Мікросхеми
Демонтаж
Мікросхема TA8759BN оригінал демонтаж
В наявності
90,24 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | відео, chroma та синхро-процесор PAL/NTSC/SECAM |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | S-DIP, 64 виводи |
| Кількість виводів | 64 |
| Напруга Vcc | 12 В (10,8–13,2 В) |
| Напруга H.Vcc | 9 В (8,1–9,9 В) |
| Напруга живлення, макс. | 15 В (Ta 25 °C) |
| Загальний струм по Vcc | 90 мА (63–135 мА) |
| Розсіювана потужність | 2660 мВт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -20…65 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема TB1251CN
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Призначення | PAL/NTSC/SECAM 1-chip IF + VCD процесор |
| Живлення 5 В (виводи 1 і 42) | 4,75 / 5 / 5,25 В |
| Живлення 9 В (виводи 14 і 31) | 8,55 / 9 / 9,45 В |
| Цифрова напруга VDD (вивід 37) | 3,1 / 3,3 / 3,5 В |
| Макс. напруга лінії 9 В (Ta = 25 °C) | 12 В |
| Макс. напруга лінії 5 В (Ta = 25 °C) | 8 В |
| Pd max (Ta = 25 °C, на платі) | 1980 мВт |
| Робоча температура | -20…65 °C |
| Корпус | SDIP56-P-600-1.78 |
| Кількість виводів | 56 |
Мікросхема TB2929AHQ оригінал ( заміна для TB2929HQ )
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Кількість каналів | 4 (BTL) |
| Макс. вихідна потужність (JEITA max) | 47 Вт (VCC = 15,2 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц) |
| Потужність при THD = 10 % | 27 Вт (VCC = 14,4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц) |
| Робоча напруга живлення | 6–18 В (RL = 4 Ом) |
| Вихідний струм (піковий) | 9 А (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | HZIP25, 25 виводів |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TD62783APG ( TD62783AP ) оригінал, DIP18
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Кількість каналів | 8 |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 50 В при Ta = 25 °C |
| Вихідний струм одного каналу, макс. | -500 мА при Ta = 25 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,0 В макс. при Iout = -350 mA, Ta = 25 °C |
| Струм витоку виходу, макс. | 100 мкА при Vcc = 50 V, VIN = 0,4 V, Ta = 25 °C |
| Потужність розсіювання | 1,47 Вт при Ta = 25 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP-18 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA1013B
В наявності
59,69 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Напруга живлення Vp | 10–40 В (тип. 18 В) |
| Вихідна потужність Po | 4,2 Вт (тип., THD=10 %, RL=8 Ом) |
| THD | 0,15 % (тип., Po=2,5 Вт, RL=8 Ом) |
| Струм спокою Itot | 25 мА (тип., Vp=18 В) |
| Діапазон регулювання підсилення | 80 дБ (мін.) |
| Чутливість Vi | 55 мВ (тип., Po=2,5 Вт) |
Демонтаж
Мікросхема TDA1013B демонтаж
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Напруга живлення Vp | 10–40 В (тип. 18 В) |
| Вихідна потужність Po | 4,2 Вт (тип., THD=10 %, RL=8 Ом) |
| THD | 0,15 % (тип., Po=2,5 Вт, RL=8 Ом) |
| Струм спокою Itot | 25 мА (тип., Vp=18 В) |
| Діапазон регулювання підсилення | 80 дБ (мін.) |
| Чутливість Vi | 55 мВ (тип., Po=2,5 Вт) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA1521A
В наявності
83,66 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | двоканальний підсилювач потужності НЧ Hi-Fi |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Напруга живлення, робоча | ±7,5–±20 В (типово ±12 В) |
