Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2104S оригінал, so-8
47,00 ₴
60 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
60 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
EG2104S – драйвер MOSFET / IGBT із входом SD для безщіткових двигунів і DC-DC, корпус SOP-8. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга VB | 600 В (макс., TA 25 °C) |
| Напруга живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм IO– | 1.5 А |
| Максимальна частота | 500 кГц |
| Рівень вхідної логіки | 3.3 / 5 В |
| Гранично допустима температура середовища | –45…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
EG2104S виробництва EGmicro – драйвер MOSFET / IGBT напівмоста із входом SD для безщіткових двигунів і DC-DC. Напруга плаваючого живлення VB – до 600 В (TA 25 °C). Напруга живлення Vcc – 10–20 В, типово 15 В. Вихідний струм IO+ – 1.0 А, IO– – 1.5 А (імпульс ≤ 10 мкс). Максимальна частота – 500 кГц, рівень вхідної логіки – 3.3 / 5 В. Струм спокою Icc – 100 мкА (макс. 200) при вільних входах і Vcc 15 В. Затримка вмикання – 800 нс, вимикання – 160 нс (Vcc 15 В, CL 1 нФ, TA 25 °C). Гранично допустима температура середовища – –45…125 °C.
Стан товару – оригінал, корпус SOP-8. Підбираючи заміну, звіряйте корпус і розпіновку, напругу VB, вихідні струми та рівень керуючої логіки. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Драйвер затворів MOSFET та IGBT для безщіткових двигунів і джерел живлення DC-DC
- Бездротова зарядка з перемиканням частоти, Class-D (за переліком у документі)
Чим замінити EG2104S?
Шукайте драйвер напівмоста в корпусі SOP-8 з тією ж розпіновкою, VB не нижче 600 В і не меншими вихідними струмами. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для керування IGBT?
Так, мікросхема призначена для драйвера MOSFET та IGBT. Вихідні струми – 1.0 А (IO+) та 1.5 А (IO–).
Який рівень вхідної логіки?
3.3 / 5 В.
Документація виробника: EG2104S (EGmicro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Мікросхема 24C08 ( AT24C08 , ST24C08W6 ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.