Мікросхеми
Мікросхема TDA8177 оригінал
В наявності
66,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Напруга живлення, макс. | 40 В (вив. 2 відносно вив. 4) |
| Робоча напруга живлення | 10–35 В |
| Пікова напруга зворотного ходу, макс. | 75 В (вив. 6 відносно вив. 4) |
| Вихідний пік. струм, макс. | 2.5 А (до 4 А при t ≤ 10 мкс, до 120 Гц, у межах SOAR) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C (рекомендована макс. 120 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –20…+75 °C |
| Підсилення за напругою | 80 dB (VS = 35 В, Tамб 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA8177 оригінал демонтаж
В наявності
39,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | HEPTAWATT |
| Напруга живлення, макс. | 40 В (вив. 2 відносно вив. 4) |
| Робоча напруга живлення | 10–35 В |
| Пікова напруга зворотного ходу, макс. | 75 В (вив. 6 відносно вив. 4) |
| Вихідний пік. струм, макс. | 2.5 А (до 4 А при t ≤ 10 мкс, до 120 Гц, у межах SOAR) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C (рекомендована макс. 120 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –20…+75 °C |
| Підсилення за напругою | 80 dB (VS = 35 В, Tамб 25 °C) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TDA8177F оригінал
В наявності
41,36 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення, макс. | 40 В (вив. 2 відносно вив. 4) |
| Робоча напруга живлення | 10–35 В |
| Різниця напруг V3 – V2, макс. | 50 В |
| Напруга живлення генератора зворотного ходу | до 70 В |
| Вихідний пік. струм, макс. | 2.5 А (до 4 А при t ≤ 10 мкс, до 120 Гц, у межах SOAR) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C (рекомендована макс. 120 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Робоча температура навколишнього середовища | –20…+75 °C |
| Підсилення за напругою | 80 dB (VS = 35 В, Tамб 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8350Q оригінал
В наявності
195,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DBS13P (SOT141-6) |
| Напруга живлення Vp | 9–25 В |
| Струм спокою Iq | 30 мА |
| Вихідний струм Io(p-p) | 3 А |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу Im | ±1,5 А |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 50 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Макс. робоча температура | +75 °C |
| Вихід East-West: струм (лише втікання) | 500 мА |
| Вихід East-West: пікова напруга | 40 В |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA8356 демонтаж
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Вертикальна розгортка, DC-зв’язана, клас G |
| Напруга живлення Vp | 9–25 В (тип. 14,5 В) |
| Струм спокою Iq | 30 мА (типове значення) |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2 А (макс.) |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу Im | ±1 А (макс.) |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 50 В (макс.) |
| Корпус | SIL9P (SOT131-2) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TDA8356 демонтаж, укорочені виводи
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Вертикальна розгортка, DC-зв’язана, клас G |
| Напруга живлення Vp | 9–25 В (тип. 14,5 В) |
| Струм спокою Iq | 30 мА (типове значення) |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2 А (макс.) |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу Im | ±1 А (макс.) |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 50 В (макс.) |
| Корпус | SIL9P (SOT131-2) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA8357J
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Вертикальна розгортка, повний міст, LVDMOS, клас G |
| Напруга живлення Vp | 7,5–18 В (тип. 12 В) |
| Напруга живлення зворотного ходу Vfb | 2·Vp … 66 В (тип. 45 В) |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2,0 А (макс.) |
