Магазин
Мікросхема 24C02BN ( AT24C02BN , M24C02 , ST24C02WP ), so-8
Немає в наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | послідовна EEPROM, два дроти (I2C) |
| Обсяг пам'яті | 2 Кбіт (256 x 8) |
| Напруга живлення Vcc | 1.8…5.5 В (версія 1.8 В) |
| Частота SCL | 1000 кГц (макс. при Vcc 4.5–5.5 В; 400 кГц при 1.8–2.7 В) |
| Струм споживання при читанні | 0.4 мА (типово, Vcc = 5.0 В, READ на 100 кГц; макс. 1.0 мА) |
| Струм у режимі очікування | 8.0 мкА (типово, Vcc = 5.0 В, Vin = Vcc або Vss; макс. 18 мкА) |
| Час циклу запису | 5 мс (макс., самотаймерний запис) |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Збереження даних | 100 років |
| Сторінка запису | 8 байт |
| Робоча температура | -55…+125 °C (Absolute Maximum Ratings; для Vcc до 6.25 В) |
| Корпус | SO-8 |
Трансформатор інвертора 6025B ( заміна для 6026B , 6024B , 6020B , 6019B , 6016B , 6010B , 6009B )
Немає в наявності
418,30 ₴
Геркон КЕМ-1 гр.А 5.6*50мм Umax=300V, Imax=2A, Pкомутована=30W , нормально розімкнутий
Немає в наявності
147,11 ₴
Сімістор BTA12-700SW , ТО220
Немає в наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 700 В |
| Струм It(rms) | 12 А (повна синусоїда, Tc 90 °C) |
| Ударний струм Itsm | 120 А (tp 20 мс, неповторюваний) |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (квадранти I–II–III, Vd 12 В, RL 30 Ом, Tc 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В макс. (квадранти I–II–III, Vd 12 В, RL 30 Ом, Tc 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 15 мА макс. (Igt 0,1 А, керуючий електрод розімкнений, Tc 25 °C) |
| Напруга у відкритому стані Vtm | 1,55 В макс. (It 17 А, tp 380 мкс, Tc 25 °C) |
| Струм витоку Idrm/Irrm | 5 мкА макс. (Vr = Vrrm, Tc 25 °C; 1 мА при Tj 125 °C) |
| Квадранти запуску | I–II–III |
| Робоча температура переходу Tj | -40…125 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус Rth(j-c) | 2,3 °C/Вт |
| Корпус | TO-220AB, ізольований |
Діод Шоттки 8TQ100 (8A,100V)
Немає в наявності
36,19 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки, одиночний |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 100 В |
| Середній прямий струм If(av) | 8 А (50 % скважності, меандр, Tc = 116 °C) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0,75 В (If = 8 А, Tj 25 °C, імпульс < 300 мкс) |
| Пряма напруга Vf (макс.), Tj 125 °C | 0,58 В (If = 8 А, імпульс < 300 мкс) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 7 мА (Vr = номінальна, Tj 125 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус Rth(j-c) | 2,0 °C/Вт (DC) |
| Ємність переходу Ct (макс.) | 500 пФ (Vr = 5 В, Tc = 25 °C, f = 1 МГц) |
Діод Шоттки 40CTQ150 , TO220
Немає в наявності
104,81 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | Діод Шоттки, здвоєний, спільний катод |
| Корпус | TO-220 |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 150 В |
| Середній прямий струм If(av) на діод | 20 А (на один діод; 40 А на корпус; 50 % скважності, меандр, Tc = 140 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm на діод | 250 А (10 мс, напівсинусоїда, при номінальному Vrrm) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус Rth(j-c) | 1,5 °C/Вт (на один діод, DC) |
| Ємність переходу Ct на діод (макс.) | 450 пФ (Vr = 5 В, 25 °C) |
Діод Шоттки 30CPQ150 оригінал (30A,150V) , TO247-3pin
Немає в наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 150 В |
| Середній прямий струм If(av) на діод | 15 А (на корпус 30 А; 50 % скважності, меандр, Tc = 145 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm на діод | 408 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус Rth(j-c) | 1,1 °C/Вт (на один діод, DC) |
| Ємність переходу Ct на діод (макс.) | 760 пФ (Vr = 5 В, Tc = 25 °C, f = 1 МГц) |
| Конфігурація | здвоєний діод із центральним відводом (center tap) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки 30CPQ100 оригінал(100V,30A)(Заміна для MBR3060PT , SRL3060P , STPS30H100CW ), TO247-3pin
Немає в наявності
156,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 100 В |
| Середній прямий струм If(av) на діод | 15 А (на корпус 30 А; 50 % скважності, меандр, Tc = 140 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm на діод | 280 А (8,3 мс, напівсинусоїда, Tc = 25 °C) |
