Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор CMH82N25 оригінал, TO247

432,40 ₴

8 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

8 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

CMH82N25 – потужний N-канальний польовий транзистор виробництва Cmos в корпусі TO-247. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникCmos
Тип каналуN
Напруга Vds250 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)90 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)58 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 40 А, Tj 25 °C, макс.)35 мОм
Rds(on) (типово)29 мОм
Vgs(th)2–4 В
Ciss (VDS = 25 В, VGS = 0, f = 1 МГц)7000 пФ
Потужність Pd (TC 25 °C)550 Вт
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал
Опис

CMH82N25 – N-канальний MOSFET виробництва Cmos, корпус TO-247. Напруга Vds – 250 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мінімум). Струм стоку Id – 90 А при TC 25 °C і 58 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – максимум 35 мОм, типово 29 мОм (VGS = 10 В, ID = 40 А, Tj 25 °C). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при VGS = VDS, ID = 250 мкА. Вхідна ємність Ciss – 7000 пФ (VDS = 25 В, VGS = 0, f = 1 МГц). Потужність Pd – 550 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.

Стан: оригінал, не демонтаж. Під час підбору заміни порівнюйте канал, напругу Vds, струм стоку, Rds(on) при однаковій напрузі на затворі та корпус. Велика вхідна ємність потребує драйвера затвора, розрахованого на таке навантаження. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Перетворювачі DC-AC
  • Імпульсні блоки живлення (SMPS)
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Активна корекція коефіцієнта потужності
Часто питають
Чим замінити CMH82N25?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 250 В і струмом стоку не менше 90 А при TC 25 °C. Порівнюйте Rds(on) при однаковій напрузі на затворі. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи підходить для ДБЖ та імпульсного блока живлення?

Застосування з документа: перетворювачі DC-AC, імпульсні блоки живлення (SMPS), джерела безперебійного живлення (UPS), активна корекція коефіцієнта потужності. Перед встановленням порівняйте параметри зі схемою.

Яка вхідна ємність затвора?

Ciss – 7000 пФ при VDS = 25 В, VGS = 0, f = 1 МГц. Драйвер затвора має це витримувати.

Datasheet

Документація виробника: CMH82N25 (Cmos).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

CMH82N25 (Cmos) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)202 А
Струм Id (100 °C)143 А
Rds(on)3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А
Vgs(th)2–4 В при Id 250 мкА
Qg103.6 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd271 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIPS
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.