Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SLF13N50A оригінал ( заміна для SLF13N50C ), TO220F
188,00 ₴
50 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
50 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SLF13N50A – N-канальний польовий транзистор Maplesemi у корпусі TO-220F, оригінал. Для імпульсних блоків живлення та PFC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Maplesemi |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 13 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6.4 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.483 Ом тип., макс. 0.650 Ом (VGS = 10 В, ID = 5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19.1 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 10 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1066 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 32.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
SLF13N50A – польовий транзистор (MOSFET) з N-каналом виробництва Maplesemi у корпусі TO-220F. Напруга Vds 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id 13 А при Tc 25 °C і 6.4 А при Tc 100 °C (обмежено макс. температурою переходу). Опір відкритого каналу Rds(on) 0.483 Ом (тип., макс. 0.650 Ом) при VGS = 10 В, ID = 5 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) 2.0–4.0 В при ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg 19.1 нКл (тип.) при VDS = 400 В, ID = 10 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 1066 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність 32.5 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C. Параметри наведено за документом SLF13N50A (Maplesemi), Rev. 1.0 Oct. 2019.
Стан – оригінал, не демонтаж. За назвою товару SLF13N50A може замінити SLF13N50C. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. За даними виробника, пряма заміна – SLP13N50A. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, корпус, Vds, Id та Rds(on) при однаковому Vgs. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення з високим ККД
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC) на напівмостовій топології
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 2SK3313 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 12 ≥ 0.8×13 = 10.4, Rds(on) при Vgs 10 В тип. 0.50 ≤ 1.3×0.483 = 0.628, корпус TO-220F = TO-220F | Драйвер: Qg 48 нКл проти 19.1 нКл, більш ніж удвічі – перевірте керування затвором. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити SLF13N50A?
За назвою товару SLF13N50A може замінити SLF13N50C. Зворотна заміна не завжди можлива. За даними виробника, пряма заміна – SLP13N50A. Порівнюйте datasheet: канал N, корпус TO-220F, Vds не нижче 500 В, Id та Rds(on) при Vgs 10 В.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити MOSFET після встановлення?
Перед пайкою прозвоніть виводи мультиметром у режимі перевірки діодів: між стоком і витоком має бути тільки перехід вбудованого діода, затвор не має мати зв'язку з іншими виводами.
Для чого використовують SLF13N50A?
За документом – для імпульсних блоків живлення з високим ККД і корекції коефіцієнта потужності (PFC) на напівмостовій топології. Напруга Vds 500 В, Id 13 А при Tc 25 °C.
Документація виробника: SLF13N50A (Maplesemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.