Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор HYG026N08NS ( HYG026N08 , G026N08 ) оригінал, D2PAK

216,20 ₴

12 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

12 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HYG026N08NS (HYG026N08, G026N08) – N-канальний MOSFET на 80 В у корпусі D2PAK, оригінал. Підходить для комутації, захисту літієвих батарей і керування двигунами.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал, режим збагачення
ВиробникHuayi Microelectronics
Напруга Vds80 В (Tc 25 °C)
Напруга Vgs±20 В
Струм Id200 А (Tc 25 °C), 141,4 А (Tc 100 °C)
Rds(on)2,6 мОм тип., 3,1 мОм макс. (Vgs 10 В, Ids 50 А)
Vgs(th)2,2 / 3 / 3,8 В (мін. / тип. / макс.)
Qg107 нКл (Vgs 10 В, Vds 64 В, Ids 50 А)
Вхідна ємність Ciss7782 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц)
Pd258,6 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусD2PAK
СтанОригінал
Опис

HYG026N08NS – N-канальний MOSFET режиму збагачення виробництва Huayi Microelectronics у корпусі TO-263-2L (D2PAK). Напруга стік–витік Vds – 80 В при Tc 25 °C, затвор витримує ±20 В. Струм стоку Id – 200 А при Tc 25 °C і 141,4 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2,6 мОм типово і 3,1 мОм максимум при Vgs 10 В, Ids 50 А. Порогова напруга Vgs(th) – від 2,2 до 3,8 В (типово 3 В) при Ids 250 мкА. Заряд затвора Qg – 107 нКл при Vgs 10 В, Vds 64 В, Ids 50 А. Вхідна ємність Ciss типово 7782 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц). Потужність розсіювання – 258,6 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.

Стан: оригінал. Підбираючи заміну, дивіться на N-канал, корпус D2PAK, Vds не нижче 80 В і порівнюйте Id та Rds(on) за однакових умов вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутація, захист літієвих батарей, керування двигунами
Часто питають
Чим замінити HYG026N08NS?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі D2PAK з Vds не нижче 80 В, близьким Id і Rds(on) при Vgs 10 В. Порівнюйте за datasheet обох деталей за однакових умов вимірювання.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Якою напругою керувати затвором?

Rds(on) 2,6 мОм типово наведено при Vgs 10 В; максимально допустима напруга затвор–витік – ±20 В.

Чи підходить HYG026N08NS для захисту літієвих батарей?

Так, комутація та захист літієвих батарей – одне із застосувань за документом. Розрахуйте режим під свою схему.

Datasheet

Документація виробника: HYG026N08NS1P (Huayi Microelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HYG026N08NS1P (Huayi Microelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.