Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N65 оригінал (заміна для CS20N65C3 ), TO220
141,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS20N65 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) 650 В, 20 А у корпусі TO-220. Оригінал; може замінити CS20N65C3. Параметри – за даташитом найближчої деталі.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,5 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (тип.) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
CS20N65 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220. Точного даташиту на CS20N65 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої деталі CS20N65 A8H (CR Micro): напруга стік–витік Vdss 650 В, струм стоку Id 20 А при TC = 25 °C і 14 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Idm 80 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0,37 Ом, не більше 0,5 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,0 до 4,0 В, напруга затвор–витік ±30 В. Заряд затвора Qg типово 65 нКл (ID = 20 А, VDD = 325 В, VGS = 10 В), вхідна ємність Ciss типово 2400 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц). Розсіювана потужність Pd 250 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус Rthjc типово 0,5 °C/Вт, температура переходу до 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. У назві товару вказано заміну для CS20N65C3: CS20N65 може замінити CS20N65C3, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. За даташитом такі транзистори застосовують у ключових схемах адаптерів і зарядних пристроїв. Підбираючи заміну, звіряйте канал, корпус і розпіновку, а також Vdss, Id і Rds(on) з однаковими умовами вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ключові схеми адаптерів
- зарядні пристрої
Чим замінити CS20N65?
У нашому каталозі зараз немає перевіреного аналога для цієї деталі. Підбирайте заміну за datasheet: той самий канал, корпус і розпіновка, Vdss і Id не нижчі, Rds(on) не гірший за вказані вище значення.
Чи може CS20N65 замінити CS20N65C3?
Так, у назві товару вказано заміну для CS20N65C3. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Звідки параметри CS20N65?
Точного даташиту на CS20N65 не знайшли. Параметри взято з даташиту найближчої деталі CS20N65 A8H (CR Micro) у корпусі TO-220AB. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Як перевірити MOSFET мультиметром?
Випаяйте деталь або перевірте її окремо. У режимі перевірки діодів тіловий діод між витоком і стоком проводить в одному напрямку. Між затвором і іншими виводами провідності бути не повинно.
Найближчий datasheet: CS20N65 A8H (CR Micro).
Точного даташиту на CS20N65 не знайдено. Параметри взято з даташиту на CS20N65 A8H.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.