Польові транзистори

AP88N30W транзистор TO-3P, фото маркування

Немає в наявності

141,94 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Advanced Power Electronics Corp.
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-3P
Напруга Vds	300 В (VGS = 0 В, ID = 10 мА)
Струм Id	88 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Опір Rds(on)	48 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 44 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3–4,5 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА)
Заряд затвора Qg	170 нКл тип., 250 нКл макс.
Потужність Pd	150 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал

AP9971GD 9971D здвоєний MOSFET DIP8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор AP9971GD ( 9971D- маркування ) , DIP8

Немає в наявності

46,53 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Advanced Power Electronics Corp.
Тип	Здвоєний MOSFET N-канал
Корпус	DIP8
Напруга Vds	60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id	5 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (70 °C)	3,2 А (TA = 70 °C, VGS = 10 В)
Опір Rds(on)	50 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А)
Опір Rds(on) при 4,5 В	60 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 2,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd	2 Вт (TA = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C

APM4052D MOSFET N+P TO-252-4, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор APM4052D ( APM4052DU ) (40V,7.5A,6A) , TO252

Немає в наявності

32,90 ₴

Параметр	Значення
Тип	N + P (комплементарна пара)
Напруга Vds (N-канал)	40 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА)
Напруга Vds (P-канал)	-40 В (VGS = 0 В, IDS = -250 мкА)
Струм Id (N-канал, Tc 25 °C)	20 А
Струм Id (P-канал, Tc 25 °C)	-18 А
Опір Rds(on) (N-канал)	30 мОм (VGS = 10 В, IDS = 7.5 А, Tj 25 °C)
Опір Rds(on) (P-канал)	40 мОм (VGS = -10 В, IDS = -6 А, Tj 25 °C)
Потужність Pd	25 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-252-4 (DPAK, 4 виводи)

APM4546 комплементарна пара MOSFET DIP-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор APM4546 , DIP8

Немає в наявності

33,37 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Anpec Electronics
Тип	Комплементарна пара MOSFET (N + P)
Корпус	DIP8
Напруга Vds N-канал	30 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА)
Напруга Vds P-канал	-30 В (VGS = 0 В, IDS = -250 мкА)
Опір Rds(on) N-канал	20 мОм тип., 26 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 8 А)
Опір Rds(on) N-канал при 4,5 В	27 мОм тип., 36 мОм макс. (VGS = 4,5 В, IDS = 5 А)
Опір Rds(on) P-канал	38 мОм тип., 50 мОм макс. (VGS = -10 В, IDS = -6 А)
Порогова напруга Vgs(th) N-канал	0,8–2 В, тип. 1,5 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg N-канал	18,6 нКл тип., 25 нКл макс. (VDS = 15 В, VGS = 10 В, IDS = 8 А)
Макс. температура переходу Tj	150 °C

APM4568 здвоєний MOSFET DIP-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор APM4568 ( APM4568J ) , DIP8

Немає в наявності

55,46 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	Комплементарна пара: N-канал і P-канал
Напруга Vds (N / P)	40 / -40 В (V(BR)DSS при VGS = 0 В, IDS = ±250 мкА)
Струм стоку Id (N / P)	7,5 / -6 А (VGS = 10 В (N), VGS = -10 В (P); TA 25 °C)
Опір Rds(on), N-канал	21 мОм тип., 29 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 7,5 А)
Опір Rds(on), P-канал	36 мОм тип., 50 мОм макс. (VGS = -10 В, IDS = -6 А)
Порогова напруга Vgs(th), N-канал	1,3 / 2 / 2,5 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg, N-канал	20 нКл тип., 28 нКл макс. (VDS = 20 В, VGS = 10 В, IDS = 7,5 А)
Потужність Pd	2,5 Вт (TA 25 °C, на платі 1 дюйм²)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	DIP8

APM4953 FDS4953 P-канальний MOSFET SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор APM4953 ( FDS4953 ) , so-8

