Skip to navigation Skip to main content

0 позицій 0,00 ₴

+38 (063) 296-74-41+38 (068) 959-55-73

Написати в Telegram Написати у Viber

0 позицій 0,00 ₴

Польові транзистори

Показано 1001–1017 із 1017

Показати 20 40 80

ME12N15 транзистор D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор ME12N15 ( ME12N15-G ) , D-PAK (150V,13.6A,0.15R)

Немає в наявності

70,50 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	150 В (VGS=0 V, ID=250 µA)
Струм Id (Tc 25 °C)	13.6 А
Струм Id (Tc 70 °C)	10.9 А
Опір Rds(on), макс.	150 мОм (VGS=10 V, ID=8 A; 250 мОм при VGS=4.5 V, ID=5 A)
Поріг Vgs(th)	1–3 В (VDS=VGS, ID=250 µA)
Заряд затвора Qg	31.8 нКл (VDD=120 V, VGS=10 V, ID=8 A)
Потужність Pd	28.5 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Тип каналу	N (logic level)
Корпус	TO-252 (D-PAK)

OSPF10N80 MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор OSPF10N80 ( PF10N80 )(10A,800V)(заміна для FQPF10N70 , FQPF10N80 , HM10N80F , FIR10N80F ), TO220F

Немає в наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	800 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)	10 А
Rds(on)	0.68 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 5 А
Vgs(th)	2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Qg	45 нКл (тип., макс. 58) при Vds 640 В, Vgs 10 В, Id 10 А
Pd	45 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Вбудований діод	є: Vsd макс. 1.4 В при Is 10 А, Vgs 0 В
Корпус	TO-220F
Виробник	OSEN

PF610BL MOSFET SOT-223, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор PF610BL , sot223

Немає в наявності

29,14 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, режим збагачення
Напруга Vds	100 В (V(BR)DSS при VGS = 0 В)
Струм стоку Id (TA 25 °C)	0,9 А
Струм стоку Id (TA 70 °C)	0,5 А
Опір Rds(on) при VGS 10 В	0,48 Ом тип., 0,7 Ом макс. (ID = 0,9 А; TJ 25 °C)
Опір Rds(on) при VGS 4,5 В	0,52 Ом тип., 0,9 Ом макс. (ID = 0,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1 / 1,8 / 3 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS)
Заряд затвора Qg	7,2 нКл (VDS = 0,5·V(BR)DSS, ID = 0,9 А, VGS = 10 В)
Потужність Pd	1,3 Вт (TA 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	SOT-223

R6015ANX MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор R6015ANX оригінал , TO220F

Немає в наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В)
Струм Id (Tc 25 °C)	15 А
Струм Id (Tc 100 °C)	7.0 А
Опір Rds(on) тип.	0.23 Ом (VGS = 10 В, ID = 7.5 А, Tj 25 °C; макс. 0.3 Ом)
Поріг Vgs(th)	2.5–4.5 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА)
Потужність Pd	77 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

RU6888R MOSFET TO-220, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор RU6888R ( RU6888 ) оригінал демонтаж, TO220

Немає в наявності

32,90 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds (VDSS)	68 В
Струм стоку Id	88 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В; обмеження корпусом 75 А), 65 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Опір відкритого каналу Rds(on)	6 мОм тип., 8 мОм макс. (Vgs 10 В, Ids 40 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В, тип. 3 В (Vds = Vgs, Ids 250 мкА)
Заряд затвора Qg	65 нКл (Vds 54 В, Vgs 10 В, Ids 40 А)
Потужність розсіювання Pd	120 Вт (Tc 25 °C), 60 Вт (Tc 100 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-220
Виробник	Ruichips
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SI7848BDP MOSFET PowerPAK SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SI7848BDP , PowerPAK so-8

Немає в наявності

84,60 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, режим збагачення
Напруга Vds	40 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)	55 А (TC 25 °C, VGS 10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	41 А (TC 100 °C, VGS 10 В)
Опір Rds(on)	7.5 мОм (VGS 10 В, ID 15 А)
Заряд затвора Qg	19.7 нКл (тип.; VDS 20 В, VGS 10 В, ID 10 А)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	PowerPAK SO-8

SP8K4 здвоєний MOSFET SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SP8K4 , so-8

Немає в наявності

45,59 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, два транзистори в корпусі
Напруга Vds	30 В (V(BR)DSS при ID 1 мА, VGS 0 В; Ta 25 °C)
Струм стоку Id	9,0 А (безперервний, Ta 25 °C, на керамічній платі)
Опір Rds(on)	12 мОм тип., 17 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 10 В; Ta 25 °C)
Опір Rds(on) при VGS 4,5 В	16 мОм тип., 23 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 4,5 В)
Порогова напруга Vgs(th)	1,0–2,5 В (VDS 10 В, ID 1 мА)
Заряд затвора Qg	15 нКл тип., 21 нКл макс. (VDD 15 В, VGS 5 В, ID 9,0 А)
Потужність Pd	2 Вт (на керамічній платі, Ta 25 °C)
Макс. температура каналу	150 °C
Корпус	SO-8

ST18N60M2 MOSFET TO-220FP, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор ST18N60M2 ( STF18N60M2 , 18N60M2 ) оригінал (заміна для FQPF18N60 , FQPF18N60C , FDPF18N60 , FCPF18N60 , STF18NM60N , SVF18N60F ) , TO220F

Немає в наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; 650 В при Tj max)
Струм стоку Id (25 °C)	13 А (TC = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	8 А (TC = 100 °C)
Імпульсний струм стоку	52 А
Опір Rds(on)	0,255 Ом тип., 0,280 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	21,5 нКл (VDD = 480 В, ID = 13 А, VGS = 0–10 В)
Потужність Pd	25 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Ізоляція корпусу	2,5 кВ ефект. (t = 1 с, TC = 25 °C)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

