Мікросхеми

Показано 1241–1280 із 1978

Показати 20 40 80

Мікросхема TDA7262

В наявності

170,14 ₴
ПараметрЗначення
Типстерео підсилювач класу AB зі stand-by
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга живлення Vs8–32 В
Напруга живлення, абс. макс.35 В
Вихідна потужність на канал20 Вт (THD = 10 %, RL = 4 Ом, Vs = 28 В)
Підсилення Gv36 дБ (f = 1 кГц)
Розсіювана потужність Ptot30 Вт (Tcase 70 °C)
Температура переходу, макс.150 °C
КорпусMultiwatt11

Мікросхема TDA7264

В наявності

101,05 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMultiwatt8
Напруга живлення Vs±5 … ±22,5 В
Напруга живлення, абс. макс.±25 В (DC)
Потужність на канал (RL = 4 Ом, Vs = ±16 В, THD = 10 %)25 Вт
Підсилення Gv (f = 1 кГц)30 дБ
Струм спокою Iq80 мА (тип.), 130 мА (макс.)
Вихідний струм, пік4,5 А
Температура переходу, макс.150 °C

Мікросхема TDA7265 оригінал

В наявності

178,60 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипСтереопідсилювач звуку класу AB
КорпусMultiwatt11
Напруга живлення Vs±5…±25 В
Макс. напруга живлення Vs±25 В (абсолютний максимум)
Вихідна потужність на канал25 Вт (typ, мін. 20); THD = 10 %, RL = 8 Ом, Vs = ±20 В, f = 1 кГц
Вихідна потужність на канал при Vs ±22,5 В32 Вт (typ); THD = 10 %, RL = 8 Ом
Коефіцієнт нелінійних спотворень0,01 % (typ); RL = 8 Ом, Po = 1 Вт, f = 1 кГц, Vs = ±20 В
Струм спокою80 мА (typ, макс. 130); Vs = ±20 В
Піковий вихідний струм4,5 А
Розсіювана потужність30 Вт при Tcase = 70 °C
Тепловий опір перехід-корпус2 °C/Вт (макс.)
Робочий діапазон температур-20…85 °C
СтанОригінал

Мікросхема TDA7266SA

В наявності

149,46 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусClipwatt15
Напруга живлення3 … 18 В (типово 11 В)
Напруга живлення, макс.20 В
Потужність на канал (THD 10 %, Vcc 11 В, RL 8 Ом)7 Вт (мін. 6,3 Вт)
Підсилення (f 1 кГц)26 дБ
Струм спокою50 мА (макс. 65 мА)
Піковий вихідний струм2 А
Робоча температура0 … 70 °C

Мікросхема TDA7267A , DIP16

В наявності

39,95 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусDIP16 (PowerDIP 8+8), 16 виводів
Напруга живлення5 … 18 В
Напруга живлення, макс.18 В
Вихідна потужність (THD 10 %, Vs 14,5 В, RL 8 Ом)3 Вт
Підсилення (Vs 14,5 В, RL 8 Ом)32 дБ
Струм спокою23 мА (макс. 35 мА)
Піковий вихідний струм1,5 А
Робоча температура0 … 70 °C

Мікросхема TDA7269 оригінал

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMultiwatt11
Вихідна потужність на канал10 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, Vs ±14 В)
Напруга живленнядо ±20 В (роздільне живлення)
Напруга живлення, макс. допустима±22 В (абсолютний максимум)
Нелінійні спотворення0,03 % (Po 1 Вт, RL 8 Ом, f 1 кГц, Vs ±14 В)
Робоча температура0…70 °C
Температура переходу, макс.150 °C
СтанОригінал

Мікросхема TDA7293 оригінал

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Напруга живлення±12…±50 В (Tamb 25 °C)
Напруга живлення, макс. допустима±60 В (без сигналу)
Вихідна потужність100 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, Vs ±40 В)
Нелінійні спотворення0,005 % (Po 5 Вт, f 1 кГц, Vs ±40 В, RL 8 Ом)
Струм спокою50 мА, макс. 100 мА (Vs ±40 В, RL 8 Ом)
Піковий вихідний струм10 А
Розсіювана потужність50 Вт (Tcase 70 °C)
Тепловий опір перехід–корпусне більше 1,5 °C/Вт
Робоча температура0…70 °C
СтанОригінал