Немає в наявності

26,79 ₴

Параметр	Значення
Тип	P-канал, 2 транзистори в корпусі
Напруга Vds	-30 В (VGS=0 В, ID=-250 мкА)
Струм Id	-5,8 А (TA=25 °C); -4,5 А (TA=75 °C)
Rds(on)	40 мОм тип., 60 мОм макс. (VGS=-10 В, ID=-5 А)
Rds(on) при VGS=-4,5 В	55 мОм тип., 80 мОм макс. (ID=-4 А)
Vgs(th)	-1…-2 В, тип. -1,5 В (VGS=VDS, ID=-250 мкА)
Заряд затвора Qg	9,2 нКл тип., 11 нКл макс. (VGS=-10 В, VDS=-15 В)
Потужність розсіювання Pd	3,2 Вт (TA=25 °C)
Tj max	150 °C
Корпус	SO-8

BF245A транзистор JFET TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BF245A

Немає в наявності

28,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канал, JFET
Напруга стік–затвор Vdg	30 В
Прямий струм затвора Igf	10 мА
Початковий струм стоку Idss	2–6,5 мА (VDS=15 В, VGS=0)
Крутизна gfs	3–6,5 мСм (VDS=15 В, VGS=0, f=1 кГц)
Потужність розсіювання Pd	350 мВт (TA=25 °C, зниження 2,8 мВт/°C)
Робочий діапазон температур	-55…150 °C
Корпус	TO-92

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BTS112A , D2PAK

Немає в наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал, режим збагачення (TEMPFET)
Напруга Vds	60 В
Струм стоку Id	12 А (Tc 33 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	0,12 Ом тип., 0,15 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7,5 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2,5–3,5 В (тип. 3,0 В; Vgs = Vds, Id 1 мА)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Пряма напруга діода Vsd	1,3 В тип., 1,6 В макс. (If 12 А, Vgs 0 В)
Корпус	D2PAK

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BUZ11 , TO220

Немає в наявності

22,09 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канал, підвищення
Напруга Vds	50 В (TJ 25–125 °C)
Струм Id	30 А (TC=30 °C)
Імпульсний струм Idm	120 А
Rds(on)	0,03 Ом тип., 0,04 Ом макс. (ID=15 А, VGS=10 В)
Vgs(th)	2,1–4 В, тип. 3 В (VGS=VDS, ID=1 мА)
Напруга затвор–витік Vgs	±20 В
Потужність розсіювання Pd	75 Вт (TC=25 °C, зниження 0,6 Вт/°C)
Крутизна gfs	8 См тип., 4 См мін. (VDS=25 В, ID=15 А)
Діапазон температур	-55…150 °C
Корпус	TO-220

Порівняти

Додати в обране

Транзистор BUZ90AF оригінал

Немає в наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга стік–витік Vdss	600 В (Vgs 0 В, Id 0.25 мА, Tc 25 °C, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)	4.0 А (Tc 25 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	2.0 Ом (макс.; Vgs 10 В, Id 2.8 А, Tc 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2.1–4.0 В (Vds 10 В, Id 1.0 мА, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd	75 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C (робочий діапазон -55~150 °C)
Пряма напруга вбудованого діода Vsd	1.2 В (макс.; Is 2.8 А, Vgs 0 В)
Стан	Оригінал

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор F13N65A ( JMPF13N65A , STF13N65 , MDF13N65B ) оригінал демонтаж , TO220F

Немає в наявності

173,90 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга стік–витік Vds	650 В (Vgs 0 В, Id 1 мА)
Струм стоку Id (25 °C)	10 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	6.3 А (Tc 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	370 мОм тип., 430 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 5 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2 / 3 / 4 В (мін. / тип. / макс.; Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	17 нКл тип. (Vdd 520 В, Id 10 А, Vgs 0…10 В)
Розсіювана потужність Pd	25 Вт (Tc 25 °C)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

FHP100N03 MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор FHP100N03 оригінал, TO220

