Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS730 ( CS730A8H ) оригінал, TO220
107,16 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS730 (CS730A8H) – N-канальний польовий транзистор на 400 В у корпусі TO-220AB. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 6 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 3.6 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.8 Ом тип., 1 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 3.0 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл тип. (ID = 6.0 А, VDD = 200 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CS730 (CS730A8H) – N-канальний польовий транзистор у корпусі TO-220AB. За документом CS730A8H (Huajing Microelectronics) напруга Vds – 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.). Струм стоку Id – 6 А при TC = 25 °C і 3.6 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.8 Ом тип. і 1 Ом макс. при VGS = 10 В, ID = 3.0 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg – 13 нКл тип. при ID = 6.0 А, VDD = 200 В, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 75 Вт при TC = 25 °C. Робочий діапазон температур – –55 … 150 °C.
Деталь оригінальна, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, звіряйте тип каналу (N), напругу Vds не нижче 400 В, струм Id, опір Rds(on) при VGS = 10 В, заряд затвора Qg, корпус TO-220AB і розпіновку. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні схеми електронного баласту і адаптерів живлення
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PTP20N50A | канал N = N, Vds 500 ≥ 400, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×6=4.8, Rds(on) при Vgs 10 В макс. 0.3 ≤ 1.3×1=1.3 Ом, корпус TO-220 = TO-220AB | Qg 65 нКл більш ніж удвічі більший за 13 нКл: перевірте драйвер. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити CS730?
У каталозі є PTP20N50A: за параметрами він проходить наше правило підбору (Vds 500 В, Id 20 А, Rds(on) 0.3 Ом макс.). Його заряд затвора більш ніж удвічі вищий, тому перевірте драйвер.
Чи підходить CS730 для електронного баласту або адаптера?
Документ вказує імпульсні схеми електронного баласту і адаптерів живлення. Перед заміною в готовому пристрої звірте напругу, струм і заряд затвора зі схемою.
Які цифри наведено в картці?
Цифри взято з документа саме на CS730A8H, як у назві товару. Інші варіанти серії CS730 можуть відрізнятися.
Документація виробника: CS730A8H (Huajing Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.