Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252-4L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP4506GEH ( 4506GEH ) оригінал
94,00 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
AP4506GEH (4506GEH) – комплементарна пара N+P MOSFET у корпусі TO-252-4L для схем керування та перемикання. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252-4L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, комплементарна пара N+P |
| Напруга Vds, N-канал | 30 В |
| Напруга Vds, P-канал | −30 В |
| Напруга Vgs | ±20 В (обидва канали) |
| Струм стоку Id, N-канал | 9 А (TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id, P-канал | −8 А (TA = 25 °C) |
| Rds(on), N-канал | 24 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 3.1 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252-4L |
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp (APEC) |
| Стан | Оригінал |
AP4506GEH (маркування 4506GEH) – комплементарна пара польових транзисторів: в одному корпусі TO-252-4L стоять N-канальний і P-канальний MOSFET. Напруга Vds N-каналу 30 В, P-каналу −30 В, напруга Vgs ±20 В для обох каналів. Струм стоку N-каналу Id 9 А при TA = 25 °C і 7.2 А при TA = 70 °C, P-каналу −8 А при TA = 25 °C. Опір відкритого каналу N-каналу Rds(on) не більше 24 мОм при Vgs 10 В, Id 6 А та не більше 32 мОм при Vgs 4,5 В, Id 4 А. Порогова напруга Vgs(th) N-каналу 1–3 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg N-каналу типово 8.3 нКл. Потужність розсіювання 3.1 Вт при TA = 25 °C, температура переходу до 150 °C. Виробник – Advanced Power Electronics Corp (APEC).
Оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналів (N + P), напругу Vds і струм Id кожного каналу, Rds(on), корпус TO-252-4L і розташування виводів: пара з іншою розпіновкою не стане на ту саму плату.
Де застосовують
- Комплементарна пара N+P MOSFET для схем керування та перемикання
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити AP4506GEH?
Потрібна така сама комплементарна пара N+P у корпусі TO-252-4L з тією самою розпіновкою. Порівняйте Vds обох каналів (30 В і −30 В), струми Id і Rds(on) за datasheet.
Як перевірити, чи підходить AP4506GEH для моєї схеми?
Звірте напругу Vds, струм Id і Rds(on) кожного каналу з вашою схемою. Для керування затвором враховуйте Vgs ±20 В і порогову напругу N-каналу 1–3 В.
Чим AP4506GEH відрізняється від звичайного MOSFET?
У корпусі два транзистори різної провідності: N-канал на 30 В, 9 А при TA = 25 °C і P-канал на −30 В, −8 А при TA = 25 °C.
Документація виробника: AP4506GEH (Advanced Power Electronics Corp).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.