Магазин
Мікросхема TDA2030A оригінал
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Корпус (докладно) | Pentawatt (вертикальний), 5 виводів |
| Напруга живлення Vs | ±6…±22 В (Tamb 25 °C) |
| Максимальна напруга живлення | ±22 В |
| Піковий вихідний струм | 3.5 А |
| Струм спокою | 50 мА (тип.), 80 мА (макс.) при Vs ±16 В, Tamb 25 °C |
| Потужність розсіювання | 20 Вт при Tcase 90 °C |
| Тепловий опір кристал – корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Температура зберігання і переходу | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA1771 оригінал
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SIP10 (пластиковий), 10 виводів |
| Напруга живлення Vs | 10–30 В (Tamb 25 °C, Vs 24 В) |
| Максимальна Vs | 30 В |
| Піковна напруга зворотного ходу | 65 В |
| Вихідний струм (розмах) | 6 А при t = 2 мс; 4 А при t > 10 мкс |
| Струм споживання | 315 мА (типове) |
| Потужність розсіювання | 9 Вт при Ttab 60 °C |
| Тепловий опір кристал – корпус | 10 °C/Вт (макс.) |
| Температура зберігання і переходу | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор AUGPS4070D0 оригінал демонтаж б/в ( заміна для AUPS4070D2 , AUPS4070D1 , AUPS4070D0 , AUPS4070D1-H , AUPS4070D2-K , AUPS4070D2-L , AUPS4070D2-G , AUPS4070D2-H , AUPS4070D1-K , AUPS4070D , AUIRGPS4070D0 , AUGPS4070D1 , AUIRGPS4070D1 , IRGPS4070D , IRGPS4070DPbF , GPS4070D ), Super-247
В наявності
320,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT Trench з діодом Co-pak, Automotive |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 240 А (пакетний ліміт струму 195 А) |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 160 А |
| Vce(on) тип. | 1.70 В (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 750 Вт |
| Температура переходу Tj макс. | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 250 нКл (Ic 120 А, Vge 15 В, Vcc 400 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7600 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BR13N50 оригінал (заміна для SFP13N50C , SFP13N50 ), TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Foshan Blue Rocket Elec |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 13 А (TC = 25 °C); 8 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.48 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 6,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 195 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPW35N60C3 ( 35N60C3) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (CoolMOS) |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 600 В (мін.; VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 34.6 А (TC = 25 °C); 21.9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.1 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 21,9 А, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В (VDS = VGS, ID = 1,9 мА) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл (тип.; VDD = 480 В, ID = 34,6 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 313 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор MDD1752 , D-PAK
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 50 А при TC = 25 °C; 15.2 А при TA = 25 °C |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 8.0 мОм (макс.), 6.1 мОм (тип.) при ID = 14 А |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 10.5 мОм (макс.), 8.2 мОм (тип.) при ID = 11 А |
| Заряд затвора Qg | 26.4 нКл (тип.) при VDS = 20 В, ID = 14 А, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 1.0–3.0 В при ID = 250 мкА (тип. 1.7 В) |
| Потужність Pd | 45 Вт при TC = 25 °C (3,1 Вт при TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | MagnaChip Semiconductor |
Демонтаж
Транзистор 6R099C6 ( IPW60R099C6 ) оригінал демонтаж, TO247( 650V, 37.9A , 0.099R )
В наявності
253,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (мін.) | 600 В (ID = 0,25 мА) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 37,9 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 24 А |
| Імпульсний струм Id,pulse | 112 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 18,1 А, Tj = 25 °C) | 0,099 Ом (макс.) |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 119 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2660 пФ (VGS = 0 В, VDS = 100 В, f = 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В (статично) |
| Потужність Ptot (TO-247, TC = 25 °C) | 278 Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус (макс.) | 0,45 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Канал | N-канал |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод RF2001T3D (RF2001,F2001) , TO220F-3pin (350V,20A)
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Повторювана зворотна напруга Vrm | 350 В (Ta 25 °C) |
| Постійна зворотна напруга Vr | 300 В (Ta 25 °C) |
| Середній прямий струм Io | 20 А (Tc 113 °C, активне навантаження; на один діод – 1/2 Io) |
| Ударний струм Ifsm | 100 А (60 Гц, 1 період) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1.3 В (If 10 А, Ta 25 °C) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 10 мкА (Vr 300 В, Ta 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 25 нс (If 0,5 А, Ir 1 А, Irr 0,25·Ir, Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Конфігурація | загальний катод, два діоди, 3 виводи |
