Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор HY4903B оригінал, D2PAK

164,50 ₴

15 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

15 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HY4903B – N-канальний польовий транзистор на 30 В з низьким опором відкритого каналу, корпус D2PAK. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id260 А (TC = 25 °C, обмежено корпусом)
Опір Rds(on)1,4 мОм (VGS = 10 В, ID = 30 А, типове)
Опір Rds(on) при 4,5 В1,6 мОм (VGS = 4,5 В, ID = 20 А, типове)
Порогова напруга Vgs(th)1,5–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg179 нКл (VGS = 10 В, VDS = 10 В, ID = 120 А, типове)
Вхідна ємність Ciss12 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Потужність Pd375 Вт (TC = 25 °C)
Температура переходу175 °C
КорпусD2PAK
СтанОригінал
Опис

HY4903B – N-канальний польовий транзистор (trench MOSFET) у корпусі D2PAK (TO-263). Напруга Vds – 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 260 А при TC = 25 °C, обмежений корпусом. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1,4 мОм при VGS = 10 В, ID = 30 А (типове значення) і 1,6 мОм при VGS = 4,5 В, ID = 20 А (типове). Порогова напруга Vgs(th) – 1,5–2,5 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg – 179 нКл при VGS = 10 В, VDS = 10 В, ID = 120 А (типове). Вхідна ємність Ciss типово 12 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 375 Вт при TC = 25 °C, температура переходу до 175 °C.

Оригінал, не демонтаж. Корпус D2PAK має малий тепловий опір, тому деталь підходить для силових каскадів на низьку напругу. Щоб підібрати заміну, шукайте N-канальний транзистор у тому ж корпусі з напругою Vds не нижче 30 В, таким самим або вищим струмом і не вищим Rds(on) за тих самих значень Vgs. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Силовий N-канальний trench MOSFET 30 В з низьким опором відкритого каналу.
  • Корпус D2PAK з малим тепловим опором.
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити HY4903B?

Підбирайте транзистор того ж типу каналу (N), у тому ж корпусі D2PAK, з не меншою напругою Vds і струмом та не вищим Rds(on). Порівнюйте параметри за даташитом, взаємозамінність перевіряйте самостійно.

Яка напруга керування потрібна для HY4903B?

Rds(on) наведено при VGS = 10 В (1,4 мОм) і при VGS = 4,5 В (1,6 мОм), обидва значення типові.

Який заряд затвора в HY4903B?

Qg – 179 нКл типове при VGS = 10 В, VDS = 10 В, ID = 120 А. Врахуйте це при виборі драйвера затвора.

Datasheet

Документація виробника: HY4903B (VBsemi).

Параметри наведено за даташитом HY4903B (VBsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HY4903B (VBsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.