Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 70S900P7 ( IPD70R900P7S ) оригінал, D-PAK
49,82 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
70S900P7 (IPD70R900P7S) – N-канальний польовий транзистор Infineon CoolMOS P7 на 700 В у корпусі D-PAK. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Маркування на корпусі | 70S900P7 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | N-канал, CoolMOS P7 (superjunction) |
| Напруга Vds | 700 В (Tj = 25 °C) |
| Rds(on), макс. | 0,9 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,1 А, Tj = 25 °C) |
| Rds(on), тип. | 0,74 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,1 А, Tj = 25 °C) |
| Імпульсний струм Id,pulse | 12,8 А (TC = 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 30,5 Вт (TC = 25 °C) |
| Qg, тип. | 6,8 нКл (VDD = 400 В, ID = 0,9 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 211 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
70S900P7 – це маркування транзистора IPD70R900P7S від Infineon: N-канальний польовий MOSFET за технологією CoolMOS P7 (superjunction) у корпусі D-PAK (PG-TO 252-3). Напруга Vds – 700 В при Tj = 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0,9 Ом при VGS = 10 В, ID = 1,1 А, Tj = 25 °C (типове значення 0,74 Ом). Імпульсний струм стоку – 12,8 А при TC = 25 °C, розсіювана потужність – 30,5 Вт при TC = 25 °C, заряд затвора Qg – типово 6,8 нКл. Вхідна ємність Ciss типово 211 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц). Затвор має вбудований ESD-діод.
Оригінал, не демонтаж. Це SMD-деталь: монтується на площадку D-PAK на платі. Щоб підібрати заміну, порівнюйте напругу Vds, струм стоку, Rds(on) і тип корпусу; шукайте той самий N-канал у D-PAK і звіряйтеся з datasheet виробника. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Зворотноходові (flyback) схеми, наприклад зарядні пристрої й адаптери
- Освітлення та інші споживчі пристрої, чутливі до вартості: зарядні пристрої, адаптери, освітлення, ТВ
Що означає маркування 70S900P7?
Це маркування на корпусі транзистора IPD70R900P7S від Infineon.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити 70S900P7?
Потрібен N-канальний MOSFET у D-PAK з Vds не нижче 700 В, з таким самим або нижчим Rds(on) і не меншим струмом. Перед заміною порівняйте параметри за datasheet.
Чи є в транзистора захист затвора?
Так, у datasheet вказано вбудований ESD-діод на затворі; клас ESD (HBM) – 1C.
Документація виробника: IPD70R900P7S Final Data Sheet, Rev. 2.2.
Datasheet Infineon знайдено; постійний струм стоку, статус виробництва й нижню межу температури не підтверджено, тому їх не наведено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.