| Пряма напруга Vf на діод (макс.) | 0,86 В (If = 15 А, Tj 25 °C, імпульс менше 300 мкс) |
| Зворотний струм Ir на діод (макс.) | 7,0 мА (Vr = номінальна, Tj 125 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус Rth(j-c) | 2,2 °C/Вт (на один діод, DC; 1,10 °C/Вт на корпус) |
| Ємність переходу Ct на діод (макс.) | 500 пФ (Vr = 5 В, Tc = 25 °C, f = 1 МГц) |
| Конфігурація | здвоєний діод із центральним відводом (center tap) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки 1N5822(3A,40V)
Немає в наявності
10,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 40 В |
| Середній прямий струм If(av) | 3 А (δ = 0,5) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 80 А (tp = 10 мс, синусоїда, неповторюваний) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0,525 В (If = 3 А, Tj 25 °C, імпульс tp = 380 мкс) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 2 мА (Vr = Vrrm, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Конфігурація | одиночний діод |
| Корпус | DO-201AD |
Реле HF118F-024-1ZS1T ( HF118F-024-1ZS1G , RY613024 , RY610024 , RY211024 , G6RN-1-24VDC , AZ6962-1CE-24D , E3242-00-A ) 24VDC (10A/250VAC) 28*10*12
Немає в наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Конфігурація контактів | 1 група на перемикання (1 Form C, CO) |
| Номінальна напруга контактів | 250 В AC |
| Макс. напруга комутації | 400 В AC |
| Мінімальне навантаження | 100 мА (12 В) |
| Матеріал контактів | AgSnO2 |
| Напруга котушки | 24 В DC |
| Опір котушки | 2350 Ом |
| Потужність котушки | 245 мВт |
| Електрична міцність котушка–контакти | 5000 В rms |
| Електрична міцність між розімкненими контактами | 1000 В rms |
| Макс. температура навколишнього середовища | 70 °C |
| Розміри | 28,5 × 10,1 × 12,3 мм |
| Маса | 8 г |
Реле OMIF-S-124LM (Заміна для ALE72F24 ) 24VDC (17A/250V)
Немає в наявності
213,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TE Connectivity |
| Конфігурація контактів | 1 група на замикання (1 Form A, SPST-NO) |
| Номінальна напруга комутації | 250 В AC |
| Матеріал контактів | AgSnO2 |
| Мінімальне навантаження | 100 мА (5 В DC) |
| Напруга котушки | 24 В DC |
| Опір котушки | 1067 Ом (±10 %, +23 °C) |
| Потужність котушки | 540 мВт (чутлива котушка, номінальна напруга) |
| Напруга спрацювання | 18,0 В DC (+23 °C) |
| Напруга відпускання | 1,2 В DC (+23 °C) |
| Час спрацювання / відпускання | 20 / 10 мс (макс.) |
| Електрична міцність котушка–контакти | 5000 В rms |
| Електрична міцність між розімкненими контактами | 1000 В rms |
| Механічний ресурс | 300000 циклів |
IGBT-транзистор FGPF4633 , TO220F
Немає в наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 330 В |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±30 В |
| Імпульсний струм колектора Ic pulse | 300 А (Tc 25 °C, напівсинусоїдний імпульс, D < 0,01, обмежено Tj max) |
| Розсіювана потужність Pd | 30.5 Вт (Tc 25 °C); 12.2 Вт (Tc 100 °C) |
| Повний заряд затвора Qg | 60 нКл (Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.55 В тип. / 1.8 В макс. (Ic 70 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 2.4 / 3.3 / 4.0 В (мін. / тип. / макс.; Ic 250 мкА, Vce = Vge) |
| Час спаду tf | 260 нс (Vcc 200 В, Ic 20 А, Rg 5 Ом, Vge 15 В, резистивне навантаження, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 4.1 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-220F (виводи: G, C, E) |
Транзистор APM4568 ( APM4568J ) , DIP8
Немає в наявності
55,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | Комплементарна пара: N-канал і P-канал |
| Напруга Vds (N / P) | 40 / -40 В (V(BR)DSS при VGS = 0 В, IDS = ±250 мкА) |
| Струм стоку Id (N / P) | 7,5 / -6 А (VGS = 10 В (N), VGS = -10 В (P); TA 25 °C) |
| Опір Rds(on), N-канал | 21 мОм тип., 29 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 7,5 А) |
| Опір Rds(on), P-канал | 36 мОм тип., 50 мОм макс. (VGS = -10 В, IDS = -6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th), N-канал | 1,3 / 2 / 2,5 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg, N-канал | 20 нКл тип., 28 нКл макс. (VDS = 20 В, VGS = 10 В, IDS = 7,5 А) |
| Потужність Pd | 2,5 Вт (TA 25 °C, на платі 1 дюйм²) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
Тиристор C106M1G , TO126
