Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MT6808D оригінал, DPAK
61,57 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MT6808D – N-канальний польовий транзистор на 70 В і 80 А для DC/DC перетворювачів, корпус DPAK. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 70 В (BVDSS: VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 80 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id при 100 °C | 55 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 7,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А, типове, макс. 8,0) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА; типове 3) |
| Потужність Pd | 112 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4903 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | 175 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 33 нс (ISD = 40 А, dISD/dt = 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
MT6808D – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі DPAK (TO-252-2L), виробник – MT Semiconductor. Напруга Vds – 70 В (BVDSS: VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 80 А при TC = 25 °C і 55 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 7,0 мОм при VGS = 10 В, ID = 40 А (типове, максимум 8,0 мОм). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА (типове 3 В). Вхідна ємність Ciss типово 4903 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 112 Вт при TC = 25 °C, температура переходу до 175 °C. Час зворотного відновлення діода trr – 33 нс при ISD = 40 А, dISD/dt = 100 А/мкс.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний транзистор у корпусі DPAK з напругою Vds не нижче 70 В, таким самим або майже таким самим струмом Id і не вищим Rds(on) при порівнянній напрузі Vgs. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- N-канальний MOSFET для підвищення ККД DC/DC перетворювачів.
- Первинний міст DC-DC, синхронне випрямлення, керування живленням в інверторах.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити MT6808D?
Підбирайте транзистор того ж типу каналу (N), у тому ж корпусі DPAK, з не меншою напругою Vds і струмом та не вищим Rds(on). Порівнюйте параметри за даташитом, взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Чи підходить MT6808D для синхронного випрямлення?
Так, серед застосувань документа – первинний міст DC-DC, синхронне випрямлення та керування живленням в інверторах.
Який струм витримує MT6808D при нагріві?
Id – 80 А при TC = 25 °C і 55 А при TC = 100 °C. Для реального режиму враховуйте тепловідведення.
Документація виробника: MT6808D (MT Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.