Мікросхема TDA7294 оригінал

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Напруга живлення±10…±40 В (Vs ±35 В, RL 8 Ом, Tamb 25 °C)
Напруга живлення, макс. допустима±50 В (без сигналу)
Вихідна потужність (RMS)70 Вт, мін. 60 Вт (THD 0,5 %, Vs ±35 В, RL 8 Ом)
Музична потужність100 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, Vs ±38 В, t = 1 с)
Нелінійні спотворення0,005 % (Po 5 Вт, f 1 кГц, Vs ±35 В, RL 8 Ом)
Струм спокою30 мА, 20…65 мА (Vs ±35 В, RL 8 Ом)
Піковий вихідний струм10 А
Розсіювана потужність50 Вт (Tcase 70 °C)
Тепловий опір перехід–корпус1,5 °C/Вт
Робоча температура0…70 °C
СтанОригінал

Мікросхема TDA7297 оригінал

В наявності

150,40 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Вихідна потужність15 Вт (мін. 13) при VCC 16,5 В, RL 8 Ом, f 1 кГц, THD 10 %, Tamb 25 °C
Напруга живлення6,5–18 В
Макс. напруга живлення20 В
Коефіцієнт нелінійних спотворень0,1 % (макс. 0,3) при VCC 16,5 В, RL 8 Ом, Po 1 Вт, f 1 кГц
Підсилення за напругою32 дБ (31–33) при VCC 16,5 В, RL 8 Ом, f 1 кГц
Струм спокою50 мА (макс. 65) при VCC 16,5 В, без навантаження
Пиковий вихідний струм2 А
Розсіювана потужність33 Вт при Tcase 70 °C
Тепловий опір кристал–корпус1,4 °C/Вт (макс. 2)
Температура переходу та зберігання-40…+150 °C
СтанОригінал

Мікросхема TDA7297SA оригінал

В наявності

173,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусClipwatt15
Вихідна потужність10 Вт (мін. 8,3) при VCC 13 В, RL 8 Ом, f 1 кГц, THD 10 %, Tamb 25 °C
Напруга живлення6,5–18 В
Макс. напруга живлення20 В
Коефіцієнт нелінійних спотворень0,1 % (макс. 0,3) при VCC 13 В, RL 8 Ом, Po 1 Вт, f 1 кГц
Підсилення за напругою32 дБ (31–33) при VCC 13 В, RL 8 Ом, f 1 кГц
Струм спокою50 мА (макс. 65) при VCC 13 В, без навантаження
Пиковий вихідний струм2 А
Розсіювана потужність30 Вт при Tcase 70 °C
Тепловий опір кристал–корпус1,8 °C/Вт (макс. 2,5)
Температура переходу та зберігання-40…150 °C
СтанОригінал

Мікросхема TDA7313ND ( TDA7313D )( заміна для SC7313S ) , so-28

В наявності

111,86 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусSOP-28
Напруга живлення Vs6–10 В (типово 9 В)
Макс. напруга живлення10.2 В (абсолютний максимум)
Макс. вхідний сигнал2 Vrms (мін.)
THD0.01 % типово, 0.1 % максимум (V = 1 Vrms, f = 1 кГц)
Відношення сигнал/шум106 дБ (типово)
Розділення каналів103 дБ (типово, f = 1 кГц)
Регулювання гучностівід -78.75 до 0 дБ, крок 1.25 дБ
Регулювання тембрувід -14 до +14 дБ, крок 2 дБ
Робоча температуравід -40 до 85 °C

Мікросхема TDA7365

В наявності

110,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Напруга живлення Vs8–18 В
Макс. постійна напруга28 В
Потужність на канал6 Вт типово, 5.5 Вт мінімум (Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 %)
Потужність при 2 Ом9 Вт типово (Vs = 14.4 В, THD = 10 %)
Підсилення40 дБ (39–41)
Струм спокою80 мА типово (Vs = 14.4 В)
Розсіювана потужність32 Вт (Tcase = 85 °C)
Тепловий опір кристал–корпус2 °C/Вт максимум