Немає в наявності

54,99 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	30 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В)
Струм стоку Id (25 °C)	100 А (TC = 25 °C, обмежено температурою переходу)
Струм стоку Id (100 °C)	68 А (TC = 100 °C)
Імпульсний струм стоку	400 А
Опір Rds(on) при 10 В	3,7 мОм тип., 4,8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А)
Опір Rds(on) при 4,5 В	5,1 мОм тип., 7,2 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 16 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	26 нКл (VDS = 15 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Потужність Pd	44,6 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор–витік	±20 В
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

FQPF8N60C MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор FQPF8N60C ( HM8N60F ) , TO220F

Немає в наявності

79,90 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	7.5 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	4.6 А
Опір Rds(on)	1.0 Ом typ. (макс. 1.2 Ом), Vgs 10 В, Id 3.75 А
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	28 нКл typ. (Vds 480 В, Id 7.5 А, Vgs 10 В)
Потужність розсіювання Pd	48 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Тип каналу	N
Корпус	TO-220F
Вбудований діод	є, Vsd макс. 1.4 В (Is 7.5 А, Vgs 0 В)

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор HY3408A ( HY3408 , HY3408P ) оригінал демонтаж,TO220

Немає в наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Виробник	HUAYI
Тип каналу	N, режим збагачення
Напруга Vds	85 В (VGS 0 В, ID 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	140 А (на великому радіаторі)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	99 А
Опір відкритого каналу Rds(on)	7,5 мОм макс., 6,3 мОм тип. (VGS 10 В, IDS 60 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3,0 В тип. (2,0–4,0 В; VDS = VGS, IDS 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd	250 Вт (Tc 25 °C), 125 Вт (Tc 100 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Вбудований діод	є (VSD 0,8 В, макс. 1,2 В при ISD 70 А; trr 28 нс, Qrr 52 нКл)
Корпус	TO-220FB-3L
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

HYG043N10 HYG043N10NS2P G043N10 транзистор TO220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор HYG043N10 ( HYG043N10NS2P , G043N10 ) оригінал, TO220

Немає в наявності

64,39 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	100 В (Tc = 25 °C)
Струм стоку Id (25 °C)	164 А (Tc = 25 °C, на великому радіаторі)
Струм стоку Id (100 °C)	116 А (Tc = 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	3.5 мОм тип., 4.8 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 50 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В, тип. 3.2 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	100 нКл тип. (VDS = 80 В, IDS = 50 А, VGS = 10 В)
Потужність розсіювання Pd	258.6 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Тип каналу	N
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF1010NS оригінал , D2PAK

Немає в наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Корпус	D2PAK
Тип каналу	N-канал
Напруга стік–витік Vdss	55 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)	85 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C; обмеження корпусу 75 А)
Струм стоку Id (100 °C)	60 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	11 мОм (макс.; Vgs 10 В, Id 43 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	120 нКл (макс.; Id 43 А, Vds 44 В, Vgs 10 В)
Розсіювана потужність Pd	180 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C (робочий діапазон -55…+175 °C)
Пряма напруга вбудованого діода Vsd	1.3 В (макс.; Tj 25 °C, Is 43 А, Vgs 0 В)
Час зворотного відновлення діода trr	69 нс (тип., макс. 100 нс; Tj 25 °C, If 43 А, di/dt 100 А/мкс)
Стан	Оригінал

IRF4905 P-канальний MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF4905 оригінал (55V,74A,200W,0.02R) , TO220

Немає в наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	–55 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id	–74 А (безперервний, Ta 25 °C)
Опір Rds(on)	0.02 Ом (Vgs –10 В, Id –38 А)
Порогова напруга Vgs(th)	–2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА)
Потужність розсіювання Pd	200 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Тип каналу	P
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF5305 P-канальний MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF5305 оригінал (55V,31A,0.06R,110W) , TO220

