Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSA20N65MR оригінал, TO-3P
258,50 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TSA20N65MR – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) Truesemi у корпусі TO-3P для імпульсних блоків живлення. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А (обмежено температурою переходу) |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12 А |
| Опір Rds(on) (макс.) | 0.48 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А; типове 0,40 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 … 5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл (типове; VDS = 480 В, ID = 20 А, VGS = 10 В; макс. 65 нКл) |
| Вхідна ємність Ciss | 5150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Потужність розсіювання Pd | 192 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1,4 В при Is = 20 А; trr 435 нс, Qrr 4,1 мкКл) |
| Виробник | Truesemi |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
TSA20N65MR – N-канальний польовий транзистор виробництва Truesemi у корпусі TO-3P. Напруга Vds 650 В (при VGS = 0 В, ID = 250 мкА), струм стоку Id 20 А при TC 25 °C (обмежено температурою переходу) і 12 А при TC 100 °C. Опір Rds(on) не більше 0.48 Ом при VGS = 10 В, ID = 10 А (типове значення 0,40 Ом). Порогова напруга Vgs(th) від 3 до 5 В, заряд затвора Qg типове 57 нКл при VDS = 480 В, ID = 20 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 5150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Напруга затвор–витік ±30 В, потужність розсіювання 192 Вт при TC 25 °C, температура переходу до 150 °C. Вбудований діод: Vsd не більше 1,4 В при Is = 20 А, trr 435 нс.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 650 В, а Id і Rds(on) порівнюйте за однакових умов вимірювання (при тому самому VGS). Параметри порівнюйте за datasheet.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення з високим ККД
- Активна корекція коефіцієнта потужності (PFC) на напівмостовій топології
Чим замінити TSA20N65MR?
У нашому каталозі підтверджених аналогів зараз немає. Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 650 В; Id і Rds(on) порівнюйте за однакових умов. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у TSA20N65MR вбудований діод?
Так. Vsd не більше 1,4 В при Is = 20 А, trr 435 нс, Qrr 4,1 мкКл (diF/dt = 100 А/мкс).
Який струм дозволяє TSA20N65MR при нагріві?
Id 20 А при TC 25 °C (обмежено температурою переходу) і 12 А при TC 100 °C.
Документація виробника: TSA20N65MR (Truesemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.