| Піковий вихідний струм зворотного ходу | ±1,2 А (макс.) |
| Корпус | DBS9P (SOT523-1) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Температура зберігання | -55…+150 °C |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Мікросхема TDA8357J оригінал
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 7,5–18 В (тип. 12 В) |
| Напруга VFB, макс. | 68 В |
| Вихідний струм Io(p-p) | 2,0 А |
| Струм зворотного ходу, пік | ±1,2 А при t ≤ 1,5 мс |
| Потужність Ptot, макс. | 8 Вт |
| Робоча температура | –25…+75 °C |
| Tj, макс. | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 6 К/Вт |
| Корпус | DBS9P (SOT523-1) |
| Корпус (докладно) | DBS9P (SOT523-1), 9 виводів |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA8359J оригінал
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 7,5–18 В (тип. 12 В) |
| Напруга VFB, макс. | 68 В |
| Вихідний струм Io(p-p) | 3,2 А |
| Струм зворотного ходу, пік | ±1,8 А при t ≤ 1,5 мс |
| Потужність Ptot, макс. | 10 Вт |
| Tamb, макс. | +85 °C |
| Tj, макс. | 150 °C |
| Корпус | DBS9P (SOT523-1) |
| Корпус (докладно) | DBS9P (SOT523-1), 9 виводів |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема TDA8375A , б/в перевірена
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | одночіповий ТВ-процесор PAL/NTSC з керуванням по шині I2C |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 8,0 В (тип.) |
| Напруга живлення VP, макс. | 9,0 В |
| Струм споживання IP | 110 мА (тип.) |
| Чутливість відео-ПЧ | 70 мкВ (тип.) |
| Відеовихід ПЧ | 2,5 В (розмах, тип.) |
| Корпус | SDIP56-P-600-1.78 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA8395P
В наявності
78,49 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | SECAM-декодер |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VP | 7,2–8,8 В (тип. 8,0 В), вивід 3 |
| Струм споживання IP | 18 мА (тип.), 25 мА (макс.) при VP = 8,0 В, Tamb = 25 °C |
| Споживана потужність Ptot | 144 мВт (тип.), 220 мВт (макс.) |
| Вхідний композитний сигнал | 1,0 В (тип.), 1,5 В (макс.), розмах, вивід 16 |
| Вихід –(R–Y) | 1,05 В, розмах, вивід 9 |
| Вихід –(B–Y) | 1,33 В, розмах, вивід 10 |
| Робоча температура | –25…+70 °C |
| Корпус | DIP16 |
Мікросхема TDA8571J оригінал
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Корпус | DBS23P |
| Вихідна потужність на канал | 40 Вт (EIAJ, 4 Ом, мостове ввімкнення) |
| Робоча напруга живлення Vp | 6–18 В (тип. 14,4 В) при Tamb 25 °C |
| Повний струм спокою | 200 мА (тип.), 360 мА (макс.) при Vp 14,4 В |
| Підсилення | 34 дБ (33–35 дБ) |
| Потужність розсіювання | 60 Вт (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема TDA8927J демонтаж
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення VP | ±25 В (діапазон ±15…±30 В) |
| Макс. напруга VP | ±30 В |
| Струм спокою Iq(tot) | 35 мА (макс. 45 мА), без навантаження, VP = ±25 В |
| ККД | 94 % при Po = 30 Вт, VP = ±25 В |
| Po (SE, 4 Ом, THD 10 %) | 65 Вт при VP = ±25 В; 80 Вт при VP = ±27 В |
| Po (BTL, 8 Ом, THD 10 %) | 150 Вт при VP = ±25 В |
| Піковий струм IORM | 7.5 А |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DBS17P |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA8943SF
В наявності
53,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | моно мостовий (BTL) підсилювач потужності звуку |
| Напруга живлення | 6–18 В (типово 12 В), RL = 8 Ом |
| Вихідна потужність | 6 Вт (THD = 10 %, RL = 8 Ом, VCC = 12 В) |
| Вихідна потужність (THD 0,5 %) | 4 Вт (RL = 8 Ом, VCC = 12 В) |
| Коефіцієнт гармонік | 0,03 % (Po = 1 Вт, VCC = 12 В, RL = 8 Ом) |
| Коефіцієнт підсилення | 32 дБ (31–33 дБ) |
| Струм спокою | 15 мА (VCC = 12 В, RL = ∞) |
| Піковий вихідний струм | 2 А (повторюваний) |
