Польові транзистори
Транзистор IRF5210 оригінал (100V,40A,200W,0.06R) , TO220
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vdss | -100 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C, VGS = -10 В) | -40 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C, VGS = -10 В) | -29 А |
| Rds(on) (VGS = -10 В, ID = -24 А) | 0,06 Ом (макс.) |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 200 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2700 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF530N оригінал (100V,14A,88W) , TO220
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 17 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 9,0 А) | 90 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 70 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Вхідна ємність Ciss | 920 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF630N оригінал (200V,9A,0.4R,88W)
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C, VGS = 10 В) | 9,3 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C, VGS = 10 В) | 6,5 А |
| Імпульсний струм Idm | 37 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 5,4 А) | 0,30 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 82 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Вхідна ємність Ciss | 575 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF640N оригінал (200V,18A,125W)
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET 5-го покоління |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга V(BR)DSS | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм ID (TC = 25 °C) | 18 А (VGS = 10 В) |
| Струм ID (TC = 100 °C) | 13 А (VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 0,15 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 11 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл макс. (ID = 11 А, VDS = 160 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 150 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF730 оригінал (400V,5.5A,100W,0.75R)
В наявності
136,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний Power MOSFET, 3-го покоління |
| Виробник | Vishay |
| Напруга VDS | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID (TC = 25 °C) | 5,5 А (VGS = 10 В) |
| Струм ID (TC = 100 °C) | 3,5 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм IDM | 22 А |
| Опір RDS(on) | 1,0 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 3,3 А) |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 74 Вт |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 3,5 А, VDS = 320 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF7319 (30V,6.5A,-4.9A,2W) , so-8
В наявності
39,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, комплементарна пара N+P |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds (N / P) | 30 В / -30 В |
| Струм Id (N / P) | 6.5 А / -4.9 А при TA 25 °C |
| Імпульсний струм Idm | 30 А / -30 А |
| Rds(on) N-канал | 0.023 Ом тип., 0.029 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 5.8 А |
| Rds(on) P-канал | 0.042 Ом тип., 0.058 Ом макс. при Vgs -10 В, Id -4.9 А |
| Потужність Pd | 2.0 Вт при TA 25 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
Транзистор IRF7380 (80V,3.6A,2W,0.073R) , so-8
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, два ключі в корпусі |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vdss | 80 В |
| Струм Id | 3.6 А при TA 25 °C, Vgs 10 В |
| Імпульсний струм Idm | 29 А |
| Rds(on) | 61 мОм тип., 73 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 2.2 А |
| Заряд Qg | 15 нКл тип., 23 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 660 пФ |
| Потужність Pd | 2.0 Вт при TA 25 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
Транзистор IRF7389 (F7389) (30V,7.3A,-5.3A,2.5W) , so-8
В наявності
23,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, комплементарна пара N+P (напівміст) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds (N / P) | 30 В / -30 В |
| Струм Id (N / P) | 7.3 А / -5.3 А при TA 25 °C |
| Імпульсний струм Idm | 30 А / -30 А |
| Rds(on) N-канал | 0.023 Ом тип., 0.029 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 5.8 А |
| Rds(on) P-канал | 0.042 Ом тип., 0.058 Ом макс. при Vgs -10 В, Id -4.9 А |
| Потужність Pd | 2.5 Вт при TA 25 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
Транзистор IRF740 оригінал ( заміна для IRF740A ), TO220
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 400 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, VGS 10 В) | 10 А |
| Струм Id (Tc 100 °C, VGS 10 В) | 6.3 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 6.0 А, макс.) | 0.55 Ом |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 125 Вт |
| Qg (макс.) | 63 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF7413 , so-8
В наявності
23,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (Ta 25 °C, VGS 10 В) | 13 А |
| Струм Id (Ta 70 °C, VGS 10 В) | 9.2 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 7.3 А, макс.) | 0.011 Ом |
| Rds(on) (VGS 4.5 В, ID 3.7 А, макс.) | 0.018 Ом |
| Потужність Pd (Ta 25 °C) | 2.5 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
Транзистор IRF7478 , so-8
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (SMPS) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (Ta 25 °C, VGS 10 В) | 7.0 А |
| Струм Id (Ta 70 °C, VGS 10 В) | 5.6 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 4.2 А, макс.) | 26 мОм |
| Rds(on) (VGS 4.5 В, ID 3.5 А, макс.) | 30 мОм |
| Потужність Pd (Ta 25 °C) | 2.5 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
Транзистор IRF7822 (30V,18A,3.1W,0.005R) , so-8
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (TA 25 °C, VGS 4.5 В) | 18 А |
| Струм стоку Id (TA 70 °C, VGS 4.5 В) | 13 А |
| Rds(on) макс. (VGS 4.5 В, ID 15 А) | 6.5 мОм |
| Rds(on) тип. (VGS 4.5 В, ID 15 А) | 5.0 мОм |
| Заряд затвора Qg тип. (VGS 5.0 В, ID 15 А, VDS 16 В) | 44 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5500 пФ |
| Розсіювана потужність Pd (TA 25 °C) | 3.1 Вт |
| Напруга Vgs | ±12 В |
| Температура Tj і Tstg | від −55 до 150 °C |
Транзистор IRF830 оригінал (Заміна для SVD830T )
В наявності
54,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В) | 4.5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В) | 2.9 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 2.7 А, макс.) | 1.5 Ом |
| Заряд затвора Qg макс. (VGS 10 В, ID 3.1 А, VDS 400 В) | 38 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 610 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C) | 74 Вт |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Vgs(th) (VDS = VGS, ID 250 мкА) | 2.0–4.0 В |
