Мікросхеми
Мікросхема LV5680 ( LV5680P )
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | HZIP15J, 15 виводів |
| Макс. напруга живлення VCC | 36 В (Ta 25 °C) |
| Робоча напруга живлення | 7.5–16 В |
| Вихід VDD | 5.0 В, до 200 мА |
| Вихід CD | 8.0 В, до 1300 мА |
| Захист від перенапруги | 21 В (typ) |
| Тепловий захист | 175 °C (typ) |
| Потужність розсіювання | 1.5 Вт (без радіатора, Ta ≤ 25 °C) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Мікросхема LV5683 оригінал
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyo Semiconductor |
| Тип | Багатоканальний стабілізатор напруги, 4 виходи |
| Корпус | HZIP15, 15 виводів |
| Вихід VDD | 5,0 (3,3) В, Io max 300 мА |
| Вихід AUDIO | 8,5 В, Io max 300 мА |
| Вихід SWU | 3,3 В, Io max 500 мА |
| Вихід USB | 5,0 (8,0 для CD) В, Io max 1100 мА |
| Макс. напруга живлення | 36 В (Ta = 25 °C) |
| Розсіювана потужність без радіатора | 1,3 Вт (Ta ≤ 25 °C, лише мікросхема) |
| Розсіювана потужність з Al-радіатором | 5,3 Вт (Ta ≤ 25 °C, радіатор 50×50×1,5 мм) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LV5684N оригінал
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Макс. напруга VCC1, VCC2 | 36 В |
| Робоча напруга VCC1 | 7–16 В |
| Вихід VDD | 3,3 В, до 350 мА |
| Вихід SYSTEM | 3,3 В, до 450 мА |
| Вихід CD | 5 В / 8 В, до 1300 мА |
| Захист від перенапруги | 23 В |
| Теплове відключення | 175 °C |
| Корпус | HZIP15, 15 виводів |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LV5685 оригінал
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | HZIP15, 15 виводів |
| Макс. напруга VCC1, VCC2 | 36 В (Ta 25 °C) |
| Макс. напруга V6IN | 7 В (Ta 25 °C) |
| Робоча напруга VCC1 | 7–16 В (вихід VDD) |
| Струм споживання | 65 мкА (тип., працює лише вихід VDD) |
| Захист від перенапруги VCC1, VCC2 | 23 В (тип.) |
| Теплове відключення | 175 °C (тип.) |
| Pd max | 1,3 Вт (без радіатора, Ta ≤ 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LX1691A ( MSC1691AI ), TSSOP-16
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microsemi |
| Корпус | TSSOP-16 |
| Діапазон вхідної напруги живлення | 7–24 В |
| Напруга VDDP | 2.8–5.5 В |
| Режими димування | 6 |
| Затримка після ввімкнення | 120 мс |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Мікросхема LY2117 , DIP8
В наявності
29,61 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер flyback з біполярним ключем |
| Виробник | Shenzhen Stronglink Electronics |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. вихідна потужність | 18.0 Вт |
| Робоча частота | 62 кГц |
| Напруга ключа BJT | > 720 В |
| Max Vcc | 8.7 В |
| Споживання в черговому режимі | < 300 мВт |
| Захист | OVP |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема M52313SP демонтаж
В наявності
124,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Mitsubishi Electric |
| Призначення | PLL-обробник відео- та звукової ПЧ (VIF/SIF) |
| Робоча напруга живлення | 4.5–5.5 В (номінальна 5.0 В) |
| Струм споживання Icc | 36 мА типово (мін. 25, макс. 47; Ta 25 °C, Vcc1 5 В, Vcc2 12 В) |
| Макс. напруга Vcc1 | 7 В |
| Макс. напруга Vcc2 | 14 В |
| Потужність розсіювання Pd | 1000 мВт |
| Робоча температура | -20…+75 °C |
| Корпус | 20P4B (shrink DIP), 20 виводів |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема M52340SP-A демонтаж
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Mitsubishi Electric |
