Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KNP9120A оригінал, TO220
80,37 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
KNP9120A – N-канальний польовий транзистор на 200 В і 40 А в корпусі TO-220 зі швидким вбудованим діодом. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 40 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 50 мОм тип., 65 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл тип., 120 нКл макс. (Vdd 100 В, Id 20 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Пряма напруга діода Vsd | 1.5 В макс. (Vgs 0 В, Is 40 А) |
| Час відновлення діода trr | 280 нс тип. (If 20 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | KIA Semicon Tech |
| Стан | Оригінал |
KNP9120A – N-канальний MOSFET виробництва KIA Semicon Tech у корпусі TO-220. Напруга Vds – 200 В, струм стоку Id – 40 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 50 мОм (тип.) і 65 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 97 нКл (тип.) і 120 нКл (макс.) при Vdd 100 В, Id 20 А, Vgs 0…10 В, порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 125 Вт при Tc 25 °C. Вбудований діод швидкий відновлюваний: Vsd до 1.5 В при Vgs 0 В, Is 40 А, trr – 280 нс (тип.) при If 20 А, dI/dt 100 А/мкс.
Стан: оригінал. Підбираючи заміну, зіставте канал (N), напругу Vds не нижче 200 В, струм Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус TO-220. Якщо заряд затвора заміни помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Перетворювачі DC-DC
- Інвертори DC-AC для ДБЖ
- Імпульсні джерела живлення та керування двигунами
Чим замінити KNP9120A?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з напругою Vds не нижче 200 В, струмом Id при Tc 25 °C і опором Rds(on) при Vgs 10 В не гіршими за наші 40 А і 65 мОм (макс.), з невеликим запасом на розсуд конструктора. Готового аналога в нашому каталозі зараз немає.
Як перевірити транзистор перед установкою?
Мультиметром у режимі діода перевірте, що між стоком і витоком проводить лише діод в одному напрямку, а затвор не має зв’язку зі стоком і витоком.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що за діод усередині KNP9120A?
Вбудований діод швидкий відновлюваний (Fast Recovery Body Diode): trr – 280 нс (тип.) при If 20 А, dI/dt 100 А/мкс. Це корисно в мостових схемах і інверторах.
Документація виробника: KNP9120A (KIA Semicon Tech).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.