Мікросхеми
Мікросхема ICE1PCS02 , DIP8
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Призначення | PFC-контролер, режим безперервного струму (CCM) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VCC (робоча) | 10–21 В |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 22 В |
| Поріг вмикання VCC | 11.2 В |
| Поріг вимкнення VCC (UVLO) | 10.2 В |
| Частота перемикання | 65 кГц (Tj = 25 °C) |
| Максимальна скважність | 97 % (типово) |
| Струм старту | 100 мкА |
| Робочий струм живлення | 13 мА |
| Температура переходу (робоча) | -40…125 °C |
Мікросхема ICE1QS01 , DIP8
В наявності
78,02 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Призначення | Квазірезонансний контролер зворотноходових БЖ |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VCC (макс.) | 21 В |
| Поріг вмикання VCC | 15 В |
| Поріг вимкнення VCC | 9 В |
| Поріг захисту VCC від перенапруги | 20 В |
| Струм старту | 60 мкА |
| Робочий струм живлення | 11 мА |
| Мінімальна частота в режимі очікування | 20 кГц |
| Діапазон потужності | 0–300 Вт |
| Температура переходу (робоча) | -25…150 °C |
| Тепловий опір перехід-середовище | 100 К/Вт |
Мікросхема ICE2A0565 ( ICE 2A0565 ) оригінал, DIP8
В наявності
72,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Призначення | ШІМ-контролер з MOSFET CoolMOS (CoolSET-F2) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds | 650 В |
| Rds(on) | 4.7 Ом (Tj = 25 °C, типово) |
| Частота перемикання | 100 кГц |
| Максимальна скважність | 72 % (типово) |
| Вихідна потужність (230 В ±15 %) | 23 Вт |
| Вихідна потужність (85–265 В) | 13 Вт |
| Поріг вмикання VCC | 13.5 В |
| Струм старту | 27 мкА |
| Поріг обмеження струму | 1.0 В |
| Температура переходу (робоча) | -25…130 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2A165 ( ICE 2A165 ) оригінал, DIP8
В наявності
95,41 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга стоку CoolMOS | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) тип. | 3,0 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 3,8 А |
| Макс. потужність БЖ | 31 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В |
| Макс. напруга VCC | 22 В |
| Тепловий захист | 140 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема ICE2A280Z демонтаж, DIP7
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP7 |
| Макс. напруга стоку CoolMOS | 800 В (Tj 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0,8 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 14,8 А |
| Макс. потужність БЖ | 50 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В |
| Макс. напруга VCC | 22 В |
| Тепловий захист | 140 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема ICE2A765P оригінал ( ICE2A765P2 ) ,TO220-6
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO220-6 |
| Макс. напруга стоку CoolMOS | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) тип. | 0,45 Ом (Tj 25 °C) |
| Макс. потужність БЖ | 240 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В |
| Тепловий захист | 140 °C |
| Rth(j-c) | 2,5 К/Вт |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2B265 ( 2B265 ) , DIP8
В наявності
79,43 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга стоку CoolMOS | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) тип. | 0,9 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 9,8 А |
| Макс. потужність у БЖ | 52 Вт (230 В AC ±15 %, Ta 75 °C, Tj 125 °C, мідь 6 см²) |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В |
| Макс. VCC (абсолютна) | 22 В |
Мікросхема ICE2B365 , DIP8
В наявності
98,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга стоку CoolMOS | 650 В (Tj 110 °C) |
| Rds(on) тип. | 0,45 Ом (Tj 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку | 23,3 А |
| Макс. потужність у БЖ | 67 Вт (230 В AC ±15 %, Ta 75 °C, Tj 125 °C, мідь 6 см²) |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 0,72 |
| Поріг вмикання VCC | 13,5 В |
| Макс. VCC (абсолютна) | 22 В |
Мікросхема ICE2PCS02G ( 2PCS02 ), so-8
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення VCC | 11–25 В |
| Поріг вмикання VCC | 11,8 В (тип.) |
| Частота перетворення | 65 кГц (тип.) |
| Макс. шпаруватість | 95 % (тип.) |
| Струм драйвера GATE | 1,5 / 2,0 А (імпульсний) |
| Опорна напруга | 3 В ±2 % при 25 °C |
| Робочий діапазон Tj | –40…125 °C |
Мікросхема ICE2QR0665 ( 2QR0665 , ICE2QR0665J ) оригінал, DIP8