| Призначення | Однокристальний процесор сигналу кольорового ТВ (PAL/NTSC) |
| Живлення (виводи 8 і 24) | 4.75–5.25 В (номінальна 5.0 В) |
| Живлення (виводи 9, 20 і 47) | 7.6–8.4 В (номінальна 8.0 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 1.4 Вт (Ta 25 °C) |
| Робоча температура | -20…+65 °C |
| Керування | шина I2C |
| Корпус | 52P4B, 52 виводи |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема MA8920 оригінал демонтаж
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shindengen |
| Призначення | Імпульсний модуль живлення (RCC-перетворювач) |
| Макс. вхідна напруга Vin (піков.) | 900 В |
| Макс. вхідний струм Iin (піков.) | 5 А |
| Потужність розсіювання Pd (без радіатора) | 3 Вт (Ta = 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd (з радіатором) | 22 Вт (Tc = 100 °C) |
| Вихідна потужність Po | 80 Вт (вхід 180–276 В); 40 Вт (вхід 85–276 В), довідкове значення |
| Споживання на малому навантаженні | ≤ 0.5 Вт (навантаження 50 мВт, вхід AC 100 В) |
| ККД | ≥ 80 % (номінальне навантаження) |
| Корпус | 7 виводів, full-mold, крок виводів 2.54 мм |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема MAP3202 , so-14
В наявності
94,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Призначення | Одноканальний підвищувальний PWM-драйвер світлодіодів із керуванням за струмом |
| Напруга живлення | 8,5–18 В (Ta –40…+85 °C) |
| Напруга живлення, макс. допустима | 20 В (абсолютний максимум, VCC) |
| Струм спокою | 1,2 мА (типове; VPWMI = 0 В, VCC = 12 В) |
| Частота генератора | 100 кГц (Ta 25 °C, RT = 500) |
| Корпус | SO-14 |
Мікросхема MAP8800 , so-8
В наявності
32,43 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Призначення | Контролер корекції коефіцієнта потужності (PFC) |
| Режим роботи | Режим напруги, критичний режим провідності (CRM) |
| ККД схеми | понад 85 % (вихідна потужність понад 50 Вт) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MAX1771ESA ( MAX1771 ), so-8
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Maxim (Analog Devices) |
| Тип | Підвищувальний DC-DC контролер |
| Вихідна напруга | 12 В (задана) або регульована резисторами |
| Вхідна напруга | 2–16,5 В |
| Вихідна потужність | до 24 Вт |
| Частота перемикання | до 300 кГц |
| Робоча температура | -40…85 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MAX232 , smd
В наявності
19,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Подвійний драйвер/приймач EIA-232 |
| Напруга живлення VCC | 4.5–5.5 В |
| Струм живлення | 8 мА (тип.), 10 мА (макс.) при VCC = 5.5 В, TA = 25 °C |
| Швидкість передачі | до 120 кбіт/с |
| Канали | 2 драйвери, 2 приймачі |
| Вхідна напруга приймача | ±30 В |
| Захист ESD | 2000 В (HBM) |
| Конденсатори charge pump | 1 мкФ |
| Робоча температура | 0–70 °C |
| Виконання | smd |
Мікросхема MAX3485 ( MAX3485EPA ) , DIP8
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | приймач-передавач RS-485/RS-422 |
| Напруга живлення | 3,0–3,6 В |
| Швидкість передачі | 10 Мбіт/с |
| Режим | напівдуплекс |
| Струм у режимі вимкнення | 2 нА |
| Кількість трансиверів на шині | до 32 |
| Робочий діапазон температур | від –40 до +85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема MAX4420 , so-8
В наявності
209,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Maxim |
| Призначення | Неінвертуючий одноканальний драйвер MOSFET, вхід TTL/CMOS |
| Напруга живлення VDD | 4.5–18 В |
| Піковий вихідний струм | 6 А (VDD = 18 В, TA = 25 °C, мін.) |
