Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор D5N65 оригінал (5A,650V)( заміна для FQD5N65 , FQD5N60C , FCD5N60 , SVF5N65D , SVF5N60D , D5N60 , IRFU430A , IRFU420A ), D-PAK
35,25 ₴
29 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
29 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
D5N65 – оригінальний N-канальний MOSFET у корпусі D-PAK на 650 В і 5 А (при 25 °C). Підходить для силових перемикачів, електронних баластів і адаптерів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (VDMOSFET) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id (TC 25 °C) | 5 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 3,1 А |
| Rds(on) тип. (Vgs 10 В, Id 2,5 А) | 1,9 Ом |
| Rds(on) макс. | 2,4 Ом |
| Vgs(th) (Id 250 мкА) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg тип. | 17,3 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 615 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 75 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
D5N65 – N-канальний польовий транзистор (VDMOSFET, планарна технологія) у корпусі TO-252B (D-PAK). Напруга стік-витік Vds – 650 В. Струм стоку Id – 5 А при температурі корпуса 25 °C і 3,1 А при 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 1,9 Ом (макс. 2,4 Ом) при Vgs 10 В і Id 2,5 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при Id 250 мкА. Заряд затвора Qg типово 17,3 нКл. Вхідна ємність Ciss типово 615 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 75 Вт при 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
У назві товару вказано заміну для FQD5N65, FQD5N60C, FCD5N60, SVF5N65D, SVF5N60D, D5N60, IRFU430A, IRFU420A. D5N65 може замінити ці деталі, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Це оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силові перемикачі в схемах для мініатюризації та підвищення ККД
- Електронні баласти й адаптори
Чим замінити D5N65?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі D-PAK з напругою Vds не нижче 650 В, струмом Id, близьким до 5 А, і Rds(on) порівнянним з 1,9 Ом при Vgs 10 В. Порівнюйте за datasheet.
Що може замінити D5N65?
У назві товару вказано заміну для FQD5N65, FQD5N60C, FCD5N60, SVF5N65D, SVF5N60D, D5N60, IRFU430A, IRFU420A. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує D5N65?
Id 5 А при температурі корпуса 25 °C і 3,1 А при 100 °C. Напруга Vds – 650 В.
Документація виробника: D5N65-XAD (WXDH), Rev. 1.1.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.