Немає в наявності

39,01 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	–55 В (Vgs 0 В, Id –250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	–31 А (Vgs –10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	–22 А (Vgs –10 В)
Опір Rds(on)	0.06 Ом макс. (Vgs –10 В, Id –16 А)
Порогова напруга Vgs(th)	–2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА)
Заряд затвора Qg	63 нКл макс. (Id –16 А, Vds –44 В, Vgs –10 В)
Потужність розсіювання Pd	110 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Тип каналу	P
Корпус	TO-220
Вбудований діод	є, trr 170 нс typ. (di/dt –100 А/мкс)
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF540N оригінал (100V,28A,150W) , TO220

Немає в наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	100 В (Tc 25 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	35 мОм (тип., Vgs 10 В, Id 10 А)
Заряд затвора Qg	52 нКл (тип., Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 33 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Макс. напруга затвор–витік Vgs	±20 В
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF614 оригінал (N-,250V,2.7A,36W,2R) , TO220

Немає в наявності

58,75 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	250 В (Vgs 0, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	2,7 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	1,7 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Опір відкритого каналу Rds(on)	2,0 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 1,6 А)
Заряд затвора Qg	8,2 нКл (макс., Vgs 10 В)
Потужність розсіювання Pd	36 Вт (Tc 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Макс. напруга затвор–витік Vgs	±20 В
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF710 оригінал (400V,2A,36W,3.6R),TO220

Немає в наявності

31,02 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	400 В (Vgs 0, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	2,0 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	1,2 А (Tc 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	3,6 Ом (макс.; тип. 3,3 Ом; Vgs 10 В, Id 1,1 А)
Заряд затвора Qg	7,0 нКл тип., 12 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 2,0 А, Vds 0,8 × 400 В)
Потужність розсіювання Pd	36 Вт (Tc 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (Vgs = Vds, Id 250 мкА)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7241 , so-8

Немає в наявності

31,49 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал (HEXFET, trench)
Напруга Vds	−40 В (Vgs 0, Id −250 мкА)
Струм Id (25 °C)	−6,2 А (Ta 25 °C, Vgs −10 В)
Струм Id (70 °C)	−4,9 А (Ta 70 °C, Vgs −10 В)
Rds(on) при Vgs −10 В	41 мОм макс. (тип. 25), Id −6,2 А
Rds(on) при Vgs −4,5 В	70 мОм макс. (тип. 45), Id −5,0 А
Vgs(th)	−1,0…−3,0 В (Vds = Vgs, Id −250 мкА)
Заряд затвора Qg	53 нКл тип., 80 нКл макс. (Vgs −10 В, Id −6,2 А, Vds −32 В)
Потужність Pd	2,5 Вт (Ta 25 °C; 1,6 Вт при Ta 70 °C)
Макс. напруга Vgs	±20 В
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SO-8

IRF7309 N+P MOSFET SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7309 (30V,4.7A,-3.5A,1.4W) , so-8

Немає в наявності

28,20 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал + P-канал в одному корпусі (HEXFET, 5-е покоління)
Напруга Vds (N / P)	30 / −30 В (Vgs 0, Id ±250 мкА)
Струм Id (N / P), 25 °C	4,0 / −3,0 А (неперервний, Ta 25 °C, Vgs ±10 В)
Струм Id (N / P), 70 °C	3,2 / −2,4 А (неперервний, Ta 70 °C, Vgs ±10 В)
Струм Id, імпульс 10 с (N / P)	4,7 / −3,5 А (Ta 25 °C, Vgs ±10 В)
Rds(on) при Vgs ±10 В (N / P)	0,050 / 0,10 Ом макс. (Id 2,4 А (N) / −1,8 А (P))
Rds(on) при Vgs ±4,5 В (N / P)	0,080 / 0,16 Ом макс. (Id 2,0 А (N) / −1,5 А (P))
Vgs(th) (N / P)	мін. 1,0 / мін. −1,0 В (Vds = Vgs, Id ±250 мкА)
Потужність Pd	1,4 Вт (Ta 25 °C, монтаж на плату)
Макс. напруга Vgs	±20 В
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SO-8 (8 виводів, два кристали)

