Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPP11N80C3 ( 11N80C3 ) оригінал, TO220
163,56 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SPP11N80C3 (11N80C3) – оригінальний N-канальний MOSFET Infineon серії CoolMOS C3 на 800 В у корпусі TO-220, для високовольтних ключових схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | MOSFET N-канал, CoolMOS C3 |
| Напруга Vds | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C); 7.1 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 33 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.45 Ом (Vgs 10 В, Id 7.1 А, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
SPP11N80C3 (маркування 11N80C3) – N-канальний польовий транзистор Infineon серії CoolMOS C3 у корпусі PG-TO220-3 (TO-220). Напруга стік-витік Vds – 800 В при Tj 25 °C. Струм стоку Id – 11 А при Tc 25 °C і 7.1 А при Tc 100 °C, імпульсний – 33 А. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 0.45 Ом при Vgs 10 В, Id 7.1 А, Tj 25 °C (типове значення – 0.39 Ом). Розсіювана потужність Ptot – 156 Вт при Tc 25 °C. Напруга затвор-витік Vgs – ±20 В статична. Робоча температура переходу і зберігання – від -55 до 150 °C. Вхідна ємність Ciss типово 1600 пФ.
У наявності – оригінальна деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vds, Id, Rds(on) при однакових умовах вимірювання, заряд затвора Qg (64 нКл тип. при Vdd 640 В, Id 11 А, Vgs 0…10 В) і корпус: транзистор має стояти в тому самому TO-220 з тією самою розпіновкою. Якщо драйвер розрахований на інший заряд затвора, перевірте його. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Промислові застосування з високою напругою DC-шини
- Ключові схеми, наприклад прямоходові перетворювачі з active clamp
Чим замінити SPP11N80C3?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з тією самою розпіновкою: Vds не нижче 800 В, Id близький до 11 А при Tc 25 °C, Rds(on) не набагато вищий за 0.45 Ом при Vgs 10 В. Заряд затвора Qg порівняйте окремо.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який корпус і яке маркування у SPP11N80C3?
Корпус PG-TO220-3 (TO-220), на корпусі маркування 11N80C3.
Який опір відкритого каналу у SPP11N80C3?
Не більше 0.45 Ом при Vgs 10 В, Id 7.1 А, Tj 25 °C. При Tj 150 °C типове значення зростає до 1.05 Ом за тих самих Vgs і Id.
Документація виробника: SPP11N80C3 CoolMOS Power Transistor, Rev. 2.91.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.