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Квазірезонансний ШІМ-контролер з MOSFET (CoolSET) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Rds(on) | 0,65 Ом при Tj 25 °C, ID 2,5 А |
| Макс. вхідна потужність (230 В AC ±15 %) | 88 Вт |
| Макс. вхідна потужність (85–265 В AC) | 50 Вт |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,5 В |
| Макс. VCC | 27 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2QR2280Z оригінал ( 2QR2280Z ) , DIP7
В наявності
215,26 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolSET-Q1 |
| Корпус | DIP7 |
| Маркування | 2QR2280Z |
| Напруга стік-витік Vds (макс.) | 800 В при Tj 25 °C |
| Rds(on), тип. | 2.26 Ом при Tj 25 °C (макс. 2.62 Ом) |
| Імпульсний струм стоку | 4.9 А (тривалість обмежена Tj max) |
| Напруга живлення VCC (абс. макс.) | 27 В |
| Поріг захисту від перенапруги VCC | 25.0 В тип. (діапазон 24.0–26.0 В) |
| Частота в режимі Active Burst | 52 кГц тип. (діапазон 39–65 кГц) |
| Макс. вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 54 Вт |
| Макс. вихідна потужність, 85–265 В AC | 31 Вт |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE2QS02G ( 2QS02G ) оригінал, so-8
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | SO-8 |
| Маркування | 2QS02G |
| Тип | квазірезонансний ШІМ-контролер без вбудованого ключа |
| Напруга живлення VCC (абс. макс.) | 27 В |
| VCC, робочий діапазон (макс.) | 25 В |
| Поріг вмикання VCC | 12.0 В тип. (діапазон 11.3–12.7 В) |
| Напруга виводу GATE (абс. макс.) | 10.0 В |
| Час наростання GATE | 70 нс тип. (COUT 2.2 нФ) |
| Час спаду GATE | 30 нс тип. (COUT 2.2 нФ) |
| Макс. період комутації | 50 мкс тип. (діапазон 42–57 мкс) |
| Температура переходу Tj | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3A1065ELJ ( 3A1065ELJ , ICE3A1065LJ , ICE3A1065L ) оригінал, DIP8
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolSET-F3 |
| Корпус | DIP8 |
| Маркування | 3A1065ELJ |
| Напруга стік-витік Vds (макс.) | 650 В при Tj 110 °C |
| Rds(on), тип. | 2.95 Ом при Tj 25 °C |
| Імпульсний струм стоку | 3.4 А (Tj 150 °C) |
| Частота перетворення | 100 кГц з частотним джитером |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % |
| Напруга живлення VCC (абс. макс.) | 27 В |
| Поріг вимикання VCC | 10.5 В |
| Макс. вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 32 Вт |
| Макс. вихідна потужність, 85–265 В AC | 16 Вт |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3A2565 ( 3A2565 ) оригінал, DIP8
В наявності
119,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Корпус | DIP8 |
| Тип | ШІМ-контролер з вбудованим ключем CoolMOS |
| Напруга ключа | 650 В |
| Опір відкритого ключа | 0.65 Ом (тип., 25 °C) |
| Частота перемикання | 100 кГц (тип.) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 72 % |
| Вхідна потужність | 68 Вт (230 В AC), 33 Вт (85–265 В AC) |
| Поріг увімкнення / вимкнення VCC | 15.0 / 8.5 В (тип.) |
| Струм споживання | 8.1 мА (тип.) |
| Позначення | ICE3A2565 (3A2565) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3AR2280JZ оригінал ( 3AR2280JZ ) , DIP7
В наявності
174,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер з вбудованим MOSFET |
| Виробник | Infineon |
| Напруга стік–витік Vds | 800 В (макс.) |
| Rds(on) | 2.26 Ом (тип., Tj = 25 °C) |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Поріг вмикання VCC | 17.0 В (тип.) |
| Поріг вимикання VCC | 10.5 В (тип.) |
| Плавний старт | 10 мс |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3B0365JG smd
В наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму з MOSFET (CoolSET) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Rds(on) | 6,45 Ом при Tj 25 °C |
| Макс. вхідна потужність (230 В AC ±15 %) | 22 Вт |
| Макс. вхідна потужність (85–265 В AC) | 10 Вт |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. шпаруватість | 75 % |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,3 В |
| Макс. VCC | 27 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | PG-DSO-12 (smd) |
Мікросхема ICE3B0565 ( ICE3B0565J ) оригінал, DIP8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму з MOSFET (CoolSET) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Rds(on) | 4,70 Ом при Tj 25 °C |
| Макс. вхідна потужність (230 В AC ±15 %) | 25 Вт |
| Частота перетворення | 67 кГц |