IRF7313 здвоєний MOSFET SOP-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7313 (30V,6.5A,2W,0.029R) , so-8

Немає в наявності

19,74 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	2 × N-канал (здвоєний)
Напруга Vds	30 В
Струм Id (25 °C)	6.5 А (TA 25 °C)
Струм Id (70 °C)	5.2 А (TA 70 °C)
Rds(on) при Vgs 10 В	29 мОм макс. (тип. 23 мОм), Id 5.8 А, Tj 25 °C
Rds(on) при Vgs 4.5 В	46 мОм макс. (тип. 32 мОм), Id 2 А, Tj 25 °C
Vgs(th)	мін. 1 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	22 нКл тип. (макс. 33), Id 5.8 А, Vds 15 В, Vgs 10 В
Потужність Pd	2 Вт (TA 25 °C; 1.3 Вт при TA 70 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SO-8

IRF7316 здвоєний P-канальний MOSFET SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7316 (30V,4.9A,2W,0.058R) , so-8

Немає в наявності

26,79 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	2 × P-канал (здвоєний)
Напруга Vds	-30 В
Струм стоку Id (TA 25 °C)	-4.9 А
Струм стоку Id (TA 70 °C)	-3.9 А
Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -4.9 А, Tj 25 °C)	0.058 Ом
Rds(on) макс. (Vgs -4.5 В, Id -3.6 А, Tj 25 °C)	0.098 Ом
Порогова напруга Vgs(th) мін.	-1.0 В (Vds = Vgs, Id -250 мкА)
Заряд затвора Qg	23 нКл (тип.; Id -4.9 А, Vds -15 В, Vgs -10 В)
Розсіювана потужність Pd	2.0 Вт (TA 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SO-8
Виробник	Infineon (International Rectifier)

IRF7328 здвоєний P-канальний MOSFET SOP-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7328 (30V,8A,2W,0.021R) , so-8

Немає в наявності

43,71 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	2 × P-канал (здвоєний)
Напруга Vds	-30 В
Струм стоку Id (TA 25 °C)	-8 А
Струм стоку Id (TA 100 °C)	-5.8 А
Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -8 А, TA 25 °C)	16 мОм
Rds(on) макс. (Vgs -4.5 В, Id -5.6 А, TA 25 °C)	25 мОм
Порогова напруга Vgs(th)	-1.65 В (тип.; від -1 до -2.5; Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	26 нКл (тип.; Vgs -10 В, Vds -15 В, Id -8 А)
Час зворотного відновлення діода trr	16.3 нс (тип.; Isd -8 А, dIsd/dt 100 А/мкс)
Розсіювана потужність Pd	2.5 Вт (TA 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SO-8

IRF7424 P-канальний MOSFET SOP-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7424 (30V,11A,0.0135R) , so-8

Немає в наявності

31,49 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vds	-30 В
Струм стоку Id (TA 25 °C, Vgs -10 В)	-12 А
Струм стоку Id (TA 70 °C, Vgs -10 В)	-9.1 А
Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -10 А, Tj 25 °C)	15 мОм
Rds(on) макс. (Vgs -4.5 В, Id -5 А, Tj 25 °C)	24 мОм
Порогова напруга Vgs(th)	-1.6 В (тип.; від -1.0 до -2.5; Vds = Vgs, Id -250 мкА)
Заряд затвора Qg	22 нКл (тип.; Vds -15 В, Id -5 А, Vgs -10 В)
Розсіювана потужність Pd	2.5 Вт (TA 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SO-8

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF820 оригінал

Немає в наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В (Tj від 25 до 125 °C)
Струм Id (25 °C)	2.5 А (Tc 25 °C)
Rds(on)	3.0 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 1.4 А, Tc 25 °C (тип. 2.5 Ом)
Vgs(th)	2.0–4.0 В при Id 250 мкА
Qg	12 нКл (тип., макс. 19) при Vgs 10 В, Id 2.5 А, Vds 0.8 × Vdss
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220
Виробник	Intersil
Стан	Оригінал