Мікросхема TDA7377 оригінал ( заміна для YD7377 )

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Кількість виводів15
Вихідна потужність (міст)20 Вт (тип.), 18 Вт (мін.); 2 канали, Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 %
Вихідна потужність (звичайний вихід)6 Вт (тип.), 5.5 Вт (мін.); 4 канали, Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, THD = 10 %
Напруга живлення Vs8–18 В
Макс. постійна напруга живлення28 В
Струм спокою150 мА при Vs = 14.4 В
Розсіювана потужність36 Вт при Tcase = 85 °C
СтанОригінал

Мікросхема TDA7385

В наявності

85,07 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусFlexiwatt25
Кількість виводів25
Вихідна потужність на канал23 Вт (тип.), 21 Вт (мін.); Vs = 14.4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц, THD = 10 %
Підсилення за напругою26 дБ (25–27)
Робоча напруга живлення18 В (макс.)
Макс. постійна напруга живлення28 В
Струм спокою180 мА (тип.), 300 мА (макс.) при Vs = 14.4 В
Розсіювана потужність80 Вт при Tcase = 70 °C
Макс. температура переходу150 °C

Мікросхема TDA7388 (Заміна для TDA7386 , TB2903HQ , TB2904HQ , TB2906H )

В наявності

150,40 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусFlexiwatt25
Кількість виводів25
Макс. вихідна потужність4 × 45 Вт, RL 4 Ом
Вихідна потужність на канал26 Вт (мін. 22 Вт); VS 14.4 В, f 1 кГц, RL 4 Ом, Tamb 25 °C, THD 10 %
Коефіцієнт підсилення26 дБ (мін. 25, макс. 27)
Робоча напруга живлення18 В (макс.)
Напруга живлення DC28 В (макс.)
Розсіювана потужність80 Вт при Tcase 70 °C
Макс. температура переходу150 °C

Мікросхема TDA7394

В наявності

271,66 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Макс. вихідна потужність2 × 30 Вт (EIAJ, VS 13.2 В, RL 4 Ом)
Потужність на канал22 Вт (THD 10 %, VS 14.4 В, RL 4 Ом, тип.)
Коефіцієнт підсилення40 дБ (VS 13.2 В, f 1 кГц, RL 4 Ом)
Струм спокою90 мА (тип.)
Напруга живлення, макс.18 В
Макс. температура переходу150 °C

Мікросхема TDA7449 , DIP

В наявності

98,70 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусDIP
Напруга живлення6–10.2 В (тип. 9 В)
Струм споживання7 мА (тип.; VS 9 В, RL 10 кОм)
Входи2 стереовходи з мультиплексором
Регулювання гучності-47–0 дБ (крок 1 дБ)
Регулювання низьких і високих±14 дБ (крок 2 дБ)
Відношення сигнал/шум106 дБ (Vout 1 В rms)
Робоча температура0–70 °C

Мікросхема TDA7494

В наявності

120,79 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMULTIWATT15
Вихідна потужність10 Вт (THD 10 %, VCC 28 В, RL 8 Ом, тип.)
Напруга живлення11–35 В
Струм спокою22 мА (тип.; VS 21 В, RL 8 Ом)
Макс. вхідна напруга8 Vpp
Входи3 комутовані входи
Розсіювана потужність16 Вт (Tamb 70 °C)
Робоча температура-20–85 °C

Мікросхема TDA7495

В наявності

133,95 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннястереопідсилювач 11 + 11 Вт класу AB з DC-регулюванням гучності
Вихідна потужність на канал11 Вт (THD 10 %, VS 28 В, RL 8 Ом)
Напруга живлення11–35 В
Струм спокою70 мА (VS 20 В, RL 8 Ом, Tamb 25 °C)
КорпусMULTIWATT15
ВиробникSTMicroelectronics