| Вихідний опір | 1.5 Ом (VDD = 18 В, Iout = 10 мА, TA = 25 °C, типово) |
| Час наростання | 25 нс (2500 пФ, VDD = 18 В, TA = 25 °C, типово) |
| Час спаду | 25 нс (2500 пФ, VDD = 18 В, TA = 25 °C, типово) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MC33260 , so-8
В наявності
41,83 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | Контролер PFC |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Максимальна напруга VCC | 16 В |
| Поріг запуску VCC | 11 В (тип., VCC = 13 В, TJ = 25 °C) |
| Струм споживання в роботі | 4,0 мА (тип., макс. 8,0 мА) |
| Струм драйвера затвора | ±500 мА (source/sink) |
| Макс. температура переходу TJ | 150 °C |
| Робочий діапазон TA | -40…+105 °C |
Мікросхема MC33274ADG , so-14
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | Чотири операційні підсилювачі |
| Корпус | SO-14 |
| Кількість підсилювачів | 4 |
| Напруга живлення | +3,0…+36 В або ±1,5…±18 В |
| Макс. VCC–VEE | 36 В |
| GBW | 24 МГц (f = 100 кГц, ±15 В, TA = 25 °C) |
| Швидкість наростання | 10 В/мкс (±15 В, TA = 25 °C) |
| Вхідна напруга зсуву | 0,1 мВ (тип., макс. 1,0 мВ) |
| Струм споживання на підсилювач | 2,15 мА (тип., макс. 2,75 мА) |
| Вхідний струм зміщення | 300 нА |
| Шум | 18 нВ/√Гц (f = 1,0 кГц) |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
Мікросхема MC34063API ( MC34063AL , MC34063C ) , DIP8
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | Керуючий чип DC-DC перетворювача |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга | 3,0…40 В |
| Макс. напруга живлення VCC | 40 В |
| Струм вихідного ключа | 1,5 А |
| Частота перетворення | до 100 кГц |
| Опорна напруга компаратора | 1,25 В (VCC = 5,0 В, TA = 25 °C) |
| Напруга насичення ключа (Дарлінгтон) | 1,0 В (тип., макс. 1,3 В; ISW = 1,0 А) |
| Струм споживання | макс. 4,0 мА |
| Розсіювана потужність PDIP-8 | 1,25 Вт (TA = 25 °C) |
| Робочий діапазон MC34063A | 0…+70 °C |
Мікросхема MC34071P оригінал, DIP8
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення (VCC–VEE) | 3,0–44 В |
| Смуга підсилення (GBW) | 4,5 МГц (typ), f = 100 кГц, VCC = +15 В, VEE = −15 В |
| Швидкість наростання | 13 В/мкс |
| Напруга зміщення нуля | 1,0 мВ (typ) / 5,0 мВ (max), RS = 100 Ом |
| Струм споживання на підсилювач | 1,9 мА (typ) / 2,5 мА (max), VCC = +15 В, VEE = −15 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MC34119 ( MC34119L ) , so-8
В наявності
24,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Низьковольтний аудіопідсилювач для телефонних апаратів |
| Напруга живлення | 2–16 В (робочий діапазон) |
| Струм спокою | 2,7 мА (типове) |
| Вихідна потужність | не менше 250 мВт (Vcc 6 В, RL 32 Ом, THD ≤ 10%) |
| Коефіцієнт підсилення | 0–46 дБ |
| Опір навантаження | 8–100 Ом |
| Робоча температура | –20…+70 °C (Ta) |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MC34152 , so-8
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний драйвер MOSFET |
| Виробник | onsemi |
| Кількість незалежних каналів | 2 (неінвертуючі, двотактні виходи) |
| Струм двотактного виходу (sink/source) | 1,5 А (Maximum Ratings, на канал) |
| Максимальна напруга живлення | 20 В |
| Робоча напруга живлення | 6,1–18 В |
| Час наростання виходу (10–90 %) | 14 нс тип., 30 нс макс. (CL = 1,0 нФ, VCC = 12 В, TA = 25 °C) |
| Час спаду виходу (90–10 %) | 15 нс тип., 30 нс макс. (CL = 1,0 нФ, VCC = 12 В, TA = 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | 0…+70 °C |