| Повна розсіювана потужність | 7 Вт (макс.) |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Виробник | NXP Semiconductors |
Мікросхема TDA8944AJ оригінал
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення VCC | 12 В (діапазон 4.5…18 В) |
| Вихідна потужність Po | 7 Вт (мін. 6 Вт) на канал, RL = 8 Ом, THD 10 %, VCC = 12 В |
| Струм спокою Iq | 40 мА (макс. 50 мА), VCC = 12 В, RL = 8 Ом |
| THD | 0.07 % (макс. 0.5 %) при Po = 1 Вт |
| Макс. підсилення | 30 дБ |
| Діапазон регулювання підсилення | 80 дБ |
| SVRR | 55 дБ |
| Робоча температура | −40…+85 °C |
| Корпус | DBS17P |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA8946J демонтаж
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Напруга живлення VCC | 18 В (діапазон 6…25 В) |
| Вихідна потужність Po | 15 Вт на канал (мін. 13 Вт) при RL = 8 Ом, THD 10 %, VCC = 18 В |
| Струм спокою Iq | 28 мА (макс. 42 мА) при VCC = 18 В |
| Підсилення Gv | 32 дБ (31…33 дБ) |
| Робоча температура Tamb | −40…+70 °C |
| Корпус | DBS17P |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TDA8947J оригінал демонтаж
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP |
| Корпус | DBS17P |
| Напруга живлення (робоча) | 9 / 18 / 26 В (мін / тип / макс) |
| Струм спокою | 100 мА тип. при VCC = 18 В |
| Потужність BTL | 18 Вт тип. при THD = 10 %, RL = 8 Ом, VCC = 18 В |
| Потужність SE | 8,5 Вт тип. при THD = 10 %, RL = 4 Ом, VCC = 18 В |
| Підсилення SE / BTL | 26 дБ / 32 дБ |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TEA1506P , DIP8
В наявності
50,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга запуску VCC(start) | 11 В (10,3–11,7 В) при Tamb = 25 °C |
| Макс. напруга живлення VCC | 20 В (безперервно, абсолютний максимум) |
| Гістерезис VCC(start) – VCC(UVLO) | 2,3 В (2,0–2,6 В) при Tamb = 25 °C |
| Струм споживання в роботі | 1,3 мА (1,1–1,5 мА), без навантаження на виводі DRIVER, VCC = 15 В, Tamb = 25 °C |
| Нижня фіксована частота | 25 кГц (20–30 кГц) при Tamb = 25 °C |
| Верхня фіксована частота | 175 кГц (145–205 кГц) при VCTRL = 1,5 В, Tamb = 25 °C |
| Поріг захисту за струмом OCP | 0,52 В (0,48–0,56 В) при V/t = 0,1 В/мкс, Tamb = 25 °C |
| Поріг теплового захисту | 140 °C (130–150 °C) при Tamb = 25 °C |
| Температура переходу Tj | від -20 до +145 °C (абсолютні максимальні значення) |
| Повна розсіювана потужність | 0,75 Вт при Tamb < 70 °C |
Мікросхема TEA1506T , so-14
В наявності
85,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-14 |
| Напруга запуску VCC(start) | 11 В (10,3–11,7 В) при Tamb = 25 °C |
| Макс. напруга живлення VCC | 20 В (безперервно, абсолютний максимум) |
| Гістерезис VCC(start) – VCC(UVLO) | 2,3 В (2,0–2,6 В) при Tamb = 25 °C |
| Струм споживання в роботі | 1,3 мА (1,1–1,5 мА), без навантаження на виводі DRIVER, VCC = 15 В, Tamb = 25 °C |
| Нижня фіксована частота | 25 кГц (20–30 кГц) при Tamb = 25 °C |
| Верхня фіксована частота | 175 кГц (145–205 кГц) при VCTRL = 1,5 В, Tamb = 25 °C |
| Поріг захисту за струмом OCP | 0,52 В (0,48–0,56 В) при V/t = 0,1 В/мкс, Tamb = 25 °C |
| Поріг теплового захисту | 140 °C (130–150 °C) при Tamb = 25 °C |
| Температура переходу Tj | від -20 до +145 °C (абсолютні максимальні значення) |
Мікросхема TEA1507P , DIP8
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Мережа живлення | універсальна, 70–276 В AC |
| Потужність застосування | до 250 Вт |
| Напруга запуску VCC(start) | 11 В (10,3–11,7 В) при Tamb = 25 °C |
| Макс. напруга на виводі DRAIN | 650 В (абсолютний максимум / пробивна напруга) |
| Повна розсіювана потужність | 1,0 Вт при Tamb < 55 °C |
| Температура переходу Tj | від -20 до +145 °C (абсолютні максимальні значення) |
