTR-G6651
ВиробникSanken
Напруга Vds (макс.)650 В (Ta 25 °C)
Струм стоку, постійний2.7 А (Ta 25 °C)
Струм стоку, імпульс7.2 А (tw ≤ 1 мс)
Опір Rds(on)3.95 Ом макс. (Vs 10 В, ID 0.9 А, Tj 25 °C)
Напруга живлення VIN (макс.)35 В (Ta 25 °C)
Вихідна потужністьдо 66 Вт (за даними виробника)
Ізоляція2000 В RMS
Tj макс. (канал FET)150 °C
Робоча температуравід -20 до +125 °C (Ta)
КорпусTO-220 style, 5 виводів, ізольований

Мікросхема STRG6351 оригінал демонтаж

В наявності

84,13 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Vdss650 В мін. (Id 300 мкА, Ta 25 °C)
Rds(on)3,95 Ом макс. (V3-2 10 В, Id 0,6 А)
Id(max)2,7 А
Id(peak)6,8 А
Vin(on)17,6 В тип.
Vin(off)10,1 В тип.
Vin(ovp)25,5 В тип.
Tj(tsd)135 °C мін.
Корпус5 виводів, пластиковий (transfer mold)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема STRG5653 ( STR-G5653 ) оригінал демонтаж

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіSTRG5653
Позначення в назвіSTR-G5653
ТипІмпульсний регулятор з вбудованим MOSFET
Кількість виводів5 шт (D, S, GND, VIN, O.C.P/F.B)
ЗахистOVP, OCP, TSD
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема STRF6707 ( STRF6707A ) оригінал

В наявності

176,25 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіSTRF6707
Позначення в назвіSTRF6707A
СтанОригінал

Мікросхема STRF6658B

В наявності

178,60 ₴

Мікросхема STRF6655

В наявності

133,95 ₴

Мікросхема STRF6654 оригінал

В наявності

150,40 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Напруга Vdss (MOSFET)650 В
Опір rDS(on)1,15 Ом
Струм стоку ID9,7 А
Імпульсний струм IDM18 А
Лавинна енергія EAS399 мДж
Вихідна потужність Pout (85–265 В AC)92 Вт
Вихідна потужність Pout (220 В AC)190 Вт
Напруга ізоляції2000 В
Корпус5-вивідний TO-3P
СтанОригінал

Мікросхема STRF6653 оригінал

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Напруга Vdss (MOSFET)650 В
Опір rDS(on)1,95 Ом
Струм стоку ID5,6 А
Імпульсний струм IDM14 А
Лавинна енергія EAS260 мДж
Вихідна потужність Pout (85–265 В AC)58 Вт
Вихідна потужність Pout (220 В AC)120 Вт
Напруга ізоляції2000 В
Корпус5-вивідний TO-3P
СтанОригінал

Мікросхема STRF6553

В наявності

235,00 ₴

Мікросхема STRF6458

В наявності

155,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерSTRF6458
ТипМікросхема

Мікросхема STRF6454

В наявності

81,78 ₴

Мікросхема STRF6268

В наявності

184,24 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіSTR-F6268
ТипМікросхема

Мікросхема STRF6264

В наявності

252,86 ₴
ПараметрЗначення
Номер деталіSTR-F6264
ТипМікросхема

Мікросхема STRF6168

В наявності

261,32 ₴

Мікросхема STRF5653

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерSTRF5653

Мікросхема STRD5441

В наявності

136,30 ₴
ПараметрЗначення
НомерSTRD5441

Мікросхема STRA6252M ( A6252M , STR-A6252M , STRA6252 , A6252 ) оригінал, DIP7

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга V(BR)DSS650 В мін. при ID = 300 мкА
Струм стоку ID peak3.0 А (одиночний імпульс, TA +25 °C)
Опір RDS(on)2.8 Ом макс. при ID = 0,4 А
Частота перемикання67 кГц
Енергія лавини EAS123 мДж
Розсіювана потужність MOSFET1.35 Вт
Напруга живлення VCC36 В макс.
Напруга старту VCC(ON)14.3 В
Tj макс.150 °C
КорпусDIP7
СтанОригінал