| Температура Tj і Tstg | від −55 до 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF840 ( IRF840A ) оригінал , TO220
В наявності
58,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В) | 8.0 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В) | 5.1 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, Product Summary) | 0.85 Ом |
| Заряд затвора Qg макс. (VGS 10 В) | 63 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C) | 125 Вт |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Vgs(th) (VDS = VGS, ID 250 мкА) | 2.0–4.0 В |
| Температура Tj і Tstg | від −55 до 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF9530N ( F9530N ) оригінал, TO220
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, P-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | –100 В (VGS = 0 В, ID = –250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | –14 А (TC = 25 °C, VGS = –10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | –10 А (TC = 100 °C, VGS = –10 В) |
| Опір Rds(on), макс. | 0.20 Ом (VGS = –10 В, ID = –8.4 А) |
| Потужність Pd | 79 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Tj макс. | 175 °C |
| Заряд затвора Qg, макс. | 58 нКл (ID = –8.4 А, VDS = –80 В, VGS = –10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 760 пФ (f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF9540N ( F9540N , IRF9540 ) оригінал, TO220
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, P-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | –100 В (VGS = 0 В, ID = –250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | –23 А (TC = 25 °C, VGS = –10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | –16 А (TC = 100 °C, VGS = –10 В) |
| Опір Rds(on), макс. | 0.117 Ом (VGS = –10 В, ID = –11 А) |
| Потужність Pd | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Tj макс. | 175 °C |
| Заряд затвора Qg, макс. | 97 нКл (ID = –11 А, VDS = –80 В, VGS = –10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF9630 оригінал
В наявності
65,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds | -200 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | -6.5 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | -4.0 А |
| Імпульсний струм стоку Idm | -26 А |
| Опір Rds(on) макс. | 0.80 Ом |
| Розсіювана потужність Pd | 74 Вт |
| Заряд затвора Qg макс. | 29 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF9640 (200V,11A), TO220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds | -200 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | -11 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | -6.8 А |
| Імпульсний струм стоку Idm | -44 А |
| Опір Rds(on) | 0.50 Ом |
| Розсіювана потужність Pd | 125 Вт |
| Заряд затвора Qg макс. | 44 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ (f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Vishay Siliconix |
Транзистор IRF9Z24N оригінал
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vdss | -55 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | -12 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | -8.5 А |
| Імпульсний струм стоку Idm | -48 А |
| Опір Rds(on) макс. | 0.175 Ом |
| Розсіювана потужність Pd | 45 Вт |
| Заряд затвора Qg макс. | 19 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF9Z34N оригінал
В наявності
57,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, P-канал, HEXFET 5-го покоління |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | -55 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | -19 А (VGS = -10 В) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | -14 А (VGS = -10 В) |
| Rds(on) | 0,10 Ом макс. (VGS = -10 В, ID = -10 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | -2,0…-4,0 В (VDS = VGS, ID = -250 мкА) |
| Розсіювана потужність | 68 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 620 пФ (f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFB20N50K ( FB20N50K , 20N50 ) оригінал демонтаж , TO220 (500V,20A)
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.21 Ом тип., 0.25 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Vds 400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2870 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| trr діода | 520 нс тип., 780 нс макс. (IF 20 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3077 оригінал (Заміна для IRFB3077G )(75V,210A), TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Напруга Vds | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (кристал) | 210 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (корпус) | 120 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (кристал) при 100 °C | 150 А (Tc 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 2.8 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 3.3 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл тип., 220 нКл макс. (ID = 75 А, VDS = 38 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 9400 пФ |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 оригінал ( заміна для YH3206 ) , TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 210 А обмежено кремнієм, 120 А обмежено виводами (VGS = 10 В, TC = 25 °C); 150 А (VGS = 10 В, TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2,4 мОм тип., 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Qg | 120 нКл тип., 170 нКл макс. (ID = 75 А, VDS = 30 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 150 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3207 оригінал, TO220
В наявності
122,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 75 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 170 А (обмеження по виводах корпусу 75 А) |
| Струм Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В) | 120 А |
| Імпульсний струм Idm | 720 А |
| Rds(on) типовий (Vgs 10 В, Id 75 А) | 3.6 мОм |
| Rds(on) максимум (Vgs 10 В, Id 75 А) | 4.5 мОм |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 180 нКл (макс. 260 нКл) |
| Ciss (типово) | 7600 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 300 Вт |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3306 ( FB3306 ) оригінал, TO220
В наявності
125,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний HEXFET MOSFET |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (TC=25 °C, корпус) | 120 А |
| Струм Id (TC=25 °C, кристал) | 160 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 110 А |
| Rds(on) | 3,3 мОм (тип.), 4,2 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=75 А |
| Заряд затвора Qg | 85 нКл (тип.), 120 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4520 пФ |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 230 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon Technologies (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3607 оригінал , TO220