IRFL024N MOSFET SOT-223, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFL024N , sot223

Немає в наявності

21,15 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал (HEXFET)
Напруга Vds	55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id (25 °C)	4.0 А (TA 25 °C, VGS 10 В, плата 1 кв. дюйм міді)
Струм Id (мінімальна площадка)	2.8 А (TA 25 °C, VGS 10 В)
Струм Id (70 °C)	2.3 А (TA 70 °C, VGS 10 В, мінімальна площадка FR-4)
Rds(on)	0.075 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 2.8 А, Tj 25 °C
Vgs(th)	2.0–4.0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Напруга затвор–витік Vgs	±20 В (макс.)
Qg	18.3 нКл (макс.) при ID = 1.68 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В
Потужність Pd	2.1 Вт (TA 25 °C, плата 1 кв. дюйм міді)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SOT-223
Виробник	International Rectifier

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFL210 (200V;0.96A;3.1W;1,5 Ohm) , SOT-223

Немає в наявності

23,03 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id (25 °C)	0.96 А (TC 25 °C, VGS 10 В)
Струм Id (100 °C)	0.6 А (TC 100 °C, VGS 10 В)
Rds(on)	1.5 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 0.58 А
Vgs(th)	2.0–4.0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Напруга затвор–витік Vgs	±20 В (макс.)
Qg	8.2 нКл (макс.) при VGS = 10 В, ID = 3.3 А, VDS = 160 В
Потужність Pd	3.1 Вт (TC 25 °C; 2.0 Вт при монтажі на плату, TA 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SOT-223
Виробник	Vishay

IRFP264 IRFP264PBF MOSFET TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP264 ( IRFP264PBF ) оригінал , TO247

Немає в наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	250 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	38 А (VGS = 10 В, TC = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	24 А (VGS = 10 В, TC = 100 °C)
Імпульсний струм стоку	150 А
Опір Rds(on)	0,075 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 23 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	210 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 38 А, VDS = 200 В)
Потужність Pd	280 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор–витік	±20 В
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFR024N ( IRFR024 ) (55V,17A,45W,0.075R) D-PAK демонтаж

Немає в наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	55 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (25 °C)	17 А (TC 25 °C, Vgs 10 В)
Струм Id (100 °C)	12 А (TC 100 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on)	0.075 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Напруга Vgs	±20 В макс.
Заряд затвора Qg	20 нКл макс. (Id 10 А, Vds 44 В, Vgs 10 В)
Потужність Pd	45 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Тип каналу	N
Стан	Демонтаж б/в

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFR9024N , D-PAK (55V,11A,38W, 0.175R)

Немає в наявності

34,78 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	–55 В (Vgs 0 В, Id –250 мкА)
Струм Id (25 °C)	–11 А (TC 25 °C, Vgs –10 В)
Струм Id (100 °C)	–8 А (TC 100 °C, Vgs –10 В)
Опір Rds(on)	0.175 Ом макс. (Vgs –10 В, Id –6.6 А)
Порогова напруга Vgs(th)	–2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА)
Напруга Vgs	±20 В макс.
Заряд затвора Qg	19 нКл макс. (Id –7.2 А, Vds –44 В, Vgs –10 В)
Потужність Pd	38 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Тип каналу	P
Вбудований діод	є (Vsd макс. –1.6 В при Is –7.2 А)

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFR9220 , D-PAK (200V;3.6A;42W;1.5 Ohm)