| Макс. шпаруватість | 75 % |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,3 В |
| Макс. VCC | 27 В |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3B1565J ( ICE3B1565 ) оригінал, DIP8
В наявності
116,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (абсолютний максимум, Tj = 110 °C) |
| V(BR)DSS | 600 В мінімум (Tj = 25 °C) |
| Rds(on) типове | 1,70 Ом (Tj = 25 °C, ID = 1,5 А) |
| Частота перетворення | 67 кГц (типове) |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В |
| Поріг вимикання VCC | 10,3 В |
| Максимальна VCC | 27 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність (230 В AC ±15 %) | 42 Вт (Ta = 75 °C, Tj = 125 °C, без мідного радіатора) |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3B2565 оригінал, DIP8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | CoolSET F3 |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3BR0665JF ( 3BR0665JF ) , TO220F-6
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds (MOSFET) | 650 В (V(BR)DSS мін.) |
| Rds(on) при Tj 25 °C | 0,59 Ом (тип.), 0,66 Ом (макс.) |
| Rds(on) при Tj 125 °C | 1,31 Ом (тип.), 1,46 Ом (макс.) |
| Частота перетворення | 67 кГц (58–75 кГц), Tj 25 °C |
| Імпульсний струм стоку | 23 А (Tj макс. 150 °C) |
| Потужність розсіювання | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В (17,0–19,0 В) |
| Поріг вимикання VCC | 10,5 В (9,8–11,2 В) |
| Корпус | TO-220F-6L |
Мікросхема ICE3BR1765J ( ICE3BR1765JZ ) оригінал, DIP8
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds CoolMOS | 650 В (Tj 110 °C, мін.) |
| Rds(on) typ | 1,70 Ом (Tj 25 °C, Id 1,5 А) |
| Частота перемикання | 65 кГц (Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % |
| Напруга VCC (абс. макс.) | 27 В |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3BS02 оригінал ( заміна для ICE3DS01 ), DIP8
В наявності
142,41 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3BS03LJG ( ICE3BS03LJ , 3BS3LJ ) оригінал, so-8
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Маркування | 3BS3LJ |
| Напруга стартової комірки | 500 В |
| Частота перемикання | 65 кГц (Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 185 К/Вт |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICL7660 , so-8
В наявності
30,55 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | CMOS-перетворювач напруги (зарядовий насос) |
| Виробник | Renesas (Intersil) |
| Вхідна напруга | 1.5–10.0 В |
| Вихідна напруга | -1.5…-10.0 В |
| Частота генератора | 10 кГц (V+ = 5.0 В, без навантаження) |
| Струм споживання | 170 мкА типово, 500 мкА макс. (V+ = 5 В, TA = 25 °C) |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість виводів | 8 |
Мікросхема ICM7555IN ( 7555IN , NE7555 ) , DIP8
В наявності
43,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | CMOS RC-таймер |
| Виробник | Renesas (Intersil) |
| Напруга живлення | 2–18 В |
| Макс. вихідний струм | 100 мА (абсолютний) |
| Температурна стабільність | 0.005 %/°C при +25 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема ID2006 ( ID2006SEC-R1 ) оригінал, so-8
В наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | високовольтний швидкий драйвер MOSFET з незалежними каналами верхнього і нижнього ключа |
| Робоча напруга плаваючого каналу | до 200 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 6–18 В |
| Вихідний струм (джерело / стік) | 1 / 1 А (типове) |
| Стійкість до dV/dt | ±50 В/нс |
| Допустима від'ємна напруга Vs | -9 В (типове) |
| Логічні входи | сумісні з 3,3 / 5 В |
| Корпус | SO-8 |
| Виробник | Chipown |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ID5S606B ( ID5S606BSEC-R1 ) оригінал, so-8
В наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ID5S609 ( ID5S609SEC-R1 ) оригінал, so-8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Драйвер двох N-канальних MOSFET або IGBT у напівмостовій схемі |
| Виробник | IDRIVER |
| Робоча напруга силового каскаду | до 600 В |
| Напруга живлення драйвера | 10–20 В |
| Струм виходу IO+ | 400 мА |
| Струм виходу IO− | 800 мА |
| Вхідна логічна «1» VIH | 2,3 В (мін.) |
| Вхідний логічний «0» VIL | 0,8 В (макс.) |
| Затримка вмикання/вимикання | 220 нс (тип.) |
| Стійкість до dV/dt | ±50 В/нс |
| Потужність розсіювання Pd | 0,625 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | −40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ID7S625 ( ID7S625SBC-R1 ) оригінал, SOIC-16(W)
