Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CMP13N50T оригінал, TO220
141,00 ₴
64 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
64 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CMP13N50T – N-канальний польовий транзистор Cmos на 500 В у корпусі TO-220, оригінал. Для імпульсних джерел живлення та DC-DC перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 13 А (Tc 25 °C); 8 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on), макс. | 0.48 Ом (VGS = 10 В, ID = 6.5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg, тип. | 45 нКл (VDS = 400 В, ID = 13 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Cmos |
| Стан | Оригінал |
CMP13N50T – N-канальний MOSFET виробника Cmos у корпусі TO-220. За даними документа CMP13N50T (Cmos): напруга Vds 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА), струм стоку Id 13 А при Tc 25 °C і 8 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) не більше 0.48 Ом при VGS = 10 В, ID = 6.5 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В при VGS = VDS, ID = 250 мкА. Потужність розсіювання Pd 200 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Заряд затвора Qg типово 45 нКл при VDS = 400 В, ID = 13 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).
Стан: оригінал, не копія. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте не лише Vds і Id: потрібен той самий корпус TO-220 і порівнянні Rds(on) та заряд затвора Qg, щоб драйвер затвора впорався так само. Перед установкою звіряйте цифри з документом. Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні регулятори
- ДБЖ
- DC-DC перетворювачі
- Корекція коефіцієнта потужності
Чим замінити CMP13N50T?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 500 В, не меншим струмом стоку і близьким Rds(on). Порівнюйте параметри з документом; якщо Qg помітно більший, перевірте драйвер затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для імпульсного блока живлення?
Так, за даними документа транзистор застосовують в імпульсних регуляторах, ДБЖ, DC-DC перетворювачах і схемах корекції коефіцієнта потужності.
Який опір відкритого каналу?
Rds(on) не більше 0.48 Ом при VGS = 10 В, ID = 6.5 А, Tj 25 °C.
Документація виробника: CMP13N50T (Cmos).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.