Мікросхеми
Мікросхема PM8834 ( PM8834TR ) оригінал, so-8
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SO-8 |
| Струм виходу, джерело | 4 А (кожен вихід, незалежно) |
| Струм виходу, стік | 4 А (кожен вихід, незалежно) |
| Напруга живлення Vcc | 5–18 В |
| Напруга на виводах, макс. | 19 В (абсолютний максимум) |
| Поріг UVLO, увімкнення | 4,4–4,6 В (Vcc зростає) |
| Струм живлення | 3,5 мА (Vcc 10 В, TJ 25 °C, виходи розімкнуті) |
| Час наростання | 10 нс (типово, Vcc 10 В, навантаження 2,5 нФ; макс. 20) |
| Затримка поширення | 25–30 нс (типово, Vcc 10 В, навантаження 2,5 нФ) |
| Робоча температура переходу | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема PN7113 корпус so16
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Призначення | Високовольтний швидкий драйвер MOSFET і IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього ключів |
| Робоча напруга плаваючого каналу, макс. | 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В |
| Напруга живлення логіки | 3,3–20 В |
| Вихідний струм (імпульс, source / sink) | 3,0 / 3,0 А при PW < 10 мкс |
| Робоча частота, макс. | 100 кГц |
| Затримка вмикання, верхній / нижній канал | 130 / 120 нс тип. при VBIAS = 15 V, CL = 1000 pF, 25 °C |
| Затримка вимикання, верхній / нижній канал | 135 / 115 нс тип. при VBIAS = 15 V, CL = 1000 pF, 25 °C |
| Корпус | SO-16 |
Мікросхема PN8024A ( PN8024R ), DIP7
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Linkage |
| Корпус | DIP7 |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Пробивна напруга ключа BVDSS | 650 В (мінімум, Isw = 1 мА, Vcomp = GND, Tj 25 °C) |
| Rds(on) ключа | 8,0 Ом (типово, Isw = 1 А, Vcomp = 3 В, Tj 25 °C) |
| Робоча напруга VDD | 9–24 В (після запуску, VDD = 15 В) |
| Обмеження струму ключа | 0,49 А (Tj 25 °C) |
| Максимальна частота | 60 кГц (Vcomp = 3 В) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема PN8034 ( PN8034A ) , DIP7
В наявності
51,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | DIP7 |
| Пробивна напруга вбудованого MOSFET (BVDSS) | 650 В (мін., ISW 250 мкА, TA 25 °C, VDD 11 V) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 13.5 Ом (ISW 400 мА, Tj 25 °C) |
| Максимальна напруга SW | 650 В (Absolute Maximum) |
| Максимальна напруга VDD | 35 В (Absolute Maximum) |
| Напруга вмикання VDDon | 11.5 В (typ) |
| Обмеження струму Ilimit | 590 мА (typ) |
| Вихідна потужність, DIP-7 | 3.6 Вт (150–265 В AC, 12 В / 300 мА) |
| Температура переходу Tj | –40…150 °C |
| Тепловий опір RθJC | 40 °C/Вт |
Мікросхема PN8055H , sop7
В наявності
69,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | SOP-7 |
| Напруга пробою MOSFET BVDSS | 800 В (мінімум; ISW 250 мкА, TJ 25 °C) |
| Обмеження струму стоку | 500 мА (типове; TA 25 °C, VDD 14 В) |
| Вихідна потужність | 3 Вт (15 В / 200 мА, 150–265 В AC); 2,25 Вт (15 В / 150 мА, 85–265 В AC) |
| Поріг запуску VDD | 12 В |
| Поріг відключення VDD | 9 В |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема PN8360 , so-7
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | SOP-7 |
| Пробивна напруга ключа BVDSS | 650 В (мінімум, Isw = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) ключа | 2,5 Ом (типово, Isw = 1 А, Tj 25 °C) |
| Робоча напруга VDD | 8–25 В |
| Поріг обмеження струму | 500 мВ |
| Точність стабілізації струму (CC) | ±5 % |
| Типова потужність | 12 Вт (85–265 В AC, SOP-7) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
Мікросхема PN8368 , so-7
В наявності
33,84 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | QR AC/DC-контролер з вбудованим MOSFET |
| Корпус | SOP-7 |
| Напруга пробою стоку BVDSS | 650 В (мін., ISW 250 мкА, TJ 25 °C) |
| Напруга живлення VDD | 10–30 В |
| Максимум VDD | 40 В |
| Типова потужність | 8 Вт (вхід 85–265 В AC) |
| Поріг обмеження струму CS | 500 мВ (типово) |
| Споживання в режимі очікування | <30 мВт (230 В AC) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Виробник | Chipown (Wuxi Chipown Micro-electronics) |
Мікросхема PT4515 , D-PAK
В наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | PowTech (CR-PowTech) |
| Струм світлодіодів | <60 мА (мережа 220 В AC) |
| Точність струму | ±3 % |
