Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | WB SOIC-14 (широкий) |
| Стан | Оригінал |
Pai8233C ( PAI8233C-WR ) оригінальна мікросхема
100,11 ₴
55 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
55 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
Pai8233C (PAI8233C-WR) – оригінальна мікросхема: ізольований двоканальний драйвер MOSFET, IGBT та SiC MOSFET з програмованим мертвим часом, корпус WB SOIC-14.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | WB SOIC-14 (широкий) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | 2Pai Semi |
| Кількість каналів | 2 |
| Піковий струм виходу, джерело | 4 А (версія Pai8233) |
| Піковий струм виходу, втікання | 8 А (версія Pai8233) |
| Напруга ізоляції Viso | 5000 В (ефект.), WB SOIC-14, UL 1577, 1 хв |
| Робоча напруга ізоляції | 1200 В (пост.) |
| CMTI | 100 кВ/мкс |
| Затримка поширення | 19 нс (тип.), 30 нс (макс.) |
| Макс. частота | 5 МГц |
| Живлення VCCI | 3…5,5 В |
| Живлення VDDA / VDDB (макс.) | 25 В |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | WB SOIC-14 (широкий) |
| Стан | Оригінал |
Pai8233C-WR – ізольований двоканальний драйвер затвора виробництва 2Pai Semi для MOSFET, IGBT та SiC MOSFET. Мертвий час програмується: DT (нс) = 10 × RDT (кОм). Піковий струм виходу для версії Pai8233: 4 А (джерело) і 8 А (втікання). Напруга ізоляції Viso 5000 В (ефект.) у корпусі WB SOIC-14 за UL 1577, 1 хв; робоча напруга ізоляції 1200 В (пост.). Стійкість до синфазних перепадів CMTI – 100 кВ/мкс, затримка поширення сигналу 19 нс (тип.), 30 нс (макс.), максимальна частота 5 МГц. Живлення вхідної сторони VCCI – 3…5,5 В, виходів VDDA / VDDB – до 25 В (абсолютний максимум 30 В). Поріг вмикання VDD у версії C – 8,7 В (8,3…9,2 В). Робоча температура -40…125 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Корпус WB SOIC-14 широкий, з 14 виводами: перед заміною порівняйте посадкове місце на платі. Прямі заміни за даними виробника: Pai8233B-WR, Pai8232C-WR, Pai8232B-WR; різницю між версіями B і C та між 8232 і 8233 дивіться в datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- DC-DC та AC-DC перетворювачі
- Інвертори, ІБП, зарядні станції
- Електромобілі та гібридні автомобілі (HEV, BEV)
Чим замінити Pai8233C-WR?
За даними виробника, прямі заміни – Pai8233B-WR, Pai8232C-WR, Pai8232B-WR. Версії відрізняються параметрами, тому порівняйте їх із datasheet перед установкою.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Які транзистори можна керувати цією мікросхемою?
Це драйвер для MOSFET, IGBT та SiC MOSFET. Піковий струм виходу версії Pai8233 – 4 А (джерело) і 8 А (втікання).
Як задається мертвий час?
Резистором RDT: DT (нс) = 10 × RDT (кОм).
Документація виробника: Pai8233C-WR (2Pai Semi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.