Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор G20T65FULA ( BLG20T65FULA-P ) оригінал, TO220

263,20 ₴

20 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

20 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

G20T65FULA (BLG20T65FULA-P) – IGBT-транзистор з вбудованим діодом на 650 В, корпус TO-220. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА)
Напруга затвор–емітер Vges±30 В
Струм колектора Ic40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм колектора Icm80 А (обмежено Tj max)
Напруга насичення Vce(sat)1,55 В (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C; макс. 1,95 В)
Порогова напруга Vge(th)5,1–6,5 В (Vce = Vge, Ic 1 мА)
Заряд затвора Qg44 нКл (Vcc 520 В, Ic 20 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє (м’який, швидкий)
Розсіювана потужність Pd136 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

G20T65FULA (код замовлення BLG20T65FULA-P) – IGBT-транзистор із вбудованим швидким діодом у корпусі TO-220. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА), напруга затвор–емітер Vges – ±30 В. Струм колектора Ic – 40 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C, імпульсний струм Icm – 80 А (обмежено Tj max). Напруга насичення Vce(sat) – 1,55 В при Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C (макс. 1,95 В). Заряд затвора Qg – 44 нКл при Vcc 520 В, Ic 20 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 136 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C.

Це оригінал, не демонтаж. Для заміни дивіться на корпус TO-220, напругу Vces, струм Ic при Tc 100 °C і Vce(sat) при тому самому струмі та Vge. Якщо в схемі є вбудований діод, нова деталь теж має його мати. За даними виробника пряма заміна – BLG20T65FULA-A. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Безколекторні двигуни (BLDC), UPS, приводи двигунів, PFC, портативні станції живлення.
Часто питають
Чим замінити G20T65FULA?

За даними виробника пряма заміна – BLG20T65FULA-A. Для іншої деталі порівняйте корпус TO-220, Vces не нижче 650 В, Ic при Tc 100 °C не менше 20 А та Vce(sat) при Ic 20 А, Vge 15 В. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є у G20T65FULA вбудований діод?

Так, вбудований швидкий діод з м’яким відновленням: Vf 1,90 В при If 20 А, Tj 25 °C, trr 75 нс при If 20 А, di/dt 200 А/мкс.

Для яких пристроїв підходить G20T65FULA?

За даними документа – для безколекторних двигунів (BLDC), UPS, приводів двигунів, PFC, портативних станцій живлення. Перед використанням звірте режим схеми з параметрами Vces, Ic і Vge.

Datasheet

Документація виробника: BLG20T65FULA-P.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Потужність Pd (25 °C)316 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg262 нКл
Вхідна ємність Cies7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 60 А, 25 °C)1.7 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.