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | високовольтний швидкий драйвер MOSFET і IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього ключа |
| Робоча напруга плаваючого каналу | до 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В |
| Вихідний струм | 2,5 А (імпульсний струм короткого замикання виходу, джерело і стік) |
| Логічні входи | сумісні з 3,3 / 5 / 15 В |
| Захист | UVLO для обох каналів |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Виробник | Chipown |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IMP3236S ( DS-IMP 3236S , DS-IMP3236S , 3236S ) оригінал, sop-28
В наявності
284,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | драйвер трифазного моста для MOSFET та IGBT |
| Канали | 3 напівмости, 6 виходів |
| Макс. напруга плаваючого каналу | 600 В |
| Напруга живлення затворів | 10–20 В |
| Вхідна логіка | CMOS та LSTTL, до 3.3 В |
| Корпус | SOP-28 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема INL858RN (заміна для OZ9998RN , OZ9998ARN , OZ9998BRN ) , TSSOP-24
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TSSOP-24 |
| Призначення | DC/DC-контролер для підсвічування LCD світлодіодами; до 8 паралельних гілок світлодіодів |
| Кількість каналів струму (ISEN) | 8 шт. |
| Струм на канал ISEN | 60 (OZ9998) / 80 (OZ9998A) мА |
| Димування | зовнішній ШІМ, фазове зсування ШІМ |
Мікросхема IP5108 ( IP5108E ) , so-16
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Макс. струм заряду | 2,1 А (IP5108) / 1 А (IP5108E) |
| ККД підвищувального перетворювача | до 95 % (вхід 3,7 В, вихід 5 В / 1 А: 94 %) |
| ККД заряду | до 96 % |
| Частота перетворювача | 650 кГц |
| Напруга заряду акумулятора | 4,2 В (±0,5 %) |
| Вхідна напруга VIN | 4,5–5,5 В |
| Робоча напруга акумулятора | 3,0–4,4 В |
| Опір PMOS | 50 мОм |
| Опір NMOS | 30 мОм |
| Струм очікування | 50 мкА (порожнє навантаження) |
| Робоча температура | 0–70 °C |
| Корпус | ESOP16L, 16 виводів |
Мікросхема IP5209 , QFN-24
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Корпус | QFN-24 |
| Струм зарядки | 2,1 А (максимум) |
| Вихідний струм DC-DC | 2,4 А (максимум) |
| Вхідна напруга зарядки VIN | 4,5–5,5 В |
| Напруга акумулятора | 3,0–4,4 В |
| Вихідна напруга DC-DC | 5,12 В (тип., VBAT 3,7 В, без навантаження) |
| Частота перемикання зарядника | 1,6 МГц (тип.) |
| Частота перемикання підвищувального перетворювача | 650 кГц (тип.) |
| Струм у режимі очікування | <100 мкА |
| АЦП | 14 біт |
| Захист ESD | 4 кВ |
Мікросхема IP5305 , so-8
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Макс. струм заряду | 1,2 А |
| Вихідний струм boost | 1,0 А (вихід 5 В) |
| ККД заряду | до 93 % |
| Напруга заряду акумулятора | 4,2 / 4,3 / 4,35 / 4,4 В (±0,5 %) |
| Вхідна напруга VIN | 4,5–5,5 В |
| Струм очікування | <100 мкА |
| Частота перетворювача | 650 кГц |
| Захист ESD | 4 кВ |
| Корпус | ESOP-8 |
Мікросхема IP5306 , so-8
В наявності
36,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Вхідна напруга VIN | 4,75–5,5 В (тип. 5 В) |
| Струм зарядки | 2,1 А (тип.) |
| Напруга заряду акумулятора | 4,2 В (тип.) |
| Вихідна напруга boost | 5 В |
| Вихідний струм boost | 2,1 А при VBAT 3,7 В |
| Частота перемикання | 500 кГц (тип.) |
| Робоча температура TA | 0…70 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Корпус (докладно) | SO-8 (у даташиті eSOP8) |
Мікросхема IP5328 , QFN-40
В наявності
130,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Вихідний струм при 5 В | 3.1 А |
| Вихідний струм при 9 В | 2.0 А |
| Вихідний струм при 12 В | 1.5 А |
| Напруга заряду акумулятора | 4.2 / 4.35 / 4.4 / 4.5 В |
| АЦП | 14 біт, I2C |
| Захист ESD (HBM) | 4 кВ |
| Корпус | QFN-40 |
| Макс. вхідна напруга VIN/VBUS (абс.) | 16 В |
Мікросхема IP5356-188-BZ , QFN-40 цифровий індикатор
В наявності
136,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | контролер павербанка (SOC) зі швидкою зарядкою |
| Позначення | IP5356-188-BZ |
| Виробник | Injoinic |
| Корпус | QFN-40 |
| Потужність розряду | до 22.5 Вт |
| Потужність заряду | до 18 Вт |
| Струм заряду батареї | до 5.0 А |
| Протоколи | QC2.0/QC3.0, FCP, AFC, SFCP, SCP, MTK PE+, PD2.0/PD3.0, PPS, BC1.2 |
| Вихідна напруга | 5 / 9 / 12 В, PPS 5–11 В |
| Вхідна напруга | 4.5–14 В |
| Напруга батареї | 4.2 В |
| Індикатор | сегментний «188» |