Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор HY3306P ( HY3306 ) оригінал, TO220

117,50 ₴

16 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

16 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HY3306P (HY3306) – оригінальний N-канальний MOSFET HOOYI у корпусі TO-220 на 60 В і 130 А (при Tc 25 °C, обмежено температурою переходу).

ПараметрЗначення
КорпусTO-220FB-3L

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникHOOYI
ТипMOSFET N-канал, режим збагачення
КорпусTO-220FB-3L
Напруга Vds60 В
Струм Id (Tc 25 °C)130 А
Струм Id (Tc 100 °C)84 А
Rds(on) (Vgs 10 В, Ids 65 А)5,4 мОм тип., 6,8 мОм макс.
Vgs(th)2,0–4,0 В
Напруга Vgs макс.±25 В
Заряд затвора Qg тип.67 нКл
Вхідна ємність Ciss3318 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)230 Вт
Макс. температура переходу175 °C
СтанОригінал
Опис

HY3306P (HY3306) – N-канальний MOSFET HOOYI режиму збагачення у корпусі TO-220FB-3L. Напруга стік-витік Vds – 60 В (VGS 0 В, IDS 250 мкА, Tc 25 °C). Струм стоку Id – 130 А при Tc 25 °C (обмежено температурою переходу) і 84 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 5,4 мОм, макс. 6,8 мОм при VGS 10 В, IDS 65 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В (тип. 3,0 В) при IDS 250 мкА, максимальна напруга затвор-витік ±25 В. Заряд затвора Qg типово 67 нКл при VDS 48 В, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 3318 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 230 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вбудований діод є, Vsd макс. 1,2 В при ISD 65 А.

Це оригінал, не демонтаж. Для заміни шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 60 В, Id, близьким до 130 А і Rds(on) порівнянним з 6,8 мОм при Vgs 10 В. У тому ж документі виробника є HY3306B, але в іншому корпусі. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутаційні застосування
  • Керування живленням в інверторних системах
Часто питають
Чим замінити HY3306P?

Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 60 В, Id, близьким до 130 А і Rds(on) порівнянним з 6,8 мОм при Vgs 10 В. Порівнюйте за datasheet. HY3306B – варіант з того ж документа, але в іншому корпусі.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який струм витримує HY3306P?

Id 130 А при Tc 25 °C (обмежено температурою переходу) і 84 А при Tc 100 °C. Напруга Vds – 60 В.

Якою напругою відкривати HY3306P?

Rds(on) 5,4 мОм (тип.) наведено при VGS 10 В. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В; максимальна напруга затвор-витік ±25 В.

Datasheet

Документація виробника: HY3306P (HOOYI).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HY3306P (HOOYI) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.