Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-264
СтанОригінал

Транзистор DXG75N120J оригінал, TO264

470,00 ₴

4 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

4 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

DXG75N120J – оригінальний IGBT-транзистор DAXIN з вбудованим діодом у корпусі TO-264. Для приводу двигунів та інверторів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-264

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникDAXIN
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-264
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (TC 25 °C)150 А
Струм Ic (TC 100 °C)75 А
Напруга Vce(sat)2,2 В тип. (VGE 15 В, IC 75 А)
Вбудований діодє
Потужність Pd833 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
Заряд затвора Qg490 нКл (VCC 960 В, VGE 15 В, IC 75 А)
Вхідна ємність Cies3600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал
Опис

DXG75N120J – IGBT-транзистор DAXIN у корпусі TO-264, оригінал, не демонтаж. Усередині є вбудований діод. Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В. Струм колектора Ic – 150 А при TC 25 °C і 75 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 2,2 В (максимум 2,5 В) при VGE 15 В, IC 75 А. Порогова напруга Vge(th) – 4,5–5,7 В при IC 250 мкА. Вхідна ємність Cies типово 3600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 833 Вт при TC 25 °C і 333 Вт при TC 100 °C, Tj – 150 °C.

Заряд затвора Qg – 490 нКл (VCC 960 В, VGE 15 В, IC 75 А), тому драйвер має бути розрахований на такий заряд. Час спаду tf – 82 нс, енергія вимкнення Eoff – 6,2 мДж (TC 25 °C, VCC 600 В, IC 75 А, RG 10 Ом, індуктивне навантаження). Діод: Vf типово 1,9 В при IF 75 А, trr – 239 нс (VCE 600 В, IF 75 А, dIF/dt 500 А/мкс). Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода й корпус. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Привод двигунів, інвертори
  • Застосування з м'яким перемиканням (soft switching)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити DXG75N120J?

Дивіться на Vces не нижче 1200 В, Ic при 100 °C не нижче 75 А, наявність вбудованого діода та корпус TO-264. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Як перевірити IGBT мультиметром?

Перевірка мультиметром: ключ розряджений і без живлення. Затвор не проводить на колектор і емітер, а вбудований діод між емітером і колектором проводить в один бік.

Яка потужність розсіювання у DXG75N120J?

833 Вт при TC 25 °C і 333 Вт при TC 100 °C. На практиці вона залежить від радіатора й температури корпусу.

Datasheet

Документація виробника: DXG75N120J (DAXIN).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

DXG75N120J (DAXIN) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор IGW40T60U оригінал, TO-3P

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
НомерIGW40T60U
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Потужність Pd (25 °C)316 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg262 нКл
Вхідна ємність Cies7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 60 А, 25 °C)1.7 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.