Мікросхема TDA7496LK оригінал ( заміна для SA7496LS ), so-20

В наявності

88,36 ₴
ПараметрЗначення
Кількість каналів2 (стерео, клас AB)
Вихідна потужність2 Вт (THD 10 %, RL 8 Ом, VSS 14 В)
Напруга живлення10–18 В (TA 25 °C)
Струм спокою25 мА (VSS 14 В, TA 25 °C)
Коефіцієнт підсилення30 дБ
КорпусSO-20
СтанОригінал

Мікросхема TDA7498E ( TDA7498ETR ) оригінал, PowerSSO36

В наявності

500,08 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга живлення14–36 В
Напруга живлення, абсолютний максимум45 В
Вихідна потужність (стерео)2 x 160 Вт (THD 10 %, RL 4 Ом, VCC 36 В)
Вихідна потужність (моно)220 Вт (THD 10 %, RL 3 Ом, VCC 36 В)
Ефективністьне менше 85 %
Частота перемикання310 кГц (типове)
Струм спокою60 мА (типове, VCC 36 В)
Поріг захисту за струмом11 А (типове)
Робоча температура навколишнього середовища0–70 °C
КорпусPowerSSO-36
СтанОригінал

Мікросхема TDA7560 демонтаж ( CLEA-0041 , C1EA-0041 , CLEA-004L )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Вихідна потужність на 4 Ом4 x 30 Вт (14,4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Вихідна потужність на 2 Ом4 x 55 Вт (14,4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Коефіцієнт підсилення26 дБ
Струм спокою200 мА (VS 14,4 В, Play)
КорпусFlexiwatt25
ВиробникSTMicroelectronics
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема TDA7560A оригінал

В наявності

329,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Призначення4-канальний мостовий підсилювач класу AB
КорпусFlexiwatt27
Потужність на канал, 4 Ом4 x 30 Вт (VS 14.4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Потужність на канал, 2 Ом4 x 55 Вт (VS 14.4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Коефіцієнт підсилення26 дБ
Робоча напруга VS, макс.18 В
Піковий вихідний струм9 А
Струм спокою200 мА (VS 13.2 В, RL = ∞, типово)
Розсіювана потужність85 Вт (Tcase 70 °C)
Макс. температура переходу150 °C
СтанОригінал

Мікросхема TDA7563B оригінал демонтаж

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Призначення4-канальний мостовий підсилювач класу SB
Вихідна потужність на канал28 Вт (RL 4 Ом, 1 кГц, THD 10 %, Vs 14.4 В, типове)
Напруга живлення8–18 В
Струм спокою170 мА (макс. 300 мА), Vs 14.4 В
Підсилення30 / 16 дБ (вибір по I2C)
КорпусFlexiwatt27
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема TDA7564B оригінал демонтаж

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусFlexiwatt25
Потужність на 4 Ом4 x 28 Вт (VS 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Макс. потужність4 x 50 Вт (VS 15,2 В, 4 Ом)
Напруга живлення8–18 В
Піковий вихідний струм8 А (неповторюваний, t = 100 мс)
Струм спокою170 мА, макс. 300 мА (VS 14,4 В, RL 4 Ом)
Підсилення26 та 12 дБ (по I2C)
Потужність розсіювання85 Вт (Tcase 70 °C)
КеруванняI2C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема TDA7566 оригінал

В наявності

376,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусFlexiwatt25
Потужність на 4 Ом4 x 25 Вт (VS 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Макс. потужність на 4 Ом4 x 40 Вт (VS 14,4 В)
Напруга живлення8–18 В
Піковий вихідний струм8 А (неповторюваний, t = 100 мкс)
Струм спокою150 мА, макс. 300 мА (VS 14,4 В, RL 4 Ом)
Підсилення26 та 12 дБ (по I2C)
Потужність розсіювання85 Вт (Tcase 70 °C)
КеруванняI2C
СтанОригінал