Мікросхема STRA6251M ( STR-A6251M , A6251M , STRA6251 ) демонтаж , DIP7

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
Напруга V(BR)DSS650 В при ID = 300 мкА
Струм стоку ID2.5 А (TA +25 °C)
Опір rDS(on)3.95 Ом макс. при ID = 0,4 А
Частота перемикання67 кГц
Енергія лавини EAS72 мДж (TA +25 °C)
Розсіювана потужність1.5 Вт
Напруга живлення VCC36 В макс.
Tj макс.150 °C
КорпусDIP7
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRA6159M ( STRA6159 ) демонтаж, DIP7

В наявності

84,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Напруга Vdss, мін.650 В
Опір Rds(on), макс.6 Ом
Піковий струм стоку Idpeak, макс.1,8 А (одиночний імпульс, Ta 25 °C)
Вихідна потужність (відкрита рамка)13 Вт при AC 220 В; 10 Вт при AC 85–265 В
Фіксований час вимкнення11,5 мкс
Температура каналу, макс.150 °C
КорпусDIP7
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема STRA6151 ( STR-A6151 , A6151 ) , DIP8

В наявності

85,54 ₴

Мікросхема STRA6079M ( STR-A6079M , A6079M ) оригінал, DIP7

В наявності

352,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken Electric
КорпусDIP7
Опір RDS(ON) макс.19,2 Ом (IDS 0,4 А)
Піковий струм стоку IDPEAK1,2 А (одиночний імпульс, Ta 25 °C)
Напруга запуску VCC(ON)15,3 В (13,8–16,8), Ta 25 °C
Напруга відключення VCC(OFF)8,1 В (7,3–8,9), Ta 25 °C
Макс. VCC32 В (абсолютний максимум)
СтанОригінал

Мікросхема STRA6059H ( STR-A6059H , A6059H ) , DIP7

В наявності

78,49 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken Electric
КорпусDIP7
Опір RDS(ON) макс.6 Ом (IDS 0,4 А)
Піковий струм стоку IDPEAK1,8 А (одиночний імпульс, Ta 25 °C)
Частота перемикання100 кГц (90–110), Ta 25 °C, VCC 18 В
Напруга запуску VCC(ON)15,3 В (13,8–16,8), Ta 25 °C
Напруга відключення VCC(OFF)8,1 В (7,3–8,9), Ta 25 °C
Макс. VCC32 В (абсолютний максимум)

Мікросхема STRA6051M , DIP8

В наявності

91,65 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken Electric
КорпусDIP8
Напруга стік-витік Vdss (мін.)650 В (серія STR-A605xM)
Опір Rds(on) (макс.)3.95 Ом
Піковий струм стоку IDPEAK2.5 А (одиничний імпульс)
Частота fOSC(AVG)60–74 кГц, тип. 67 кГц (TA 25 °C)
Вихідна потужність, відкрита конструкція31 Вт (AC 230 В), 21 Вт (AC 85–265 В)
Вихідна потужність, адаптер18.5 Вт (AC 230 В), 14 Вт (AC 85–265 В)
Напруга запуску VCC(ON)13.8–16.8 В (TA 25 °C)
Напруга зупинки VCC(OFF)7.3–8.9 В (TA 25 °C)
Макс. напруга VCC32 В

Мікросхема STR59041

В наявності

158,39 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Пікова вхідна напруга Vin, макс.850 В при Ta 25 °C (абсолютний максимум)
Вхідний струм Iin, макс.6 А (імпульс 12 А)
Потужність розсіювання, макс.27 Вт при Tc 100 °C
Встановлена вихідна напруга Vo41,3 / 41,8 / 42,3 В (мін / тип / макс) при Iin 7 мА
Вихідна напруга в схемі застосування110 ± 1,5 В при Vin 220 В, Io 0,9 А
Температура переходу150 °C
Корпус5 виводів