| Корпус | TO-220FN |
IGBT-транзистор FGA90N33ATD оригінал, TO-3P
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип | IGBT N-канал з діодом (PDP) |
| Напруга Vces | 330 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 90 А |
| Імпульсний струм | 220 А |
| Vce(sat) при Tc 25 °C | 1.6 В при Ic 90 А, Vge 15 В |
| Vge(th) | 4.0 В при Ic 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 180 нс |
| Pd при Tc 25 °C | 223 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | так, антипаралельний |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема SDC606P оригінал, DIP8
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SDC (Shaoxing Devechip Microelectronics) |
| Призначення | ШІМ-контролер струмового режиму з вбудованим ключем |
| Корпус | DIP8 |
| Вихідна потужність (AC 85–265 В) | 12 Вт (пік 15 Вт) |
| Вихідна потужність (AC 220 В) | 15 Вт (пік 18 Вт) |
| Напруга ключа (вивід OC) | 700 В |
| Vcc, макс. | 18 В |
| Робоча Vcc | 4,5–11,0 В |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема DDA002C ( DDA002 ) , smd
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Призначення | контролер напівмостових перетворювачів з драйвером верхнього ключа |
| Корпус | SOIC-19 без виводу 17 (SO19W) |
| Частота перемикання | 30–500 кГц |
| Мертвий час | 100 нс – 2 мс |
| Напруга драйвера верхнього ключа (HB) | 600 В |
| Vcc, макс. | 20 В |
| Поріг вмикання Vcc | 12 В |
| Струм драйвера, пік | 0,5 / 0,25 А |
| Tj, макс. | 150 °C |
Мікросхема ETA9742 , so-8
В наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | заряд Li-Ion акумулятора з підвищуючим перетворювачем 5 В |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальний струм заряду | 3 А (Riset = 56 кОм) |
| Вхід USB, режим заряду | 4,5–5,5 В |
| Напруга заряду акумулятора | 4,21 В |
| Вихід у режимі підвищення | 5,1 В |
| Струм у режимі підвищення | 2,4 А (5 В) |
| ККД | до 96 % |
| Частота перемикання | 650 кГц |
| Робоча температура | -40…85 °C |
Мікросхема STV2249C ( Заміна для STV2248C )
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення VCCIF / VCCD | 5 В (мін. 4,75, макс. 5,25 В; Tamb 25 °C) |
| Напруга живлення VCC1 / VCC2 | 8 В (мін. 7,6, макс. 8,4 В; Tamb 25 °C) |
| Повна потужність розсіювання | 1300 мВт (тип.; Tamb 25 °C, без навантаження на виходах RGB) |
| Напруга живлення 8 В, макс. | 10 В (гранична) |
| Напруга живлення 5 В, макс. | 7 В (гранична) |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Стандарти кольору | PAL / SECAM / NTSC (звук QSS / інтеркаріер) |
| Корпус | SDIP56-P-600-1.78 |
| Кількість виводів | 56 |
Мікросхема STV2238D , TQFP64
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення VCCIF / VCCD | 5 В (мін. 4,75, макс. 5,25 В; Tamb 25 °C) |
| Напруга живлення VCC1 / VCC2 | 8 В (мін. 7,6, макс. 8,4 В; Tamb 25 °C) |
| Повна потужність розсіювання | 1300 мВт (тип.; Tamb 25 °C, без навантаження на виходах RGB) |
| Напруга живлення 8 В, макс. | 10 В (гранична) |
| Напруга живлення 5 В, макс. | 7 В (гранична) |
| Робоча температура | 0…70 °C |
| Температура зберігання | -55…150 °C |
| Стандарти кольору | PAL / SECAM / NTSC (звук QSS / інтеркаріер) |
| Корпус | TQFP64 (14 × 14 × 1,4 мм) |
| Кількість виводів | 64 |
| AM-демодулятор (для Франції) | є |
Мікросхема TA1343NG оригінал
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | ТВ-звуковий процесор з керуванням по шині I2C |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 9,0 В (діапазон 8,1–9,9 В, вивід 20) |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 12 В (Ta 25 °C) |
| Струм споживання Icc | 50 мА (Vcc 9 В, Ta 25 °C; мін. 39, макс. 63 мА) |
| Потужність розсіювання | 1400 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -20…75 °C |
| Кількість виводів | 24 |
| Інтерфейс керування | I2C (виводи SDA, SCL) |
| Стан | Оригінал |
Діод DSEI60-12A ( DSE160-12A )(Заміна для DSEP60-12A , DSEI30-12A ) оригінал(1200V,60A), TO247-2pin
В наявності
222,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Зворотна напруга Vrrm | 1200 В |
| Середній прямий струм If(AV) | 52 А (Tc 60 °C, прямокутний, d = 0,5) |
| Діючий прямий струм If(RMS) | 100 А (Tvj = Tvjm) |
| Ударний струм Ifsm | 500 А (Tvj 45 °C, t = 10 мс, синус) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2.55 В (If 60 А, Tvj 25 °C); 2.0 В (If 60 А, Tvj 150 °C) |
| Час відновлення trr (тип.) | 40 нс (If 1 А, -di/dt 200 А/мкс, Vr 30 В, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 189 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tvjm | 150 °C |
| Конфігурація | одиночний |
| Корпус | TO-247 AD, два виводи (анод і катод) |
| Стан | Оригінал |
Процесор VCT49X3F PY F1 000 ( T-GRPEA-1016 )( Заміна для T-GRPEA-1018 )
В наявності
705,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Micronas |
| Клас | Процесор кінескопних ТВ (одночіпний TV-процесор) |
| Процесор | 8-бітний, сумісний із набором команд 8051 (родина VCT 49xxI) |
| Пам'ять програм | до 256 кБ (родина VCT 49xxI) |
| Пам'ять телетексту | до 10 сторінок (родина VCT 49xxI) |
| Кварц | 20,25 МГц (єдиний опорний) |
| Звук | A2, NICAM, BTSC/SAP, EIA-J (родина VCT 49xxI) |