Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N60 оригінал, TO-3P
188,00 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS20N60 – N-канальний польовий транзистор 600 В, 20 А у корпусі TO-3P для імпульсних перемикачів живлення в адаптерах і зарядних пристроях. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 600 В при VGS 0 В, ID 250 мкА |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (100 °C) | 14 А при Tc 100 °C |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,36 Ом (тип.), 0,45 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 10 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В при ID 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл при ID 20 А, VDD 300 В, VGS 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Пряма напруга діода | 1,5 В (макс.) при IS 20 А, VGS 0 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 425 нс при IS 20 А, Tj 25 °C, dIF/dt 100 А/мкс |
| Стан | Оригінал |
CS20N60 – N-канальний MOSFET виробництва Wuxi China Resources Huajing Microelectronics у корпусі TO-3P. Напруга Vds – 600 В при VGS 0 В, ID 250 мкА. Струм стоку Id – 20 А при Tc 25 °C і 14 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,36 Ом (тип.) і 0,45 Ом (макс.) при VGS 10 В, ID 10 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при ID 250 мкА. Заряд затвора Qg – 61 нКл при ID 20 А, VDD 300 В, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Температура переходу до 150 °C. Вбудований діод: пряма напруга до 1,5 В при IS 20 А, час відновлення trr – 425 нс при dIF/dt 100 А/мкс.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на канал (N), корпус TO-3P, Vds не нижче 600 В, Id і Rds(on) при VGS 10 В. Якщо в схемі важливий драйвер, порівняйте й заряд затвора. Аналоги з нашого каталогу, які пройшли таке порівняння, наведені в таблиці. Відправка Новою поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні перемикачі живлення в адаптерах і зарядних пристроях
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FHA20N60 | канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В max 0.4 ≤ 1.3×0.45=0.585, корпус TO-3P = TO-3P | У назві цього товару вказано, що він замінює FCA20N60; перевіряйте за datasheet. | Купити |
| CS20N65 | канал N = N, Vds 650 ≥ 600, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В max 0.4 ≤ 1.3×0.45=0.585, корпус TO-3P = TO-3P | Vds 650 В – запас по напрузі. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити CS20N60?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 600 В, а Id і Rds(on) не гірше за CS20N60 при VGS 10 В. Варіанти з нашого каталогу – у таблиці аналогів. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого застосовують CS20N60?
Для імпульсних перемикачів живлення в адаптерах і зарядних пристроях.
Який струм витримує CS20N60?
Id – 20 А при Tc 25 °C і 14 А при Tc 100 °C. При нагріві корпусу допустимий струм менший, тож розраховуйте за значенням для робочої температури.
Документація виробника: CS20N60A8H (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics).
Потужність розсіювання і тепловий опір для корпусу TO-3P у документі не підтверджені, у картці не наводяться.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.