Польові транзистори
Транзистор ME12N15 ( ME12N15-G ) , D-PAK (150V,13.6A,0.15R)
Немає в наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 150 В (VGS=0 V, ID=250 µA) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 13.6 А |
| Струм Id (Tc 70 °C) | 10.9 А |
| Опір Rds(on), макс. | 150 мОм (VGS=10 V, ID=8 A; 250 мОм при VGS=4.5 V, ID=5 A) |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В (VDS=VGS, ID=250 µA) |
| Заряд затвора Qg | 31.8 нКл (VDD=120 V, VGS=10 V, ID=8 A) |
| Потужність Pd | 28.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N (logic level) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор OSPF10N80 ( PF10N80 )(10A,800V)(заміна для FQPF10N70 , FQPF10N80 , HM10N80F , FIR10N80F ), TO220F
Немає в наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 800 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 10 А |
| Rds(on) | 0.68 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 5 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 45 нКл (тип., макс. 58) при Vds 640 В, Vgs 10 В, Id 10 А |
| Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.4 В при Is 10 А, Vgs 0 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
Транзистор PF610BL , sot223
Немає в наявності
29,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 100 В (V(BR)DSS при VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (TA 25 °C) | 0,9 А |
| Струм стоку Id (TA 70 °C) | 0,5 А |
| Опір Rds(on) при VGS 10 В | 0,48 Ом тип., 0,7 Ом макс. (ID = 0,9 А; TJ 25 °C) |
| Опір Rds(on) при VGS 4,5 В | 0,52 Ом тип., 0,9 Ом макс. (ID = 0,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1 / 1,8 / 3 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS) |
| Заряд затвора Qg | 7,2 нКл (VDS = 0,5·V(BR)DSS, ID = 0,9 А, VGS = 10 В) |
| Потужність Pd | 1,3 Вт (TA 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SOT-223 |
Транзистор R6015ANX оригінал , TO220F
Немає в наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 15 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 7.0 А |
| Опір Rds(on) тип. | 0.23 Ом (VGS = 10 В, ID = 7.5 А, Tj 25 °C; макс. 0.3 Ом) |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 77 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RU6888R ( RU6888 ) оригінал демонтаж, TO220
Немає в наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds (VDSS) | 68 В |
| Струм стоку Id | 88 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В; обмеження корпусом 75 А), 65 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 6 мОм тип., 8 мОм макс. (Vgs 10 В, Ids 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (Vds = Vgs, Ids 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (Vds 54 В, Vgs 10 В, Ids 40 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 120 Вт (Tc 25 °C), 60 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SI7848BDP , PowerPAK so-8
Немає в наявності
84,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 40 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 55 А (TC 25 °C, VGS 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 41 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Опір Rds(on) | 7.5 мОм (VGS 10 В, ID 15 А) |
| Заряд затвора Qg | 19.7 нКл (тип.; VDS 20 В, VGS 10 В, ID 10 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | PowerPAK SO-8 |
Транзистор SP8K4 , so-8
Немає в наявності
45,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, два транзистори в корпусі |
| Напруга Vds | 30 В (V(BR)DSS при ID 1 мА, VGS 0 В; Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 9,0 А (безперервний, Ta 25 °C, на керамічній платі) |
| Опір Rds(on) | 12 мОм тип., 17 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 10 В; Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) при VGS 4,5 В | 16 мОм тип., 23 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 4,5 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл тип., 21 нКл макс. (VDD 15 В, VGS 5 В, ID 9,0 А) |
| Потужність Pd | 2 Вт (на керамічній платі, Ta 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор ST18N60M2 ( STF18N60M2 , 18N60M2 ) оригінал (заміна для FQPF18N60 , FQPF18N60C , FDPF18N60 , FCPF18N60 , STF18NM60N , SVF18N60F ) , TO220F
Немає в наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; 650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 13 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 8 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 52 А |
| Опір Rds(on) | 0,255 Ом тип., 0,280 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 21,5 нКл (VDD = 480 В, ID = 13 А, VGS = 0–10 В) |
| Потужність Pd | 25 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція корпусу | 2,5 кВ ефект. (t = 1 с, TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STD12NM50N (550V,11A,0.38R) , D-PAK(Заміна для FDD8N50NZ )