| Тепловий опір перехід–середовище | 37 °C/Вт (TO252-2L, плата 2 Oz, 2 дюйм²) |
| Температура переходу | -40…150 °C |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Температура зберігання | -65…150 °C |
| Стійкість до ESD | 2 кВ |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Мікросхема R2A20113 ( 20113 ) , so-8
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер PFC, режим критичної провідності |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 24 В (абсолютний максимум) |
| Поріг вмикання UVLO | 12 В (Ta 25 °C, Vcc 12 В) |
| Поріг вимикання UVLO | 9,2 В (Ta 25 °C, Vcc 12 В) |
| Робочий струм Icc | 2,6 мА тип., макс. 4 мА (Ta 25 °C, Vcc 12 В) |
| Опорна напруга Vref | 5,00 В (Isource 0 мА, Ta 25 °C) |
| Піковий струм виходу OUT | 0,9 А (абсолютний максимум) |
| Температура переходу | від −40 до 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 шт |
Мікросхема R2A20133 ( 0133 , R2A20133DSP ) , so-8
В наявності
90,71 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Призначення | PFC-контролер, режим критичної провідності |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 24 В (абсолютний максимум, Ta 25 °C) |
| Поріг вмикання UVLO | 9,5 В (8,8–10,2 В) |
| Поріг вимикання UVLO | 8,5 В (8,1–8,9 В) |
| Струм споживання Icc | 1,8 мА (тип.), макс. 2,6 мА |
| Опорна напруга Vfb | 2,510 В (2,472–2,548 В), FB-COMP закорочені |
| Піковий струм виходу OUT | +0,9 / -0,5 А (імпульсний, абсолютний максимум) |
| Температура переходу Tj | -40…+150 °C (абсолютний максимум) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема RDA5807FP , smd
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Одночипний стереотюнер мовного FM-діапазону, low-IF, декодер MPX і RDS/RBDS |
| Діапазон частот | 50–108 МГц |
| Напруга живлення VDD | 2,7–3,3 В (тип. 3,0 В) |
| Споживаний струм | менше 20 мА (живлення 3,0 В, звичайний режим) |
| Крок каналів | 25 / 50 / 100 / 200 кГц |
| Інтерфейс керування | I2C (двопровідна шина), цифровий вихід I2S |
| Деемфазис | 50 / 75 мкс (програмований) |
| Робоча температура | −20…+75 °C (рекомендовані умови) |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість виводів | 16 шт |
Мікросхема RM6204, DIP8
В наявності
54,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Reactor Microelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга виводу OC | 700 В |
| Макс. струм виводу OC | 800 мА |
| Вихідна потужність (широкий діапазон мережі) | 12 Вт |
| Вихідна потужність (вузький діапазон мережі) | 15 Вт |
| Споживання в режимі очікування | < 0,3 Вт |
| Частота генератора | 65 кГц |
| Макс. шпаруватість | 57 % |
| Поріг датчика струму | 0,60 В |
| Напруга запуску | 8,8 В |
| Температура переходу | –40…150 °C |
Мікросхема RS8454P ( RS8454PXP ) оригінал, so-14
В наявності
124,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Чотириканальний операційний підсилювач, rail-to-rail на виході |
| Напруга живлення | 5–36 В або ±2,5–±18 В (25 °C) |
| GBW | 8 МГц (25 °C, RL = 10 кОм) |
| Slew Rate | 5 В/мкс (25 °C, RL = 10 кОм) |
| Напруга зміщення входу | ±0,5 мВ typ, ±1,5 мВ max |
| PSRR | 110 дБ typ (93 дБ min) |
| Робочий діапазон температур | -40…125 °C |
| Корпус | SO-14 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема RT8059 ( RT8059GJ5 ) (BQ=xxx – маркування) , sot23-5
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Richtek |
| Призначення | 1,5 МГц, 1 А високоефективний ШІМ понижувальний DC/DC перетворювач |
| Вхідна напруга | 2,8–5,5 В |
| Вихідна напруга | від 0,6 до VIN В |
| Вихідний струм | 1 А |
| Частота перетворення | 1,5 МГц (фіксована, ШІМ) |
| ККД | до 95 % |
| Споживання в режимі вимкнення | менше 0,1 мкА (EN = низький рівень) |
| Робочий діапазон Tj | -40…125 °C |
| Корпус | SOT23-5 |
Мікросхема RT8108A , so-8
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Richtek |
| Призначення | однофазний ШІМ-контролер синхронного понижувального перетворювача |
| Напруга живлення VCC | 5 В (±5 %) або 12 В (±10 %) |
| Частота ШІМ | 300 кГц (варіант A, VCC 12 В, TA 25 °C) |
| Опорна напруга | 0,6 В (варіант A, VCC 12 В, TA 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 92 % (fOSC 200/300 кГц) |
| Корпус | SO-8 |