| Напруга живлення, гранична | ±21 В |
| Потужність на канал | 6 Вт (THD = 0,5 %, RL = 8 Ом, VP = ±12 В, f = 1 кГц) |
| Підсилення | 30 дБ (29–31 дБ) |
| Вхідний опір | 20 кОм (типово) |
| Пік. вихідний струм | 2,2 А |
| Температура переходу | 150 °C (макс.) |
Мікросхема TDA1554Q
В наявності
210,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | клас-B підсилювач потужності НЧ, автомобільний |
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DBS17P |
| Напруга живлення, робоча | 6,0–18,0 В (типово 14,4 В) |
| Напруга живлення, неробоча | 30 В (макс.) |
| Load dump | 45 В (макс., 50 мс, tr ≥ 2,5 мс) |
| Потужність, міст | 22 Вт (THD = 10 %, RL = 4 Ом, VP = 14,4 В, f = 1 кГц) |
| Потужність, несиметричний вихід | 11 Вт (THD = 10 %, RL = 2 Ом, VP = 14,4 В, f = 1 кГц) |
| Пік. вихідний струм | 4 А |
| Температура переходу | 150 °C (макс.) |
Мікросхема TDA1771 оригінал
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SIP10 (пластиковий), 10 виводів |
| Напруга живлення Vs | 10–30 В (Tamb 25 °C, Vs 24 В) |
| Максимальна Vs | 30 В |
| Піковна напруга зворотного ходу | 65 В |
| Вихідний струм (розмах) | 6 А при t = 2 мс; 4 А при t > 10 мкс |
| Струм споживання | 315 мА (типове) |
| Потужність розсіювання | 9 Вт при Ttab 60 °C |
| Тепловий опір кристал – корпус | 10 °C/Вт (макс.) |
| Температура зберігання і переходу | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA1904
В наявності
52,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | підсилювач потужності НЧ |
| Корпус | Powerdip (8+8), 16 виводів |
| Напруга живлення | 4–20 В |
| Напруга живлення, максимум | 20 В |
| Вихідна потужність | 4.5 Вт (Vs = 14 В, RL = 4 Ом, d = 10 %, f = 1 кГц, тип.) |
| Струм спокою | 8 мА (Vs = 9 В, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (Vs = 14 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, Po = 1 Вт) |
Мікросхема TDA2003 ( TDA2003A , TDA2003V , CV203 )
В наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | підсилювач потужності НЧ |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Напруга живлення | 8–18 В (Vs = 14.4 В, Tamb = 25 °C) |
| Напруга живлення DC, максимум | 28 В |
| Вихідна потужність, 4 Ом | 6 Вт (Vs = 14.4 В, d = 10 %, f = 1 кГц, тип.) |
| Вихідна потужність, 2 Ом | 10 Вт (Vs = 14.4 В, d = 10 %, f = 1 кГц, тип.) |
| Струм спокою | 44 мА (Vs = 14.4 В, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (f = 1 кГц, RL = 4 Ом) |
Мікросхема TDA2003 оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Вихідна потужність | 6 Вт (тип.), 5,5 Вт (мін.) при Rн 4 Ом, КНС 10 %, f 1 кГц, Vs 14,4 В |
| Робоча напруга живлення | 8–18 В при Tamb 25 °C |
| Максимальна напруга живлення | 28 В (постійна) |
| Струм спокою | 44 мА (тип.), 50 мА (макс.) при Vs 14,4 В |
| Потужність розсіювання | 20 Вт при Tcase 90 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема TDA2007 ( TDA2007A ) демонтаж
В наявності
44,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | стереопідсилювач потужності НЧ |
| Корпус | 9-SIP |
| Напруга живлення | 8–26 В (Tamb = 25 °C) |
| Напруга живлення, максимум | 28 В |
| Вихідна потужність (кожен канал) | 6 Вт (Vs = 18 В, RL = 4 Ом, d = 0.5 %, f = 100 Гц–6 кГц, тип.) |