| Поріг захисту за струмом OCP | 0,52 В (0,48–0,56 В) при V/t = 0,1 В/мкс, Tamb = 25 °C |
| Поріг теплового захисту | 140 °C (130–150 °C) при Tamb = 25 °C |
Мікросхема TEA1521P , DIP8
В наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення VCC (граничне значення) | -0,4…+40 В (continuous) |
| Напруга запуску VCC(startup) | 9,0–10,0 В (тип. 9,5 В), Tamb 25 °C |
| Напруга зупинки (undervoltage lockout) | 7,0–8,0 В (тип. 7,5 В), Tamb 25 °C |
| Граничний струм джерела/стоку | -0,5…+0,5 А |
| Напруга на виводі DRAIN | -0,4…+650 В (Tj > 0 °C) |
| Частота осцилятора | 10…200 кГц (тип. 100 кГц) |
| Робочий струм споживання ICC(oper) | 1,3 мА (тип.), 1,9 мА (макс.), Tamb 25 °C |
| Загальна розсіювана потужність | 1,0 Вт (DIP8, Tamb < 45 °C) |
| Температура переходу | -40…+145 °C |
| Кількість виводів | 8 (DIP8) |
Мікросхема TEA1522P , DIP8
В наявності
47,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга DRAIN (макс.) | 650 В, Tj > 0 °C |
| RDSon (тип.) | 12 Ом, Isource = -0,25 А, Tj 25 °C |
| Частота генератора | 10–200 кГц, тип. 100 кГц |
| Робочий струм ICC | 1,3 мА (тип.) |
| Напруга живлення VCC | -0,4…+40 В, постійно |
| Вхідна мережа | 80–276 В |
| Ptot | 1,0 Вт, DIP8, Tamb < 45 °C |
| Tj | -40…+145 °C |
Мікросхема TEA1524P , DIP8
В наявності
108,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга DRAIN (макс.) | 650 В, Tj > 0 °C |
| RDSon (тип.) | 3,4 Ом, Isource = -1,0 А, Tj 25 °C |
| Частота генератора | 10–200 кГц, тип. 100 кГц |
| Робочий струм ICC | 1,3 мА (тип.) |
| Напруга запуску VCC | 9,5 В |
| Напруга вимкнення VCC | 7,5 В |
| VCC (макс.) | 40 В |
| Вхідна мережа | 80–276 В |
| Ptot | 1,0 Вт, DIP8, Tamb < 45 °C |
Мікросхема TEA1530AT ( EA1530A ) , so-8
В наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors) |
| Корпус | SO-8 |
| Пробивна напруга DRAIN | 650 В (мін.), Tamb 25 °C |
| Частота генератора | 63 кГц, VCTRL < 1 В |
| Напруга запуску | 11 В, Tamb 25 °C |
| Гістерезис UVLO | 2,3 В |
| VCC (макс.) | 20 В, постійно |
| Робочий струм ICC | 1,3 мА (тип.), VCC 15 В |
| Струм драйвера (втікання / витікання) | 250 / 500 мА, VCC 15 В |
| Вхідна мережа | 70–276 В |
| Потужність джерела | до 65 Вт |
| Ptot | 0,5 Вт, SO8, Tamb < 70 °C |
| Tj (макс.) | 145 °C |
Мікросхема TEA1532AT ( EA1532A )( Заміна для LTA303P ) , so-8
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP (Philips Semiconductors) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга DRAIN, макс. | 650 В (абсолютний максимум) |
| Напруга VCC, макс. | 20 В (абсолютний максимум, постійно) |
| Напруга запуску Vstart | 10,3 / 11 / 11,7 В (мін. / тип. / макс.; Tamb 25 °C, VCC 15 В) |
| Частота генератора | 50 / 63 / 75 кГц (мін. / тип. / макс.; VCTRL < 1 В) |
| Коефіцієнт заповнення, макс. | 67 / 70 / 73 % (мін. / тип. / макс.; Tamb 25 °C) |
| Розсіювана потужність Ptot | 0,5 Вт (Tamb < 70 °C) |
| Тепловий опір перехід-середовище | 150 К/Вт (у вільному повітрі) |
| Температура переходу Tj | -20 … +145 °C (абсолютний максимум) |
Мікросхема TEA1532P , DIP8
В наявності
68,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP (Philips Semiconductors) |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8 (SOT97-1), 8 виводів, 300 mil |
| Напруга DRAIN, макс. | 650 В (абсолютний максимум) |
| Напруга VCC, макс. | 20 В (абсолютний максимум, постійно) |
| Напруга запуску Vstart | 10,3 / 11 / 11,7 В (мін. / тип. / макс.; Tamb 25 °C, VCC 15 В) |
| Частота генератора | 50 / 63 / 75 кГц (мін. / тип. / макс.; VCTRL < 1 В) |
| Коефіцієнт заповнення, макс. | 67 / 70 / 73 % (мін. / тип. / макс.; Tamb 25 °C) |
| Розсіювана потужність Ptot | 0,75 Вт (Tamb < 70 °C) |
| Тепловий опір перехід-середовище | 95 К/Вт (у вільному повітрі) |
| Температура переходу Tj | -20 … +145 °C (абсолютний максимум) |