Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор G50H603 ( IGW50N60H3 ) демонтаж б/в, TO247
235,00 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G50H603 (IGW50N60H3) – IGBT-транзистор Infineon 600 В у корпусі PG-TO247-3 для силових ключів. Демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежено Tvjmax); 50 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,30 В макс. (VGE 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 315 нКл (Vcc 400 В, Ic 50 А, Vge 15 В) |
| Ptot | 333 Вт (Tc 25 °C); 167 Вт (Tc 100 °C) |
| Tvj макс. | 175 °C |
| Vge | ±20 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
G50H603 (IGW50N60H3) – IGBT-транзистор Infineon у корпусі PG-TO247-3. За datasheet Rev. 2.2: напруга колектор-емітер Vces 600 В (Tvj 25 °C), струм колектора Ic 100 А при Tc 25 °C (обмежено Tvjmax) і 50 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,85 В (макс. 2,30 В) при VGE 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C. Заряд затвора Qg 315 нКл (Vcc 400 В, Ic 50 А, Vge 15 В), енергія вимкнення Eoff 0,91 мДж і час спаду tf 24 нс (Tvj 25 °C, Vcc 400 В, Ic 50 А, Vge 0/15 В, rG 7 Ом). Потужність розсіювання Ptot 333 Вт при Tc 25 °C і 167 Вт при Tc 100 °C, максимальна температура переходу Tvj 175 °C, напруга затвор-емітер ±20 В. Вбудованого діода в цьому типі немає.
Стан: демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) і Qg, а також корпус і розпіновку. Оскільки діода в цьому типі немає, а в схемі він може бути потрібен, версія з діодом – це вже інша деталь; за даними виробника вона має позначення IKW50N60H3, її параметри перевіряйте окремо. Надсилаємо з Запоріжжя Новою поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення
- Зварювальні перетворювачі
- Перетворювачі з високою частотою перемикання
Чим замінити G50H603?
Підбирайте IGBT з тим самим корпусом і розпіновкою, Vces не нижче 600 В, зі струмом Ic при Tc 100 °C не меншим за 50 А (або дуже близьким до нього) і порівнянним Vce(sat). Якщо Qg удвічі більший, перевірте драйвер затвора.
Чи є в G50H603 вбудований діод?
Ні. У цьому типі діода немає. Версія з діодом за даними виробника має позначення IKW50N60H3 і є іншою деталлю.
Це нова деталь чи демонтаж?
Демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Для чого застосовують G50H603?
За даними виробника: джерела безперебійного живлення, зварювальні перетворювачі, перетворювачі з високою частотою перемикання.
Документація виробника: IGW50N60H3 Datasheet Rev. 2.2.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon, Rev. 2.2. Значення струму Ic і потужності Ptot для Tc 25 °C і 100 °C зіставлено за порядком у таблиці документа.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.