| Струм спокою | 50 мА (Vs = 18 В, тип.) |
| Коефіцієнт підсилення | 36 дБ (f = 1 кГц, Vs = 18 В) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема TDA2009A оригінал
В наявності
72,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | стерео підсилювач НЧ класу AB |
| Корпус | Multiwatt11 |
| Напруга живлення Vs | 8…28 В (Tamb 25 °C) |
| Потужність на канал, 4 Ом | 12,5 Вт (тип.), Vs = 24 В, f = 1 кГц, d = 1 % |
| Потужність на канал, 8 Ом | 7 Вт (тип.), Vs = 24 В, f = 1 кГц, d = 1 % |
| Коефіцієнт підсилення | 36 дБ (f = 1 кГц, Vs = 24 В) |
| Струм спокою | 60 мА (тип.), 120 мА (макс.), Vs = 24 В |
| Розсіювана потужність Ptot | 20 Вт (Tcase = 90 °C) |
| Температура переходу та зберігання | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA2030A ( D2030A , TDA2030L )
В наявності
30,08 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | підсилювач НЧ класу AB (моно) |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Напруга живлення Vs | ±6…±22 В (Tamb 25 °C) |
| Потужність, 4 Ом | 18 Вт (тип.), 15 Вт (мін.), Vs = ±16 В, d = 0,5 % |
| Потужність, 8 Ом | 12 Вт (тип.), 10 Вт (мін.), Vs = ±16 В, d = 0,5 % |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ (f = 1 кГц) |
| Струм спокою | 50 мА (тип.), 80 мА (макс.), Vs = ±16 В |
| Піковий вихідний струм | 3,5 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 20 Вт (Tcase = 90 °C) |
| Температура переходу та зберігання | -40…+150 °C |
Мікросхема TDA2030A оригінал
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Корпус (докладно) | Pentawatt (вертикальний), 5 виводів |
| Напруга живлення Vs | ±6…±22 В (Tamb 25 °C) |
| Максимальна напруга живлення | ±22 В |
| Піковий вихідний струм | 3.5 А |
| Струм спокою | 50 мА (тип.), 80 мА (макс.) при Vs ±16 В, Tamb 25 °C |
| Потужність розсіювання | 20 Вт при Tcase 90 °C |
| Тепловий опір кристал – корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Температура зберігання і переходу | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA2050 ( TDA2050A , TDA2050V , TDA2050L )
В наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Hi-Fi підсилювач НЧ класу AB (моно) |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Напруга живлення Vs | ±4,5…±25 В (Tamb 25 °C) |
| Потужність RMS, 4 Ом | 28 Вт (тип.), 24 Вт (мін.), Vs = ±18 В, d = 0,5 %, f = 1 кГц |
| Потужність RMS, 8 Ом | 18 Вт (тип.), Vs = ±18 В, d = 0,5 %, f = 1 кГц |
| Нелінійні спотворення | 0,03 % (тип.), RL = 4 Ом, f = 1 кГц, Vs = ±18 В |
| Коефіцієнт підсилення | 30,5 дБ (f = 1 кГц) |
| Піковий вихідний струм | 5 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 25 Вт (Tcase = 75 °C) |
| Температура переходу та зберігання | -40…150 °C |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема TDA2614 демонтаж
В наявності
34,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Корпус | SIL-9 (SOT110B) |
| Напруга живлення | 15 … 24 (тип.) … 42 В |
| Вихідна потужність | 6,5 Вт (тип.), мін. 5 Вт при VP = 24 В, RL = 8 Ом, THD = 0,5 % |
| Вихідна потужність на 4 Ом | 10 Вт (тип.) при THD = 0,5 % |
| Коефіцієнт гармонік | 0,15 % (тип.), макс. 0,2 % при Po = 4 Вт |
| Струм спокою | 20 мА (тип.) |
| Внутрішнє підсилення | 30 дБ (тип.) |
| Тепловий опір кристал-корпус | 8 К/Вт |
| Стан | Демонтаж б/в |