| Входи | сумісні з CMOS/LSTTL, з гістерезисом |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема MC44603P оригінал ( MC44603AP )
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP16 |
| Частота перемикання виходу | до 250 кГц |
| Макс. напруга живлення VCC | 18 В |
| Макс. струм виходу (пік) | 750 мА |
| Опорна напруга Vref | 2,5 В (2,4–2,6 В), VCC = 10–15 В |
| Поріг запуску | 14,5 В (13,6–15,4 В) |
| Робоча температура | −25…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MC44604P ( MC44604 )
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP16 |
| Частота перемикання | до 250 кГц |
| Вхід мережі | 80–280 В (універсальний вхід) |
| Струм виходу, джерело / стік | 750 / 750 мА |
| Напруга живлення виходу VC (макс.) | 18 В |
| Поріг запуску (UVLO) | 14,5 В |
| Опорна напруга Rref | 2,5 В при VCC = 10–15 В |
| Робоча температура | від -25 до +85 °C |
Мікросхема MC44608P40
В наявності
53,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor (onsemi) |
| Тип | ШІМ-контролер імпульсного джерела живлення |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | PDIP-8, суфікс P, CASE 626 |
| Кількість виводів | 8 |
| Частота перемикання | 40 кГц |
| Макс. напруга живлення VCC | 16 В |
| Макс. струм живлення ICC | 30 мА |
| Макс. напруга на виводі Vi | 500 В |
| Рекомендована напруга на виводі Vi | 400 В |
| Розсіювана потужність Pd | 600 мВт при TA = 85 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Мікросхема MC44608P75
В наявності
65,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor (onsemi) |
| Тип | ШІМ-контролер імпульсного джерела живлення |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | PDIP-8, суфікс P, CASE 626 |
| Кількість виводів | 8 |
| Частота перемикання | 75 кГц |
| Макс. напруга живлення VCC | 16 В |
| Макс. струм живлення ICC | 30 мА |
| Макс. напруга на виводі Vi | 500 В |
| Рекомендована напруга на виводі Vi | 400 В |
| Розсіювана потужність Pd | 600 мВт при TA = 85 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Мікросхема MCP3201-BI , smd
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip Technology |
| Тип | 12-бітний АЦП з інтерфейсом SPI |
| Розрядність | 12 біт |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
| Напруга живлення VDD | 2,7–5,5 В |
| Макс. частота дискретизації | 100 тис. вибірок/с (VDD = VREF = 5 В) |
| Робочий струм IDD | 300 мкА (тип.), 400 мкА (макс.) при VDD = 5,0 В |
| Струм очікування IDDS | 0,5 мкА (тип.), 2 мкА (макс.) при CS = VDD = 5,0 В |
| DNL | ±1 МЗР (макс.) |
| INL | ±1 МЗР (макс.) |
| Діапазон температур | -40…+85 °C |
Мікросхема MCP601-I/SN , so-8
В наявності
23,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip Technology |
| Кількість підсилювачів | 1 |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення | 2.7–6.0 В |
| GBWP (типово, 25 °C) | 2.8 МГц |
| Швидкість наростання (типово, G=+1, 25 °C) | 2.3 В/мкс |
| Струм споживання на підсилювач (типово, IO=0, 25 °C) | 230 мкА |
| Діапазон температур (індустріальний) | –40…+85 °C |
Мікросхема MCP602I-SN , so-8
В наявності
26,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Microchip Technology |
| Кількість підсилювачів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення | 2.7–6.0 В |
| GBWP (типово, 25 °C) | 2.8 МГц |
| Швидкість наростання (типово, G=+1, 25 °C) | 2.3 В/мкс |
| Струм споживання на підсилювач (типово, IO=0, 25 °C) | 230 мкА |
