Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF20N50PN ( 20N50 ) оригінал, TO-3P
305,50 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVF20N50PN (20N50) – N-канальний польовий транзистор Silan у корпусі TO-3P, оригінал. Для імпульсних блоків живлення та DC-DC перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Silan (Hangzhou Silan Microelectronics) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 20 А (TC = 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 12.6 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.20 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Rds(on) макс. | 0.27 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 49.5 нКл (VDS = 400 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 252 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. Vgs | ±30 В |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
SVF20N50PN (маркування 20N50) – N-канальний MOSFET виробництва Silan (Hangzhou Silan Microelectronics) у корпусі TO-3P. Напруга Vds – 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.). Струм стоку Id – 20 А при TC = 25 °C і 12.6 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.20 Ом типово і 0.27 Ом максимум при VGS = 10 В, ID = 10 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В, максимальна напруга затвор-витік Vgs – ±30 В. Вхідна ємність Ciss типово 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 252 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Заряд затвора Qg – 49.5 нКл (VDS = 400 В, ID = 20 А, VGS = 10 В), тому перед заміною перевірте, чи драйвер затвора розрахований на такий заряд. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vds, струм Id при однаковій температурі корпусу, Rds(on) при тому самому VGS і корпус. За даними виробника, пряма заміна – SVF20N50F; його немає в нашому каталозі в наявності, а виконання F відрізняється від PN, тому перед заміною порівняйте корпус і документ. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення AC-DC
- DC-DC перетворювачі
- Мостові драйвери ШІМ для двигунів
Чим замінити SVF20N50PN?
Виробник називає пряму заміну SVF20N50F. Підбираючи інший транзистор, порівняйте N-канал, Vds не нижче 500 В, струм Id при тій самій температурі, Rds(on) при VGS = 10 В і корпус TO-3P.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити MOSFET SVF20N50PN мультиметром?
Відключіть виводи від схеми. Між затвором і іншими виводами має бути обрив, а між стоком і витоком у режимі перевірки діодів – падіння вбудованого діода.
Який заряд затвора і чому він важливий?
Qg – 49.5 нКл при VDS = 400 В, ID = 20 А, VGS = 10 В. Від нього залежить струм, який має віддавати драйвер, щоб швидко відкрити транзистор.
Документація виробника: SVF20N50F/PN Datasheet Rev. 1.6.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.