STD12NM50N MOSFET D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STD12NM50N (550V,11A,0.38R) , D-PAK(Заміна для FDD8N50NZ )

Немає в наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, MDmesh II
Напруга Vds	500 В (550 В при Tj max)
Струм стоку Id (TC 25 °C)	11 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)	6,7 А
Опір Rds(on)	0,29 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А; TC 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd	100 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Час зворотного відновлення діода trr	340 нс (ISD = 11 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 100 В)
Корпус	TO-252 (D-PAK)

STD14NM50N MOSFET D-PAK, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STD14NM50N ( ST14NM50N ) оригінал (550V,12A,0.32R) , D-PAK(заміна для 50S500CE IPD50R500CE )

Немає в наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал, MDmesh II
Напруга Vds	500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; TC 25 °C)
Струм стоку Id (TC 25 °C)	12 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)	8 А
Опір Rds(on)	285 мОм тип., 320 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А; TC 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2 / 3 / 4 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	27 нКл (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS 0–10 В)
Потужність Pd	90 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Час зворотного відновлення діода trr	252 нс (ISD = 12 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 60 В)
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

STF24NM60N MOSFET TO-220FP, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STF24NM60N ( 24NM60N , ST24NM60N) оригінал, TO220F

Немає в наявності

127,84 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id (25 °C)	17 А (Tc = 25 °C, корпус TO-220FP)
Струм стоку Id (100 °C)	11 А (Tc = 100 °C, корпус TO-220FP)
Опір Rds(on)	168 мОм тип., 190 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	44 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 17 А, VGS = 0–10 В)
Потужність Pd	30 Вт (Tc = 25 °C, корпус TO-220FP)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

STP14NK50ZFP MOSFET TO-220FP, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор STP14NK50ZFP оригінал демонтаж, TO-220F

Немає в наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В)
Струм стоку Id (25 °C)	14 А (TC = 25 °C, TO-220FP, обмежено температурою переходу)
Струм стоку Id (100 °C)	7,6 А (TC = 100 °C, TO-220FP)
Імпульсний струм стоку	48 А (TO-220FP)
Опір Rds(on)	0,340 Ом тип., 0,380 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3,00–4,50 В, тип. 3,75 В (VDS = VGS, ID = 100 мкА)
Заряд затвора Qg	69 нКл тип., 92 нКл макс. (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS = 0–10 В)
Потужність Pd	35 Вт (TC = 25 °C, TO-220FP)
Макс. температура переходу	150 °C
Ізоляція корпусу	2,5 кВ ефект. (TC = 25 °C, t = 1 с)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SVF18N50PN 18N50 MOSFET TO-3P, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVF18N50PN ( 18N50 ) оригінал (заміна для FDA18N50 , FQA18N50 ) , TO-3P

Немає в наявності

235,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (25 °C)	18 А (Tc 25 °C)
Струм Id (100 °C)	11 А
Rds(on)	0.31 Ом (макс.), 0.26 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 9 А
Vgs(th)	від 2.0 до 4.0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА
Qg	38 нКл (тип.; Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В)
Потужність Pd	240 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	є (Vsd макс. 1.3 В при Is 18 А)
Корпус	TO-3P
Виробник	Hangzhou Silan Microelectronics
Стан	Оригінал

SVF4N65F транзистор TO220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор SVF4N65F оригінал (4A,650V), TO220F

Немає в наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id (25 °C)	4.0 А (Tc = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	2.5 А (Tc = 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	2.3 Ом тип., 2.7 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Тип каналу	N
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

TK13A60D MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор TK13A60D ( K13A60D ) оригінал , TO220F

Немає в наявності

173,90 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Toshiba
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds (VDSS)	600 В
Струм стоку Id (DC)	13 А (Ta 25 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	0,33 Ом тип., 0,43 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Заряд затвора Qg	40 нКл (Vdd ≈ 400 В, Vgs 10 В, Id 13 А)
Розсіювана потужність Pd	52 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура каналу Tch	150 °C
Час зворотного відновлення діода trr	1600 нс (Idr 13 А, Vgs 0 В, dI/dt 100 А/мкс)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

TSF20N60MR MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор TSF20N60MR ( заміна для TSF20N50MR , STP20NM60FP , FQPF20N60 , HM20N60F , SIHP15N60E , JS60R380F , 60S380CE , IPAW60R380CE , R6020ANX , SVF20N60F , K18A60V , TK18A60V , FCPF20N60 , FQPF20N60C ) оригінал , TO220F

Немає в наявності

173,90 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)	20 А (обмежено макс. температурою переходу)
Струм Id (100 °C)	12 А
Rds(on)	0.30 Ом (тип.), макс. 0.4 Ом при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)	3–5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Qg	57 нКл (тип., макс. 65) при Vds 480 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Вбудований діод	є: Vsd макс. 1.4 В, trr 435 нс (тип.)
Корпус	TO-220F
Виробник	Truesemi
Стан	Оригінал

UTC100N03L MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор UTC UTC100N03L ( 100N03L , UT100N03 , 100N03 ) оригінал, TO220(заміна для MT3203 )

Немає в наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	30 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (25 °C)	100 А (Tc 25 °C)
Rds(on)	4.6 мОм (макс.), 3.6 мОм (тип.) при Vgs 10 В, Id 50 А
Vgs(th)	від 1.0 до 3.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Qg	81 нКл (Vds 15 В, Vgs 5 В, Id 16 А)
Потужність Pd	100 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220
Виробник	UTC (Unisonic Technologies)
Стан	Оригінал