Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор WSF70P03 оригінал, DPAK
164,50 ₴
30 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
30 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
WSF70P03 – P-канальний польовий транзистор Winsok Semicon у корпусі TO-252 (DPAK) для DC-DC перетворювачів і ключів навантаження. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга стік–витік Vds | -30 В |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±20 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS=-10 В) | -57 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS=-10 В) | -36 А |
| Імпульсний струм стоку Idm | -180 А |
| Rds(on) (VGS=-10 В, ID=-30 А) | 7.5 мОм тип., 9.5 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS=-4,5 В, ID=-15 А) | 12 мОм тип., 16 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | -1.0 … -2.5 В |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3448 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 52.1 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Winsok Semicon |
| Стан | Оригінал |
WSF70P03 – P-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва Winsok Semicon у корпусі TO-252 (DPAK). Напруга стік–витік Vds -30 В (VGS=0 В, ID=-250 мкА, мін.), напруга затвор–витік ±20 В. Струм стоку Id -57 А при TC 25 °C і -36 А при TC 100 °C (VGS=-10 В). Опір відкритого каналу Rds(on) 7.5 мОм (тип.), 9.5 мОм (макс.) при VGS=-10 В, ID=-30 А, Tj 25 °C; 12 мОм (тип.), 16 мОм (макс.) при VGS=-4,5 В, ID=-15 А. Заряд затвора Qg 33 нКл при VDS=-15 В, VGS=-4,5 В, ID=-15 А. Вхідна ємність Ciss типово 3448 пФ (f 1 МГц). Потужність розсіювання 52.1 Вт при TC 25 °C, температура переходу до 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (потрібен P-канал), Vds, Id, Rds(on) при тій самій напрузі на затворі та корпус TO-252 (DPAK). Якщо у заміни Qg більший, перевірте можливості драйвера. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Синхронні понижуючі DC-DC перетворювачі високої частоти (точки живлення на материнських платах, ноутбуках, відеокартах)
- Мережеві системи живлення DC-DC
- Ключ навантаження (load switch)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити WSF70P03?
Підбирайте P-канальний MOSFET у корпусі TO-252 (DPAK) з не гіршими Vds, Id та Rds(on) при тій самій напрузі на затворі. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Яка напруга на затворі потрібна для відкриття?
Порогова напруга Vgs(th) від -1.0 до -2.5 В (тип. -1.6 В) при VGS=VDS, ID=-250 мкА. Rds(on) гарантовано при VGS=-10 В і при VGS=-4,5 В, значення наведені в описі.
Де застосовується WSF70P03?
У синхронних понижуючих DC-DC перетворювачах, мережевих системах живлення DC-DC і як ключ навантаження.
Документація виробника: WSF70P03 (Winsok Semicon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.