Немає в наявності
24,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-225AA (TO-126), виводи: 1 – катод, 2 – анод, 3 – затвор |
| Напруга Vdrm | 600 В (серія C106M/M1, синус 50–60 Гц, Rgk = 1 кОм, Tc від –40 до 110 °C) |
| Напруга Vrrm | 600 В (серія C106M/M1, Rgk = 1 кОм, Tc від –40 до 110 °C) |
| Струм It(rms) | 4 А (кут провідності 180°, Tc 80 °C) |
| Струм It(av) | 2,55 А (кут провідності 180°, Tc 80 °C) |
| Ударний струм Itsm | 20 А (півперіод синусоїди, 60 Гц, Tj 110 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 110 °C |
Тиристор BT169G (600V,0.8A,Igt=50мкА) , to92
Немає в наявності
7,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Корпус | TO-92 (SOT54), 3 виводи |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Напруга Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 0.8 А (напівсинусоїда, Tlead 83 °C) |
| Струм It(av) | 0.5 А (напівсинусоїда, Tlead 83 °C) |
| Ударний струм Itsm | 8 А (напівсинусоїда, tp = 10 мс, Tj(init) 25 °C) |
| Струм відмикання затвора Igt | 50 мкА тип., макс. 200 мкА (VD = 12 В, IT = 10 мА, Tj 25 °C) |
| Напруга відмикання затвора Vgt | 0,5 В тип., макс. 0,8 В (VD = 12 В, IT = 10 мА, Tj 25 °C) |
| Напруга у відкритому стані Vt | 1,25 В тип., макс. 1,7 В (IT = 1,2 А, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 500 В/мкс мін., тип. 800 В/мкс (VDM = 402 В, Tj 125 °C, Rgk = 1 кОм) |
| Струм утримання Ih | 2 мА тип., макс. 5 мА (VD = 12 В, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
Сімістор Z0103MA , to92
Немає в наявності
13,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана напруга VDRM | 600 В (макс.) |
| Діючий струм IT(RMS) | 1 А (повна синусоїда, Tlead ≤ 45 °C) |
| Ударний струм ITSM | 12,5 А (повна синусоїда, Tj початкова 25 °C, tp 20 мс; 13,8 А при 16,7 мс) |
| Струм керування IGT (T2+G+, T2+G-, T2-G-) | 3 мА макс. (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C) |
| Струм керування IGT (T2-G+) | 5 мА макс. (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C) |
| Струм утримання IH | 7 мА макс. (Tj 25 °C) |
| Напруга у відкритому стані VT | 1,6 В макс. (тип. 1,3 В; IT 1,4 А, Tj 25 °C) |
| Критична швидкість dVD/dt | 80 В/мкс мін. (VDM 402 В, 67 % VDRM, Tj 110 °C, затвор розімкнений) |
| Квадранти керування | 4Q |
| Максимальна температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |
Сімістор T405-800B ( T405-800 , T40580 , T405Q-600B, T405Q-600H ) , D-PAK
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Діючий струм IT(RMS) | 4 А (повна синусоїда, Tc = 110 °C) |
| Ударний струм ITSM | 35 А (50 Гц, 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування IGT | 5 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом, квадранти I-II-III; квадрант IV – 10 мА) |
| Напруга керування VGT | 1,3 В макс. (усі квадранти) |
| Напруга у відкритому стані VTM | 1,5 В макс. (ITM 5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти керування | 4Q |
| Максимальна температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Сімістор BTB24-600BW , ТО220
Немає в наявності
58,28 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана напруга VDRM | 600 В (повна синусоїда) |
| Діючий струм IT(RMS) | 25 А (повна синусоїда, Tc = 75 °C) |
| Ударний струм ITSM | 250 А (50 Гц, 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування IGT | 50 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I-II-III) |
| Напруга керування VGT | 1,3 В макс. |
| Напруга у відкритому стані VT | 1,55 В макс. (ITM 35 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Струм вмикання IL | 80 мА макс. (IG 1,2·IGT, квадранти I-III) |
| Критична швидкість dV/dt | 1000 В/мкс мін. (VD 67 % VDRM, затвор розімкнений, Tj 125 °C) |
| Квадранти керування | 3Q (I-II-III) |
| Максимальна температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор BTB06-600TW оригінал ( заміна для BTB04-600T ), TO220
Немає в наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm | 600 В (повна синусоїда, Tc ≤ 110 °C) |
| Струм It(rms) | 6 А (повна синусоїда, Tc ≤ 110 °C) |
| Ударний струм Itsm | 60 А (50 Гц, 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА (макс.; VD 12 В, RL 30 Ом, квадранти I-II-III) |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В (макс.; квадранти I-II-III) |