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 500 В (550 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 6,7 А |
| Опір Rds(on) | 0,29 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А; TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.) (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 340 нс (ISD = 11 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 100 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор STD14NM50N ( ST14NM50N ) оригінал (550V,12A,0.32R) , D-PAK(заміна для 50S500CE IPD50R500CE )
Немає в наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 8 А |
| Опір Rds(on) | 285 мОм тип., 320 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А; TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS 0–10 В) |
| Потужність Pd | 90 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 252 нс (ISD = 12 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 60 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF24NM60N ( 24NM60N , ST24NM60N) оригінал, TO220F
Немає в наявності
127,84 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 17 А (Tc = 25 °C, корпус TO-220FP) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11 А (Tc = 100 °C, корпус TO-220FP) |
| Опір Rds(on) | 168 мОм тип., 190 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 17 А, VGS = 0–10 В) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc = 25 °C, корпус TO-220FP) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STP14NK50ZFP оригінал демонтаж, TO-220F
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 14 А (TC = 25 °C, TO-220FP, обмежено температурою переходу) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 7,6 А (TC = 100 °C, TO-220FP) |
| Імпульсний струм стоку | 48 А (TO-220FP) |
| Опір Rds(on) | 0,340 Ом тип., 0,380 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,00–4,50 В, тип. 3,75 В (VDS = VGS, ID = 100 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 69 нКл тип., 92 нКл макс. (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS = 0–10 В) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC = 25 °C, TO-220FP) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція корпусу | 2,5 кВ ефект. (TC = 25 °C, t = 1 с) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF18N50PN ( 18N50 ) оригінал (заміна для FDA18N50 , FQA18N50 ) , TO-3P
Немає в наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 18 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 11 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (макс.), 0.26 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 9 А |
| Vgs(th) | від 2.0 до 4.0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА |
| Qg | 38 нКл (тип.; Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В) |
| Потужність Pd | 240 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.3 В при Is 18 А) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF4N65F оригінал (4A,650V), TO220F
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4.0 А (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 2.5 А (Tc = 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 2.3 Ом тип., 2.7 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK13A60D ( K13A60D ) оригінал , TO220F
Немає в наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds (VDSS) | 600 В |
| Струм стоку Id (DC) | 13 А (Ta 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,33 Ом тип., 0,43 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (Vdd ≈ 400 В, Vgs 10 В, Id 13 А) |
| Розсіювана потужність Pd | 52 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 1600 нс (Idr 13 А, Vgs 0 В, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSF20N60MR ( заміна для TSF20N50MR , STP20NM60FP , FQPF20N60 , HM20N60F , SIHP15N60E , JS60R380F , 60S380CE , IPAW60R380CE , R6020ANX , SVF20N60F , K18A60V , TK18A60V , FCPF20N60 , FQPF20N60C ) оригінал , TO220F
Немає в наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (обмежено макс. температурою переходу) |
| Струм Id (100 °C) | 12 А |
| Rds(on) | 0.30 Ом (тип.), макс. 0.4 Ом при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 3–5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 57 нКл (тип., макс. 65) при Vds 480 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.4 В, trr 435 нс (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Truesemi |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UTC UTC100N03L ( 100N03L , UT100N03 , 100N03 ) оригінал, TO220(заміна для MT3203 )
Немає в наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 4.6 мОм (макс.), 3.6 мОм (тип.) при Vgs 10 В, Id 50 А |
| Vgs(th) | від 1.0 до 3.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 81 нКл (Vds 15 В, Vgs 5 В, Id 16 А) |
| Потужність Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Стан | Оригінал |