Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор HA210N06 оригінал (заміна для DG210N06 )(60V,210A), TO-3P

141,00 ₴

12 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

12 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

HA210N06 – N-канальний польовий транзистор Haolin, 60 В, 210 А, у корпусі TO-3P. Оригінал, може замінити DG210N06.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникHaolin
Тип каналуN
КорпусTO-3P
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)210 А (обмеження корпусу 50 А)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)130 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 75 А)3.2 мОм типово, макс. 4 мОм
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В
Заряд затвора Qg135 нКл
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)220 Вт
Tj max175 °C
СтанОригінал
Опис

HA210N06 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробника Haolin у корпусі TO-3P. Напруга Vds 60 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id 210 А при Tc 25 °C (обмеження корпусу 50 А) і 130 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) типово 3.2 мОм при Vgs 10 В, Id 75 А (макс. 4 мОм). Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА, типово 3 В. Заряд затвора Qg типово 135 нКл (Vds 48 В, Id 75 А, Vgs 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 5800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd 220 Вт при Tc 25 °C (110 Вт при 100 °C), Tj max 175 °C. Час відновлення діода trr типово 48 нс (If 75 А, Vdd 60 В, dI/dt 100 А/мкс).

Оригінал, не демонтаж. HA210N06 може замінити DG210N06, але зворотна заміна не завжди можлива: взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для іншої заміни беріть N-канальний транзистор у TO-3P з Vds не меншою за 60 В, не меншим Id і не вищим Rds(on) при Vgs 10 В. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Джерела живлення
  • UPS
  • Системи керування акумуляторами (BMS)
Часто питають
Чим замінити HA210N06?

Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не меншою за 60 В, не меншим Id і не вищим Rds(on) при Vgs 10 В. Розпіновку й datasheet порівнюйте самостійно.

Чи може HA210N06 замінити DG210N06?

Так, HA210N06 може замінити DG210N06. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який струм реально витримує корпус?

У datasheet вказано Id 210 А при Tc 25 °C, але з обмеженням корпусу 50 А. Для розрахунку навантаження враховуйте обидві цифри.

Datasheet

Документація виробника: HA210N06 (Haolin).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

HA210N06 (Haolin) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.