Мікросхема TDA7850 оригінал + 10000uF 25V Rubycon+ термопаста

В наявності

761,40 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Тип4-канальний мостовий підсилювач класу AB
КорпусFlexiwatt25
Потужність на 4 Ом30 Вт (4 канали, Vs 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Потужність на 2 Ом55 Вт (4 канали, Vs 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Підсилення26 дБ (Vs 14,4 В, 1 кГц)
Струм спокою180 мА (Vs 14,4 В, RL = ∞)
Макс. температура переходу150 °C
СтанОригінал

Мікросхема TDA7851A оригінал демонтаж

В наявності

423,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Призначення4-канальний мостовий підсилювач класу AB
КорпусFlexiwatt27
Потужність на канал, 4 Ом4 x 28 Вт (VS 14.4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Максимальна потужність, 4 Ом / 2 Ом4 x 48 / 4 x 72 Вт
Напруга живлення VS8–18 В
Коефіцієнт підсилення26 дБ
Піковий вихідний струм10 А (неповторюваний, 100 мкс)
Струм спокою150 мА (VS 14.4 В, RL = ∞, типово)
Розсіювана потужність85 Вт (Tcase 70 °C)
Макс. температура переходу150 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Мікросхема TDA7851L оригінал

В наявності

470,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусFlexiwatt25
Робоча напруга живлення8–18 В
Макс. постійна напруга живлення28 В (абсолютний максимум)
Макс. імпульсна напруга живлення50 В (t = 50 мс, абсолютний максимум)
Потужність на канал, 4 Ом28 Вт (VS = 14,4 В, 1 кГц, THD 10 %)
Макс. потужність на канал, 4 Ом48 Вт
Макс. потужність на канал, 2 Ом72 Вт
Коефіцієнт підсилення26 дБ (VS = 14,4 В, 1 кГц)
Струм спокою150 мА (типово, VS = 14,4 В)
Нелінійні спотворення0,01 % (типово, Po = 4 Вт)
Розсіювана потужність85 Вт (Tcase = 70 °C, абсолютний максимум)
Тепловий опір перехід–корпус1 °C/Вт (макс.)
Діапазон температур-40…105 °C (Tamb)
СтанОригінал

Мікросхема TDA7851L оригінал + 10000uF 25V Rubycon + термопаста

В наявності

737,90 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Кількість каналів4 (мостове вмикання)
Макс. вихідна потужність на 4 Ом48 Вт на канал
Потужність при THD = 10 %28 Вт (VS = 14,4 В, RL = 4 Ом, f = 1 кГц)
Діапазон напруги живлення8–18 В (Tamb 25 °C)
Коефіцієнт підсилення26 дБ
Струм спокою150 мА (VS = 14,4 В, тип.)
Робоча температура-40…105 °C
КорпусFlexiwatt25
СтанОригінал

Мікросхема TDA7854 оригінал

В наявності

406,08 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна потужність на канал (4 Ом)47 Вт
Максимальна потужність на канал (2 Ом)80 Вт
Коефіцієнт підсилення26 дБ
Напруга живлення, максимум18 В
Імпульсна напруга живлення (t = 50 мс)50 В
Піковий вихідний струм10 А
Потужність розсіювання (Tcase 70 °C)85 Вт
Температура переходу, максимум150 °C
Тепловий опір перехід–корпус1 °C/Вт
КорпусFlexiwatt25
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал

Мікросхема TDA8133 демонтаж

В наявності

75,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Корпус9-SIP
Вихідна напруга 15,1 В ±2 %
Вихідна напруга 28 В ±2 %
Вихідний струмдо 0,75 А на кожному виході
Макс. вхідна напруга20 В (абсолютний максимум, вивід 1)
Тепловий опір перехід–корпус8 °C/Вт (макс.)
Тепловий опір перехід–середовище60 °C/Вт (макс.)
Рекомендована температура переходу130 °C
СтанДемонтаж б/в

Мікросхема TDA8138 , HSIP9

В наявності

71,91 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Типздвоєний стабілізатор напруги
Вихідна напруга 15,1 В (5–5,2 В) при Io1 = 10 мА, Vin1 = 7 В, Tj 25 °C
Вихідна напруга 212 В (11,76–12,24 В) при Io2 = 10 мА, Vin2 = 14 В, Tj 25 °C
Вихідний струм (кожен вихід)до 1 А
Вхідна напруга макс.20 В (абсолютний максимум)
КорпусHSIP9

