Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS7N60F оригінал, TO220F
122,20 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS7N60F – польовий N-канальний транзистор (MOSFET) на 600 В у корпусі TO-220F. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (VDMOS) |
| Напруга стік–витік Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 7 А (TC = 25 °C); 4.4 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 28 А |
| Опір Rds(on) | 1.0 Ом типово, макс. 1,3 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) |
| Напруга Vgs | ±30 В |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 24 нКл типово (VGS = 10 В, VDD = 480 В, ID = 7 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1121 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Енергія лавини EAS | 400 мДж (одиночний імпульс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
CS7N60F – N-канальний польовий транзистор (VDMOS) виробництва Huajing Microelectronics. Напруга стік–витік Vds 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА), струм стоку Id 7 А при TC = 25 °C і 4.4 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Idm 28 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 1.0 Ом (максимум 1,3 Ом) при VGS = 10 В, ID = 3,5 А. Порогова напруга Vgs(th) 2.0–4.0 В, заряд затвора Qg типово 24 нКл (VGS = 10 В, VDD = 480 В, ID = 7 А). Вхідна ємність Ciss типово 1121 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Максимальна напруга затвора Vgs ±30 В, температура переходу до 150 °C, енергія лавини EAS 400 мДж (одиночний імпульс).
Оригінал, не демонтаж. Корпус TO-220F ізольований від радіатора, його звичайно ставлять у ключові каскади імпульсних блоків живлення. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs і корпус з розпіновкою. Беріть документ саме на ту деталь, яку ставите.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення: адаптери та зарядні пристрої (силовий ключ)
Чим замінити CS7N60F?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 600 В, струмом Id близьким до 7 А і Rds(on) близьким до 1.0 Ом при Vgs 10 В. Порівняйте заряд затвора Qg, якщо драйвер слабкий.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити такий транзистор?
Тестером у режимі діода перевірте відсутність пробою між виводами стік, витік і затвор. Параметри в схемі звіряйте з документом на CS7N60F.
Для яких пристроїв підходить CS7N60F?
Це силовий ключ імпульсних блоків живлення: адаптерів та зарядних пристроїв. Напруга 600 В розрахована на живлення від мережі.
Документація виробника: CS7N60FA9R (Huajing Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.