Немає в наявності

28,20 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	–200 В (Vgs 0 В, Id –250 мкА)
Струм Id (25 °C)	–3.6 А (TC 25 °C, Vgs –10 В)
Струм Id (100 °C)	–2.3 А (TC 100 °C, Vgs –10 В)
Опір Rds(on)	1.5 Ом макс. (Vgs –10 В, Id –2.2 А)
Порогова напруга Vgs(th)	–2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА)
Напруга Vgs	±20 В макс.
Заряд затвора Qg	20 нКл макс. (Vgs –10 В, Id –3.9 А, Vds –160 В)
Потужність Pd	42 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Тип каналу	P
Вбудований діод	є (trr тип. 150 нс, макс. 300 нс)

IRFS640B MOSFET TO-220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFS640B ( заміна для IRFS640A , IRFS630A , IRF630MFP ) , TO220F

Немає в наявності

54,99 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Fairchild Semiconductor
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220F
Напруга Vds	200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)	18 А (TC = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	11,4 А (TC = 100 °C)
Опір Rds(on)	0,18 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 9 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	45 нКл тип. (VDS = 160 В, ID = 18 А, VGS = 10 В)
Потужність Pd	43 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	є

IRLML2502 MOSFET SOT-23, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRLML2502 , sot23

Немає в наявності

10,34 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Корпус	SOT-23
Напруга Vds	20 В (TA = 25 °C)
Струм стоку Id	4,2 А (TA = 25 °C, постійний)
Опір Rds(on)	45 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 4,2 А, TA = 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	0,6–1,2 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	8 нКл тип. (VDS = 10 В, VGS = 5 В, ID = 4 А)
Потужність Pd	1,25 Вт (TA = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	є

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRLR024N , D-PAK

Немає в наявності

24,91 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Напруга Vds	55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)	17 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	12 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В)
Опір Rds(on)	0,065 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	15 нКл макс. (ID = 11 А, VDS = 44 В, VGS = 5 В)
Потужність Pd	45 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Вбудований діод	є

IXTQ82N25P MOSFET TO-3P, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IXTQ82N25P демонтаж(250V,82A,0.035R) , TO-3P

Немає в наявності

267,90 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Littelfuse/IXYS
Тип каналу	N-канал
Напруга стік–витік Vdss	250 В (Tj 25…150 °C)
Струм стоку Id (25 °C)	82 А (Tc 25 °C; обмеження виводів 75 А)
Опір відкритого каналу Rds(on)	38 мОм макс. (Vgs 10 В, Id = 0.5 × Id25, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)	2.5–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg(on)	142 нКл (Vgs 10 В, Vds = 0.5 × Vdss, Id = 0.5 × Id25)
Розсіювана потужність Pd	500 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	швидкий (Fast Intrinsic Rectifier)
Корпус	TO-3P
Стан	Демонтаж б/в

J201 JFET транзистор TO-92, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор J201 , TO92

Немає в наявності

70,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	JFET N-канал
Напруга пробою затвор–джерело V(BR)GSS	–40 В (мін.; IG –1 мА, VDS 0 В, TA 25 °C)
Напруга відсічки Vgs(off)	–0.3…–1.5 В (VDS 15 В, ID 10 нА, TA 25 °C)
Струм насичення стоку Idss	0.2–1 мА (VDS 15 В, VGS 0 В, TA 25 °C)
Крутизна gfs	0.5 мСм (мін.; VDS 15 В, VGS 0 В, f 1 кГц)
Потужність розсіювання Pd	350 мВт (TA 25 °C; спад 2,8 мВт/°C вище 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Макс. струм затвора	50 мА
Корпус	TO-92

MDP15N60G MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор Magna MDP15N60G оригінал, TO220

Немає в наявності

90,24 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (25 °C)	15 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Струм Id (100 °C)	9.5 А
Rds(on)	0.40 Ом (макс.), 0.34 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 7.5 А
Vgs(th)	від 3.0 до 5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Qg	49.0 нКл (тип.; Vds 480 В, Id 15 А, Vgs 10 В)
Потужність Pd	231.4 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	є (Vsd макс. 1.4 В при Is 15 А)
Корпус	TO-220
Виробник	MagnaChip
Стан	Оригінал

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Польові транзистори