Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UTC12N65L ( 12N65L ) оригінал, TO220F
164,50 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
UTC12N65L (12N65L) – N-канальний польовий транзистор UTC на 650 В, 12 А, корпус TO220F. Оригінал, для імпульсних блоків живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга стік–витік Vds | 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.65 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл тип. (VDS 520 В, ID 12 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 51 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | UTC |
| Стан | Оригінал |
UTC12N65L (12N65L) – N-канальний польовий транзистор виробництва UTC, виконаний за технологією planar stripe DMOS, корпус TO220F. За даташитом найближчої деталі 12N65L-TF1-T (UTC): напруга стік–витік Vds 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА), безперервний струм стоку Id 12 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0.65 Ом, максимум 0.85 Ом при VGS 10 В, ID 6 А. Порогова напруга Vgs(th) 2.0–4.0 В при ID 250 мкА, заряд затвора Qg типово 42 нКл (VDS 520 В, ID 12 А, VGS 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 1480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 51 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (потрібен N), Vds не нижче 650 В, Id, Rds(on) при тому самому VGS і корпус. Прямі заміни за даними виробника: 12N65G-TF1-T, 12N65L-TF2-T, 12N65L-TF3-T. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (switch mode power supply) з високим ККД
Чим замінити UTC12N65L?
Підійде N-канальний транзистор у тому самому корпусі з Vds не нижче 650 В і не гіршими Id та Rds(on) при VGS 10 В. За даними виробника, прямі заміни – 12N65G-TF1-T, 12N65L-TF2-T, 12N65L-TF3-T.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого застосовують цей транзистор?
Для імпульсних блоків живлення (switch mode power supply) з високим ККД.
Як звіритися з параметрами перед покупкою?
Цифри на сторінці взяті з даташиту найближчої деталі 12N65L-TF1-T (UTC); порівняйте їх із вимогами вашої схеми, особливо корпус TO220F.
Документація виробника: 12N65L-TF1-T (UTC).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.