Мікросхема TDA8138A , TO-220-7

В наявності

71,91 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Типздвоєний стабілізатор напруги
Вихідна напруга 15,1 В (5–5,2 В) при Io1 = 10 мА, Vin1 = 7 В, Tj 25 °C
Вихідна напруга 212 В (11,76–12,24 В) при Io2 = 10 мА, Vin2 = 14 В, Tj 25 °C
Вихідний струм (кожен вихід)до 1 А
Вхідна напруга макс.20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220-7

Мікросхема TDA8139

В наявності

64,86 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Типздвоєний стабілізатор напруги
Вихідна напруга 15,1 В (5–5,2 В) при Io1 = 10 мА, Tamb 25 °C, Vin1 = 7 В
Вихідна напруга 22,8–16 В (регульована) при Io2 = 10 мА, Tamb 25 °C, Vin2 = 10 В
Вхідна напруга7–18 В
Вихідний струмдо 750 мА
Вхідна напруга макс.20 В (абсолютний максимум)
Робоча температура0…+70 °C
Корпус9-SIP

Мікросхема TDA8145 ( TD8145 , TEA2031A ) , DIP8

В наявності

32,43 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннякорекція растру схід–захід (East/West)
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга живлення17–30 В (тип. 24 В), Tamb 25 °C, Vs = 26 В у тесті
Напруга живлення макс.35 В
Опорна напруга8,0 В (7,6–8,8 В), Tamb 25 °C
Розсіювана потужність500 мВт, Tamb 50 °C
Температура зберігання і переходу–25…+150 °C
КорпусPOWERDIP8 (DIP-8)

Мікросхема TDA8145 оригінал

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусPOWERDIP8 (DIP-8)
Напруга живлення Vs24 В (мін. 17, макс. 30; Tamb = 25 °C)
Макс. напруга живлення35 В
Струм споживання Is4,5 мА (тип.; макс. 7; Tamb = 25 °C, Vs = 26 В)
Внутрішня опорна напруга8,0 В (мін. 7,6, макс. 8,8; Tamb = 25 °C)
Розсіювана потужність500 мВт при Tamb = 50 °C
Температура зберігання і переходу–25…150 °C
СтанОригінал

Мікросхема TDA8146

В наявності

58,75 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннякорекція растру схід–захід (East/West)
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга живлення15–29 В (тип. 24 В), Tj 25 °C, Vs = 24 В у тесті
Напруга живлення макс.33 В
Вихідний струм (втікаючий)до 800 мА, вивід 7
Вихідний струм (витікаючий)до 100 мА, вивід 7
Опорна напруга (вивід 5)8,2 В, Vs = 24 В, Tj 25 °C
Температура переходу0…+150 °C
Тепловий опір перехід–середовище80 °C/W макс.
КорпусDIP14

Мікросхема TDA8172 ( TEA8172 )

В наявності

51,70 ₴
ПараметрЗначення
Призначеннявихідний підсилювач вертикальної розгортки
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга живлення макс. (вивід 2)35 В
Пікова напруга зворотного ходу макс.60 В, V5, V6
Вихідний струм2 А, f = 50–200 Гц, t > 10 мкс
Вихідний струм піковий5 А, f = 50–200 Гц, t ≤ 10 мкс
Повна розсіювана потужність20 Вт, Tcase 90 °C
Температура переходу макс.150 °C
Тепловий опір перехід–корпус3 °C/Вт
Температура теплового захисту140 °C, типово
КорпусHEPTAWATT

Мікросхема TDA8174 оригінал демонтаж ( заміна для TDA8174A )

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
КорпусMultiwatt11
Кількість виводів11
Макс. Vs35 В
Робочий діапазон Vs10–30 В
Розмах вихідного струму Io4 А
Потужність розсіювання Ptot30 Вт (Ttab = 60 °C)
Макс. Tj150 °C
Спрацювання теплового захисту145 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в