| Напруга Vt | 1,55 В (макс.; ITM 5,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 10 мА (макс.; IT 100 мА) |
| Струм вмикання IL | 10 мА (макс.; IG 1,2·IGT, квадранти I-III) |
| dV/dt | 20 В/мкс (мін.; VD 67 % VDRM, затвор розімкнений, Tj 125 °C) |
| Квадранти | 3Q |
| Робота без снаббера | так |
| Tj max | 125 °C |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB06-600B ( BTB06-600BW ) (6A;600V,Igt=0.05A) , TO220
Немає в наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Ta 25 °C; ID 0,1 мА) |
| Струм It(rms) | 6,0 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Itsm | 63 А (неповторюваний, Ta 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (T2+G+, T2+G-, T2-G-); 100 мА (T2-G+); макс.; VAK 12 В, RL 30 Ом |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В (макс.; VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга Vtm | 1,55 В (макс.; IT 5,5 А) |
| Струм утримання Ih | 50 мА (макс.; IT 0,5 А, IGT 20 мА) |
| Струм витоку Idrm | 10 мкА (макс.; VDRM 520 В) |
| Квадранти | 4Q |
| Tj max | 110 °C |
Сімістор BTA41-600B (40A,600V,Igt=0,05A) , TOP3
Немає в наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TOP3 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 40 А (Tc 81 °C) |
| Ударний струм Itsm | 420 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I–II–III); квадрант IV – 70 мА |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Спад напруги Vtm | 1,4 В (макс.; Itm 60 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| Ізоляція корпусу | 2500 В (RMS) |
| Tj max | 125 °C |
Сімістор BTA24-800CW ( BTA24-800CWRG ) оригінал (25A,800V,Igt=0,035A) ,ТО220
Немає в наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 25 А |
| Ударний струм Itsm | 250 А (повний період, 50 Гц) |
| Струм керування Igt | 35 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, макс., версія CW) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (VD 12 В, RL 33 Ом, макс.) |
| Струм утримання Ih | 60 мА (IT 100 мА, макс., версія CW) |
| dV/dt | 1000 В/мкс (VD 2/3 Vdrm, Tj 125 °C, затвор розімкнений, мін., версія CW) |
| Спад напруги Vtm | 1.5 В (Itm 35 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C, макс.) |
| Квадранти | 3Q |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220A (Ins), ізольований; 2500 В RMS, UL |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA204S-600D , D-PAK
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 4 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 107 °C) |
| Ударний струм Itsm | 25 А (повна синусоїда, tp 20 мс, Tj(init) 25 °C) |
| Струм керування Igt | 5 мА (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C, макс.) |
| Спад напруги Vt | 1.4 В (IT 5 А, Tj 25 °C, тип.) |
| Квадранти | 3Q (T2+G+, T2+G-, T2-G-) |
| dV/dt | 20 В/мкс (VDM 402 В, Tj 125 °C, затвор розімкнений, мін.) |
| Струм утримання Ih | 6 мА (VD 12 В, Tj 25 °C, макс.) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
Сімістор BTA16-600CW ( BTA16-600C ) (16A,600V,35mA) оригінал ,ТО220
Немає в наявності
71,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Сімістор snubberless |
| Корпус | TO-220A, ізольований |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 16 А (Tc 80 °C) |
| Ударний струм Itsm | 160 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 35 мА (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Квадранти | 3Q |
| Напруга керування Vgt | 1 В (макс.; VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Спад напруги Vtm | 1.5 В (макс.; Itm 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Ізоляція корпусу | 2500 В (RMS) |
| Температура переходу Tj | 125 °C (макс.) |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA12-600B (12A,600V,50mA) ,ТО220
Немає в наявності
29,61 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Сімістор |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 12 А (Tc = 79 °C) |
| Ударний струм Itsm | 119 / 130 А (один період, 50 Гц / 60 Гц) |
| Квадранти | 3Q |
| Напруга Vtm | 1.4 В (макс.; IT = 20 А, імпульсне вимірювання) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В (макс.; VD = 6 В, Rн = 10 Ом) |
| Струм утримання Ih | 20 мА (макс.) |
| Температура переходу Tj | 125 °C (макс.) |