Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор 2SK4106 ( K4106 ) оригінал, TO220F

109,98 ₴

12 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

12 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

2SK4106 (K4106) – оригінальний N-канальний польовий транзистор Toshiba у корпусі TO220F: 500 В, 12 А при Ta 25 °C.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал, MOSVI
ВиробникToshiba
КорпусTO-220F
Корпус (докладно)TO-220F (SC-67, 2-10R1B)
Напруга Vds500 В (Ta 25 °C)
Струм Id (DC)12 А (Ta 25 °C), імпульсний 48 А (1 мс)
Rds(on)0,4 Ом тип., 0,52 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А)
Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS 10 В, ID 1 мА)
Заряд затвора Qg42 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 12 А)
Вхідна ємність Ciss1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd45 Вт (Tc 25 °C)
Tch макс.150 °C
СтанОригінал
Опис

2SK4106 (K4106) – N-канальний MOSFET серії MOSVI від Toshiba у корпусі TO220F. Напруга стік-витік Vds – 500 В при Ta 25 °C. Струм стоку Id (DC) – 12 А при Ta 25 °C, імпульсний – 48 А (1 мс). Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,4 Ом типово і 0,52 Ом максимум при VGS 10 В, ID 6 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS 10 В, ID 1 мА. Заряд затвора Qg – 42 нКл типово при VDD 400 В, VGS 10 В, ID 12 А. Вхідна ємність Ciss типово 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 45 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу – 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте так: канал N, Vds не нижче 500 В, Rds(on) не вище 0,52 Ом при VGS 10 В, той самий корпус TO220F. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів; перед встановленням звірте їхні datasheet.

Де застосовують

  • Імпульсні регулятори (switching regulator)
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
2SK3313 канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 12 ≥ 0.8×12=9.6, Rds(on) Vgs 10 В max 0.62 ≤ 1.3×0.52=0.676, корпус TO-220F = TO-220F заряд затвора Qg не порівнювали, перевірте драйвер Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити 2SK4106?

Підходить N-канальний MOSFET у корпусі TO220F з Vds не нижче 500 В, струмом не менше 12 А і Rds(on) не вище 0,52 Ом при VGS 10 В. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів.

2SK4106 і K4106 – це одна деталь?

Так, K4106 – скорочене маркування цього транзистора.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який імпульсний струм допускає 2SK4106?

Імпульсний струм стоку – 48 А при тривалості 1 мс; постійний Id – 12 А при Ta 25 °C.

Datasheet

Документація виробника: 2SK4106 (Toshiba).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

2SK4106 (Toshiba) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.