Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор NCE8295AD оригінал , D2PAK

216,20 ₴

8 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

8 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

NCE8295AD – N-канальний польовий транзистор NCE для силової комутації та ШІМ. Оригінал, корпус D2PAK.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds82 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id (25 °C)95 А (Ta 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)67 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Idm320 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)6.6 мОм (типове, Vgs 10 В, Id 20 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.9 В (типове, Id 250 мкА)
Напруга затвор–витік Vgs±20 В
Заряд затвора Qg109.3 нКл (типове, Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd170 Вт (Ta 25 °C)
Тепловий опір перехід–корпус0.88 °C/Вт
Tj макс.175 °C
КорпусD2PAK
ВиробникNCE (Wuxi NCE Power)
СтанОригінал
Опис

NCE8295AD – N-канальний MOSFET виробництва NCE (Wuxi NCE Power) у корпусі TO-263-2L (D2PAK), режим підсилення. Напруга Vds 82 В при Ta 25 °C, струм стоку 95 А при Ta 25 °C і 67 А при Tc 100 °C, імпульсний струм Idm 320 А при Ta 25 °C. Опір Rds(on) типово 6.6 мОм (макс. 8.0 мОм) при Vgs 10 В, Id 20 А. Порогова напруга Vgs(th) типово 2.9 В (діапазон 2–4 В) при Id 250 мкА, напруга затвор–витік ±20 В. Заряд затвора Qg типово 109.3 нКл при Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 6800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 170 Вт при Ta 25 °C, тепловий опір перехід–корпус 0.88 °C/Вт, Tj до 175 °C.

У цьому лоті оригінальна деталь, не копія. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds, струм стоку, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора й корпус із цими значеннями та з документом виробника. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Широтно-імпульсна модуляція (PWM)
  • Комутація навантаження
  • Силова комутація
  • Високочастотні схеми
  • Джерела безперебійного живлення
Часто питають
Чим замінити NCE8295AD?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-263 (D2PAK) з Vds не нижче 82 В, струмом стоку близьким до 95 А і Rds(on) не гірше 6.6 мОм при Vgs 10 В. Параметри порівнюйте за datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи підходить NCE8295AD для ШІМ?

Так, у документі серед застосувань названо широтно-імпульсну модуляцію (PWM), комутацію навантаження, високочастотні схеми й джерела безперебійного живлення.

Який заряд затвора, чи потрібен драйвер?

Qg типово 109.3 нКл при Vds 40 В, Id 50 А, Vgs 10 В. Для швидкого перемикання керуйте затвором від драйвера, розрахованого на такий заряд.

Datasheet

Документація виробника: NCE8295AD (NCE).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

NCE8295AD (NCE) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.