Мікросхема STR58041

В наявності

150,40 ₴

Мікросхема STR54041 оригінал

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSanken
Пікова вхідна напруга Vin, макс.900 В (абсолютний максимум)
Вхідний струм Iin, макс.6 А (імпульс 12 А)
Потужність розсіювання, макс.27 Вт при Tc 100 °C
Вихідна напруга41,8 ± 0,5 В при Iin 7 мА
Температура переходу силового транзистора150 °C
Корпус5 виводів
СтанОригінал

Мікросхема STR50115B

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипІмпульсний ШІМ-регулятор напруги
ВиробникSanyo
Корпус5 виводів
Розмір корпусу17,0 × 28,0 × 4,2 мм
Довжина виводів14,0 мм
Вихід у типовій схемі115 В

Мікросхема STR50115

В наявності

136,30 ₴
ПараметрЗначення
ТипГібридний імпульсний регулятор напруги
Корпус5 виводів
Vcex (DC), макс.115 В при Ta 25 °C
Температура корпусу, макс.125 °C при Ta 25 °C
Температура переходу, макс.150 °C при Ta 25 °C
Температура зберігання-30…+125 °C
Тепловий опір перехід–корпус1,8 °C/Вт

Мікросхема STA540SA оригінал , Clipwatt19

В наявності

194,58 ₴
ПараметрЗначення
Тип4-канальний підсилювач класу AB
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусClipwatt19
Потужність 4 канали4 × 10 Вт на 4 Ом, 17 В, 1 кГц, THD 10 %
Потужність 2 канали2 × 26 Вт на 4 Ом, 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %
Підсилення20 дБ (19–21 дБ)
Напруга живлення Vs8–22 В
Розсіювана потужність35 Вт при Tcase 70 °C
Робоча температура0…70 °C
СтанОригінал

Мікросхема STA540 , MULTIWATT15

В наявності

242,05 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Потужність 2 канали2 × 38 Вт на 4 Ом, 18 В, 1 кГц, THD 10 %
Потужність 2 канали (8 Ом)2 × 34 Вт на 8 Ом, 22 В, 1 кГц, THD 10 %
Потужність 4 канали4 × 11 Вт на 4 Ом, 18 В, 1 кГц, THD 10 %
Підсилення20 дБ
Напруга живлення Vs8–22 В при Tamb 25 °C
Розсіювана потужність36 Вт при Tcase 85 °C
Тепловий опір кристал–корпус1,8 °C/Вт (макс.)
КорпусMULTIWATT15

Мікросхема STA505 , PowerSO36

В наявності

183,30 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга (з заголовка документа)40 В
Струм (з заголовка документа)3,5 А
Робоча напруга Vcc9–36 В
Rds(on)200 мОм (тип.), 270 мОм (макс.) при Id 1 А, Vcc 30 В, T 25 °C
Потужність (два мости BTL)2 × 50 Вт на 8 Ом, THD 10 %, Vcc 30 В
Потужність (один міст BTL)80 Вт на 8 Ом, THD 10 %, Vcc 36 В
КорпусPowerSO36

Мікросхема STA339BWS , hssop36

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусPowerSSO-36
Напруга живлення (силова частина)4,5–21,5 В
Напруга живлення цифрової частини2,7–3,6 В
Вихідна потужність2 × 20 Вт на 8 Ом при 18 В
Rds(on)250 мОм макс. (Id 0,75 А, Vcc 18 В, Tamb 25 °C)
Частота дискретизації входу32–192 кГц
Сигнал/шум100 дБ (FFX)
Робоча температура-20…70 °C
Тепловий опір кристал–корпус1,5 °C/Вт