Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF7N80C оригінал, TO220F
71,44 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQPF7N80C – N-канальний польовий транзистор серії QFET для імпульсних блоків живлення й PFC, корпус TO-220F. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 800 В (Tc 25 °C, BVDSS при Id 250 мкА, Vgs 0 В, мін.) |
| Струм стоку Id | 6.6 А (Tc 25 °C); 4.2 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) максимальний | 1.9 Ом (Vgs 10 В, Id 3.3 А) |
| Опір Rds(on) типовий | 1.57 Ом (Vgs 10 В, Id 3.3 А) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл типовий (Vds 640 В, Id 6.6 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 56 Вт (Tc 25 °C) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 2.25 °C/Вт макс. |
| Час відновлення діода trr | 650 нс типовий (Vgs 0 В, Is 6.6 А) |
| Стан | Оригінал |
FQPF7N80C – N-канальний польовий транзистор серії QFET у корпусі TO-220F. За datasheet Fairchild Semiconductor (onsemi): напруга Vds 800 В (Tc 25 °C, BVDSS мінімум при Id 250 мкА, Vgs 0 В), струм стоку Id 6.6 А при Tc 25 °C і 4.2 А при Tc 100 °C для TO-220F. Опір Rds(on) максимальний 1.9 Ом, типовий 1.57 Ом (Vgs 10 В, Id 3.3 А). Заряд затвора Qg типовий 27 нКл (Vds 640 В, Id 6.6 А, Vgs 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 1290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА), потужність розсіювання 56 Вт при Tc 25 °C, тепловий опір Rth(j-c) не більше 2.25 °C/Вт. Час відновлення діода trr типовий 650 нс (Vgs 0 В, Is 6.6 А).
Стан: оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet напругу Vds, струм Id, опір Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора Qg і корпус. Варіант FQP7N80C описаний в тому самому datasheet, але має корпус TO-220, а не TO-220F. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- Активна корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Електронні баласти ламп
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FQPF7N80C?
Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220F з Vds не нижче 800 В, порівнянними струмом Id і опором Rds(on) при Vgs 10 В. Порівнюйте параметри за datasheet.
Чи підходить FQPF7N80C для блока живлення?
За datasheet він призначений для імпульсних блоків живлення (SMPS), активної корекції коефіцієнта потужності (PFC) і електронних баластів ламп.
Чим FQPF7N80C відрізняється від FQP7N80C?
Datasheet один, але корпуси різні: у FQPF7N80C корпус TO-220F, у FQP7N80C – TO-220. Струм Id і потужність Pd в datasheet вказані для кожного корпусу окремо.
Документація виробника: FQP7N80C / FQPF7N80C Rev. C1.
Параметри наведено за datasheet виробника FQP7N80C / FQPF7N80C Rev. C1 (Fairchild Semiconductor, onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.