| Діапазон температур (індустріальний) | –40…+85 °C |
Мікросхема MD12H, DIP8
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі | 85–265 В AC |
| Напруга пробою ключа BVDSS | 750 В |
| Піковий струм обмеження | 0,55 А |
| Частота перемикання | 45 кГц |
| Макс. шпаруватість | 80 % |
| Стала вихідна потужність | 6 Вт |
| Пікова вихідна потужність | 8,4 Вт |
| Напруга запуску UVLO | 14,5 В |
| Напруга вимкнення UVLO | 8 В |
| Робоча температура переходу | –40…150 °C |
Мікросхема MD18201A ( 18201A , MD18201ATAA ) оригінал, so-8
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Мікросхема Micro EG3112 , so-8
В наявності
64,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Тип | Драйвер затворів MOSFET/IGBT (напівміст) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга верхнього плеча VB | 600 В (макс., TA 25 °C) |
| Напруга живлення Vcc | 2,8–20 В |
| Вихідний струм (витікання) | 2 А |
| Вихідний струм (втікання) | 2,5 А |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Мертвий час | 100 нс (Vcc 12 В, CL 10 нФ) |
Демонтаж
Мікросхема MIP289 демонтаж, DIP7
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Напруга стік–джерело, макс. | 700 В |
| Струм стоку, макс. | 280 мА |
| Пиковий струм стоку, макс. | 420 мА |
| Частота генератора | 44 кГц (типово) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 68 % (типово) |
| Поріг захисту за струмом | 0,255 А (типово) |
| Опір відкритого каналу | 31,2 Ом (типово, ID = 25 мА) |
| Температурний захист | 140 °C (типово) |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема MIP289 оригінал, DIP7
В наявності
90,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP-8-A1(CF) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MIP2C4 , DIP7
В наявності
81,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Напруга стік–джерело, макс. | 700 В |
| Струм стоку, макс. | 1200 мА |
| Напруга VCC, макс. | 45 В |
| Напруга VDD, макс. | 8 В |
| Частота генератора | 100 кГц (типово) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 47,5 % (типово) |
| Поріг захисту за струмом | 0,70 А (типово) |
| Опір відкритого каналу | 8,0 Ом (типово, ID = 100 мА) |
| Температурний захист | 140 °C (типово) |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема MIP2E4D , DIP7
В наявності
51,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга на виводі Drain VD макс. | 700 В |
| Напруга на виводі Control VC макс. | 10 В |
| Вихідний струм ID макс. | 1.72 А |
| Вихідний піковий струм IDP макс. | 2.4 А |
| Частота генерації fOSC | 100 кГц (90–110) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 69 % (66–72) |
| Струм спрацювання захисту ILIMIT | 1.5 А (1.35–1.65) |
| Опір відкритого каналу RDS(ON) | 5.8 Ом (тип.), макс. 6.7 Ом |
| Температура каналу макс. | 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
Мікросхема MIP2F2 , DIP7
В наявності
23,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга VDSS | 700 В |
| Піковий струм IDP | 0.65 А |
| Струм захисту ILIMIT | 0.350 А |
| Rds(on) типове | 20 Ом |
| Частота fOSC | 100 кГц |
| Напруга живлення VCC | 45 В (макс.) |
Мікросхема MIP2F3 , DIP
В наявності
62,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Panasonic |
| Корпус | DIP7 |
| Напруга VDSS | 700 В |
| Піковий струм IDP | 1 А |
| Струм захисту ILIMIT | 0.50 А |
| Rds(on) типове | 10 Ом |
| Частота fOSC | 100 кГц |
| Напруга живлення VCC | 45 В (макс.) |