Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST50N65HSZ ( OST50N65HSZF ) оригінал (заміна для OST50N65HSN , OST50N65HM , OST50N65HM2 ) , TO247
432,40 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OST50N65HSZ – оригінальний IGBT-транзистор 650 В зі швидким вбудованим діодом у корпусі TO-247. Використовують в індукційних перетворювачах і ДБЖ.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (Tvj=25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc=25 °C); 50 А (Tc=100 °C) |
| Vce(sat) | 1.45 В (VGE=15 В, IC=50 А, Tvj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл (VGE=15 В, VCC=520 В, IC=50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 5765 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc=25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
OST50N65HSZ (також OST50N65HSZF) – IGBT-транзистор виробництва Oriental Semiconductor у корпусі TO-247 зі вбудованим швидким антипаралельним діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (Tvj=25 °C). Струм колектора Ic – 80 А при Tc=25 °C і 50 А при Tc=100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.45 В при VGE=15 В, IC=50 А, Tvj=25 °C (макс. 1.75 В). Заряд затвора Qg – 110 нКл при VGE=15 В, VCC=520 В, IC=50 А. Вхідна ємність Cies типово 5765 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц). Потужність розсіювання – 375 Вт при Tc=25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Транзистор витримує коротке замикання 10 мкс (VGE=15 В, VCC≤400 В, Tvj=150 °C).
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня. За назвою товару OST50N65HSZ може замінити OST50N65HSN, OST50N65HM і OST50N65HM2; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Де застосовують
- Індукційні перетворювачі
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Чим замінити OST50N65HSZ?
За назвою товару він може замінити OST50N65HSN, OST50N65HM і OST50N65HM2. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у транзистора вбудований діод?
Так, швидкий і м'який антипаралельний діод: Vf 1.3 В при IF=50 А, VGE=0, Tvj=25 °C (макс. 1.6 В).
Який час витримки короткого замикання?
10 мкс при VGE=15 В, VCC≤400 В, Tvj=150 °C.
Документація виробника: OST50N65HSZF V1.0.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.