В наявності
67,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon Technologies |
| Напруга Vds | 75 В |
| Струм Id (TC 25 °C, VGS=10 В) | 80 А |
| Струм Id (TC 100 °C, VGS=10 В) | 56 А |
| Rds(on) (VGS=10 В, ID=46 А) | 9 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3070 пФ |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 140 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB4110 оригінал (заміна для IRFB4110G , IRFB4110P , SRT10N047H ), TO220
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C, мін.) |
| Струм ID (кристал) | 180 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (виводи) | 120 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID | 130 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 3.7 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg тип. | 150 нКл (ID = 75 А, VDS = 50 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 9620 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd | 370 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Канал | N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB4115 оригінал , TO220
В наявності
121,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 150 В |
| Струм ID (TC = 25 °C) | 104 А |
| Струм ID (TC = 100 °C) | 74 А |
| Rds(on) типово | 9.3 мОм (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Rds(on) макс. | 11 мОм (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Pd (TC = 25 °C) | 380 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 5270 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs max | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB4227 оригінал , TO220
В наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | N-канальний MOSFET (HEXFET) |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм Id (25 °C) | 65 А |
| Струм Id (100 °C) | 46 А |
| Опір Rds(on) | 24 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 46 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 330 Вт |
| Температура переходу | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB4310 оригінал ( заміна для IRFB4310Z , FB4310Z ) , TO220
В наявності
137,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (TA=25 °C) |
| Струм стоку Id | 110 А |
| Rds(on) тип. | 8 мОм (VGS=10 В, ID=55 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 8050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB4410Z ( FB4410Z ) оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм ID (TC = 25 °C) | 97 А |
| Струм ID (TC = 100 °C) | 69 А |
| Rds(on) типово | 7.2 мОм (VGS = 10 В, ID = 58 А) |
| Rds(on) макс. | 9.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 58 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Pd (TC = 25 °C) | 230 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 4820 пФ |
| Напруга Vgs max | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFB7430 оригінал демонтаж , TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, StrongIRFET |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vdss | 40 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (корпус) | 195 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм стоку Id (кремній) | 409 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) | 1.0 мОм typ, 1.3 мОм max (Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.2 … 3.9 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 300 нКл typ, 460 нКл max (Id 100 А, Vds 20 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 14240 пФ |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB7537 оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм Id | 173 А (TC 25 °C, VGS 10 В); 122 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Rds(on) тип. | 2.75 мОм (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 3.30 мОм (VGS 10 В, ID 100 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,1–3,7 В (VDS = VGS, ID 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 142 нКл, макс. 210 нКл (VGS 10 В, VDS 30 В, ID 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFBC20 оригінал (N-,600V,2.2A,50W,4.4R)
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 2,2 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 1,4 А (VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 4,4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1,3 А) |
| Vgs(th) | 2,0…4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFBC30
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 3,6 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 2,3 А (VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 2,2 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2,2 А) |
| Vgs(th) | 2,0…4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність | 74 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 660 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
Транзистор IRFBC40 оригінал
В наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 6.2 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 3.9 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 3.7 А, максимум) | 1.2 Ом |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 125 Вт |
| Заряд затвора Qg (максимум) | 60 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFD110 (100V,1A,1W,0.5R), DIP4
В наявності
31,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (TA = 25 °C) | 1.0 А |
| Струм Id (TA = 100 °C) | 0.71 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.60 А, максимум) | 0.54 Ом |
| Заряд затвора Qg (максимум) | 8.3 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 180 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | DIP4 (HVMDIP, 4 виводи) |
Транзистор IRFD220 (200V,0.8A,1W,0.8R), DIP4
В наявності
36,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм Id (TA = 25 °C) | 0.80 А |
| Струм Id (TA = 100 °C) | 0.50 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.48 А, максимум) | 0.80 Ом |
| Потужність Pd (TA = 25 °C) | 1.0 Вт |
| Заряд затвора Qg (максимум) | 14 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 260 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Корпус | DIP4 (HVMDIP, 4 виводи) |
Транзистор IRFI730G оригінал, TO220F
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Vishay |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 400 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 3.7 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C), 2.3 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1.0 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2.1 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 3.7 А, Vds 320 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |