Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTOLL
СтанОригінал

Транзистор HYG022N10NS1TA ( HYG022N10 ) оригінал, TOLL

103,40 ₴

20 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

20 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG022N10NS1TA (HYG022N10) – N-канальний польовий транзистор HUAYI, оригінал, корпус TOLL.

ПараметрЗначення
КорпусTOLL

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
ТипMOSFET N-канал
КорпусTOLL
Напруга стік–витік Vds100 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)249 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)176 А
Rds(on)2,2 мОм тип., 2,8 мОм макс. (VGS 10 В, IDS 50 А, Tc 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В (тип. 3,1 В), VDS=VGS, IDS 250 мкА
Заряд затвора Qg160,5 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 80 В, IDS 50 А)
Вхідна ємність Ciss9026 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)312 Вт
Макс. температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал
Опис

HYG022N10NS1TA (HYG022N10) – N-канальний MOSFET виробництва HUAYI у корпусі TOLL. Напруга стік–витік Vds – 100 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА). Струм стоку Id – 249 А при Tc 25 °C і 176 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2,2 мОм типове і 2,8 мОм максимальне при VGS 10 В, IDS 50 А, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg – 160,5 нКл типове при VGS 10 В, VDS 80 В, IDS 50 А. Вхідна ємність Ciss типово 9026 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 312 Вт при Tc 25 °C і 156 Вт при Tc 100 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C.

Стан – оригінал. Для заміни порівнюйте канал, корпус і розпіновку, Vds, Id та Rds(on) при однаковому VGS, а також заряд затвора, бо від нього залежить навантаження на драйвер. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні перетворювачі (switching application)
  • Живлення інверторних систем
  • Керування акумуляторами (battery management)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити HYG022N10NS1TA?

Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TOLL з тією ж розпіновкою, Vds не нижче 100 В, Id і Rds(on) не гірше при VGS 10 В. Звіряйте datasheet.

Чи підходить для імпульсних перетворювачів?

Документ виробника вказує на імпульсні перетворювачі як одну з областей застосування. Заряд затвора 160,5 нКл тип. враховуйте при виборі драйвера.

Яка різниця між HYG022N10NS1TA і HYG022N10?

HYG022N10 – скорочене позначення цієї ж деталі. Повний номер HYG022N10NS1TA, літери TA в кінці означають корпус TOLL.

Datasheet

Документація виробника: HYG022N10NS1TA (HUAYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG022N10NS1TA (HUAYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.